公开(公告)号：CN114436641B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210197348.9

申请日：2022-03-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华 ,  周贤界

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN110483038B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201910863077.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 霍子伟 ,  许积文 ,  饶光辉 ,  王华 ,  孙亚兵 ,  杨玲

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于反铁电陶瓷材料技术领域，特别涉及一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种反铁电无铅陶瓷，其元素组成为(1‑x)(0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.06BaTiO3)‑xCs2Nb4O11，x为摩尔百分比。本发明通过设计元素组成，尤其是保证Cs2Nb4O11组分形式的情况下，实现Cs2Nb4O11与0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.06BaTiO3组分结合，获得了在室温、低电场条件下具有反铁电性能且环保的陶瓷材料。实验数据表明，本发明提供的反铁电无铅陶瓷的储能密度可达0.70J/cm3，储能效率可达45％，具有优良的储能性能。

公开(公告)号：CN110165064B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201910456855.8

申请日：2019-05-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  薛小刚 ,  张岩 ,  李皖蜀 ,  许积文 ,  王华 ,  李海鸥

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，包括依次叠接的阳极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、发光层、电子注入层和金属阴极，所述第一空穴注入层为PEDOT:PSS或者PEDOT:PSS+V2O5复合材料，第二空穴注入层为C3N4薄膜，发光层为TPBi，电子注入层为LiF，金属阴极为Al。本发明的具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，利用V2O5掺杂PEDOT:PSS的复合薄膜PEDOT:PSS+V2O5和二维材料C3N4的各自优点，利用其合适的能级结构有效地构筑具有梯度能级的空穴注入传输体系，从而调节了载流子平衡，器件具有良好的性能。

公开(公告)号：CN108863358B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201810756510.X

申请日：2018-07-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  王华 ,  刘国保 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(In0.5Nb0.5)O3，其中x表示摩尔分数，0.1≤x≤0.2。所述制备方法为固相反应烧结法，将K2CO3、Na2CO3、SrCO3、In2O3和Nb2O5按化学比例称料，然后多种粉体先后经过球磨、预烧、煅烧、造粒、成型和烧结，制备出具有宽温度稳定特性的铌酸钾钠基陶瓷电容器介质材料，在‑60℃至300℃具有稳定的介电性能，且具有制备方法简单、成本低和无铅环保等优势。

公开(公告)号：CN111484326A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010271654.3

申请日：2020-04-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  胡岗斌 ,  王名昌 ,  汪江婷 ,  刘浩男 ,  杨玲

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Ta0.5)O3-yM，M为Er或Ho，x＝0.01～0.06，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有较好的透光性能和上转换光致发光性能以及铁电性能，是一种多功能陶瓷材料。

公开(公告)号：CN109704757A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910025697.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  窦闰镨 ,  周昌荣 ,  王华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1-y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1-x(W0.5Mg0.5)xO3-yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。

公开(公告)号：CN108863358A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810756510.X

申请日：2018-07-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  王华 ,  刘国保 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(In0.5Nb0.5)O3，其中x表示摩尔分数，0.1≤x≤0.2。所述制备方法为固相反应烧结法，将K2CO3、Na2CO3、SrCO3、In2O3和Nb2O5按化学比例称料，然后多种粉体先后经过球磨、预烧、煅烧、造粒、成型和烧结，制备出具有宽温度稳定特性的铌酸钾钠基陶瓷电容器介质材料，在‑60℃至300℃具有稳定的介电性能，且具有制备方法简单、成本低和无铅环保等优势。

公开(公告)号：CN106747422A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611201063.9

申请日：2016-12-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  赵阳阳 ,  周昌荣 ,  王华 ,  袁昌来 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B41/4535

Abstract: 本发明公开了一种高储能密度及高电致应变的多功能无铅陶瓷及其制备方法，所述多功能无铅陶瓷组份用化学通式(Bi0.5Na0.5)1‑xBaxTi1‑y(Mg1/3Nb2/3)yO3或Bi0.5(Na1‑uKu)0.5Ti1‑v(Mg1/3Nb2/3)vO3所表示，其中：x、y、u、v表示摩尔分数；0.06≤x≤0.09；0.015≤y≤0.04；0.16≤u≤0.2；0.02≤v≤0.045。这种多功能无铅陶瓷的晶粒细小均匀，致密度高，在室温下电致应变大，储能密度高，介电常数大。该材料不仅克服了铅基材料的环境污染问题，而且在一种材料中实现了多功能化。

公开(公告)号：CN103400936B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310324856.X

申请日：2013-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  何玉汝 ,  王华 ,  戴培邦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/28 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成；所述肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。

公开(公告)号：CN104891821A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510220449.3

申请日：2015-05-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  韩冬 ,  许积文 ,  张小文 ,  杨玲

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种应用不同浓度的前驱液制备多层BiFeO3薄膜的方法，所述方法包括：(1)将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·5H2O溶于乙二醇甲醚和乙酸酐混合而成的混合液中，分别配置出高浓度的A前驱液和低浓度的B前驱液。(2)在基片上旋涂A前驱液或B前驱液，并将其烘烤、冷却，得到单层BiFeO3薄膜。(3)在单层BiFeO3薄膜上再旋涂B前驱液或A前驱液，并将其烘烤、冷却，得到双层BiFeO3薄膜。(4)根据厚度需要交替旋涂A前驱液或B前驱液并烘烤、冷却，得到多层BiFeO3薄膜。本发明通过高、低浓度层交替搭配来提高薄膜的致密性进而降低薄膜的漏电流，提高薄膜的铁电性能，而且可以保证薄膜的制备效率。