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发明公开
针对增长坏块的应力测试审中-实审

公开(公告)号：CN119497889A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380044603.9

申请日：2023-06-07

Applicant: 桑迪士克科技股份有限公司

Inventor： S·普腾热亚当 , 刘龙举 , P·阿明 , S·伊斯兰 , 袁家辉

IPC: G11C29/02 , G11C16/08 , G11C8/14 , G11C16/16 , G11C29/12

Abstract: 本文公开了用于检测非易失性存储系统中的增长坏块的技术。应力测试可加速存储器单元上的应力条件并由此提供对增长坏块的早期检测。该应力测试可包括：将编程电压施加到所选择字线并且将小于标称升压电压的应力电压施加到与所选择字线的一侧相邻的字线。该编程电压和该应力电压的组合可生成比在正常编程操作中会生成的e场强的e场，由此加速这些存储器单元上的应力。该应力测试还可包括：将这些存储器单元中的所有存储器单元编程为可在这些存储器单元上产生附加应力的相对高的阈值电压。

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