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公开(公告)号：CN118266087A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280003866.0
申请日：2022-10-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
Inventor： 武兆建 , 张福刚 , 许亚东 , 郑晓绮 , 夏莹莹 , 张锐 , 易定力 , 张瑞昊 , 杨圣标 , 张越 , 孙梦翔 , 彭刚 , 乔名笛 , 杨子衡 , 卢高 , 戴伟 , 王震宇
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本公开实施例提供一种薄膜晶体管装置及其制造方法、复合型刻蚀液及阵列基板，该方法包括：在衬底基板上形成包括有源材料层和欧姆接触材料层的有源结构材料层及源漏材料层；使用复合型刻蚀液对源漏材料层和有源结构材料层进行湿法刻蚀工艺，以形成源漏极层及包括欧姆接触层和有源层的有源结构，湿法刻蚀工艺包括使用复合型刻蚀液的第一刻蚀液刻蚀源漏材料层和氧化有源结构材料层的部分以及使用复合型刻蚀液的第二刻蚀液刻蚀有源结构材料层的被氧化部分，欧姆接触层位于与源漏极层在垂直于衬底基板的主表面的方向上交叠的区域内，且在垂直于衬底基板的主表面的方向上，欧姆接触层在衬底基板上的正投影位于源漏极层在衬底基板上的正投影范围内。
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公开(公告)号：CN115657383A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211327572.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1335 , G02F1/1343
Abstract: 本申请提供了一种显示面板与显示装置，显示面板包括衬底、遮光层、多个晶体管、彩膜基板和背光源，遮光层位于所述衬底的一侧，且所述遮光层上形成有多个通孔；多个晶体管分别包括有源层，各所述晶体管的有源层位于所述遮光层背离所述衬底的一侧，且在所述衬底上的正投影位于所述遮光层在所述衬底的正投影内；彩膜基板所述遮光层与所述多个晶体管位于所述彩膜基板与所述衬底之间；所述彩膜基板包括多个像素区，所述多个像素区与所述多个通孔一一对应设置；背光源位于所述衬底背离所述遮光层的一侧。本申请提供的显示面板，克服了背光对有源层的光致衰退效应，降低了显示面板光照漏电流。
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公开(公告)号：CN114496800A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210142462.1
申请日：2022-02-16
Applicant: 武汉京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置，解决了在薄膜晶体管器件的沟道制作过程中有效tail变大的问题。所述薄膜晶体管的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成依次叠层设置的栅电极、栅极绝缘层、有源层和金属层；对所述有源层和所述金属层进行图案化处理，以分别形成有源岛以及位于所述有源岛上方的源漏电极；其中，所述有源岛包括位于其外周的外延部，所述外延部在所述衬底上的正投影不覆盖所述栅电极和所述源漏电极在所述衬底上的正投影；对所述有源岛进行图案化处理，以去除所述外延部，从而形成薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN113178493A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110448608.0
申请日：2021-04-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12
Abstract: 本发明提出了薄膜晶体管、制备方法以及显示面板，制备薄膜晶体管的方法，包括：提供基板，在基板的一侧形成有源层材料，有源层材料覆盖像素区和控制区，在有源层材料远离基板的一侧形成第一金属层，在第一金属层远离有源层材料的一侧形成第一光刻胶层，对在基板上的正投影位于像素区内的第一金属层进行刻蚀以在控制区内形成源漏极层，对第一光刻胶层进行预灰化以形成第二光刻胶层，对在基板上的正投影位于像素区内的有源层材料进行刻蚀以去除像素区内的有源层材料。由此，可通过上述方法较为简易的方法的制备显示效果良好，制造成本较低，器件寿命较长的薄膜晶体管。
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