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公开(公告)号：CN112885853B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202110390869.1
申请日：2021-04-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: H10D86/60 , G02F1/1362 , H10D86/01
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及其制备工艺、显示面板和显示装置。阵列基板包括过孔区和搭接金属线，所述过孔区至少设置有两个且所述过孔区内均形成有第一过孔，所述搭接金属线的两端分别伸入两个过孔区内的第一过孔，所述过孔区在所述阵列基板的厚度方向包括依次层叠设置的衬底基板、公共电极、栅极绝缘层、第一有源层、钝化层和像素电极，所述搭接金属线位于所述有源层和钝化层之间。阵列基板结构简单、易于实现，在不增加生产工序及成本的条件下，可以提高过孔区的膜层厚度，增加了搭接金属线与公共电极的距离，同时可以缩小孔洞处两者的正对面积，有效解决了过孔易发生异常放电的难题，提高了产品的良率。
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公开(公告)号：CN113534552B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110830447.1
申请日：2021-07-22
Applicant: 武汉京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
Abstract: 本发明实施例公开一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置。在一具体实施方式中，该制作方法包括：在基板上依次形成公共电极、栅线、有源层、以及数据线；在数据线上形成像素电极材料层；图案化像素电极材料层形成像素电极子材料层，包括缝隙区域；在像素电极子材料层上形成第二光刻胶层；自基板的远离第二光刻胶层的一侧对第二光刻胶层进行曝光并显影，以形成像素电极的保护层，数据线在基板上的正投影到相邻两个保护层在基板上的正投影的距离相等；形成像素电极；去除保护层。该实施方式通过利用第二光刻胶层的曝光显影形成保护层，使得数据线在基板上的正投影到相邻两个保护层在基板上的正投影的距离相等，避免了信号串扰。
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公开(公告)号：CN113534552A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110830447.1
申请日：2021-07-22
Applicant: 武汉京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
Abstract: 本发明实施例公开一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置。在一具体实施方式中，该制作方法包括：在基板上依次形成公共电极、栅线、有源层、以及数据线；在数据线上形成像素电极材料层；图案化像素电极材料层形成像素电极子材料层，包括缝隙区域；在像素电极子材料层上形成第二光刻胶层；自基板的远离第二光刻胶层的一侧对第二光刻胶层进行曝光并显影，以形成像素电极的保护层，数据线在基板上的正投影到相邻两个保护层在基板上的正投影的距离相等；形成像素电极；去除保护层。该实施方式通过利用第二光刻胶层的曝光显影形成保护层，使得数据线在基板上的正投影到相邻两个保护层在基板上的正投影的距离相等，避免了信号串扰。
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公开(公告)号：CN119421491A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202310755707.2
申请日：2023-06-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: H10D86/00 , H01L21/77 , H10K59/131 , H10K59/12
Abstract: 提供一种显示基板及其制造方法、显示装置。显示基板包括：衬底基板；第一导电层，设置在衬底基板的一侧，第一导电层包括第一电极；第二导电层，设置在第一导电层远离衬底基板的一侧，第二导电层包括栅电极；半导体层，设置在第二导电层远离衬底基板的一侧，半导体层在衬底基板上的正投影位于第二导电层在衬底基板上的正投影内；第三导电层，设置在半导体层远离衬底基板的一侧，第三导电层包括在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内的转接部；钝化层；第一电极过孔，贯穿钝化层，第一电极过孔的开口面积从远离衬底基板的方向朝向靠近衬底基板的方向逐渐减小，暴露的转接部构成第一电极过孔的过孔侧壁的一部分。
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公开(公告)号：CN110782781B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201911090099.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: G09F9/00 , G02F1/1335 , H10K59/10 , H10K50/856
Abstract: 本发明提供一种显示模组、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有显示装置不能与实际场景相结合显示的问题。本发明的一种显示模组，包括：显示面板，其包括多个子像素区；第一膜层，其与所述显示面板对应设置；所述第一膜层分为多个透光区和反射区；所述透光区与所述子像素区对应；所述反射区用于反射环境光，以使所述显示模组能够实现镜面反射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444123B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910763897.6
申请日：2019-08-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
Abstract: 本发明是关于一种拼接显示装置及电子设备，涉及显示设备技术领域。主要采用的技术方案为：拼接显示装置，其包括：至少两个显示屏单元、滑轨以及驱动部件；至少两个所述显示屏单元层叠设置；所述滑轨与所述显示屏单元的一侧边滑动连接；所述驱动部件设置在所述滑轨上，所述驱动部件的驱动端与所述显示屏单元连接；其中，所述驱动部件能够驱动所述显示屏单元在所述滑轨上往复滑动，将至少两个所述显示屏单元相平行的滑动展开，拼接形成所述拼接显示装置的显示部分。所述拼接显示装置能够实现大尺寸的显示屏显示，并且能够通过滑动显示屏单元实现屏幕大小尺寸的切换，同时解决了大尺寸显示屏生产成本高，运输困难的问题。
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公开(公告)号：CN110782781A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911090099.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: G09F9/00 , G02F1/1335 , H01L51/52
Abstract: 本发明提供一种显示模组、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有显示装置不能与实际场景相结合显示的问题。本发明的一种显示模组，包括：显示面板，其包括多个子像素区；第一膜层，其与所述显示面板对应设置；所述第一膜层分为多个透光区和反射区；所述透光区与所述子像素区对应；所述反射区用于反射环境光，以使所述显示模组能够实现镜面反射。
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公开(公告)号：CN119861515A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510008955.X
申请日：2025-01-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1368
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，以改善高刷产品或充电率要求高的产品较难提升开态电流的问题。所述阵列基板，包括：第一衬底，位于所述第一衬底一侧的晶体管，以及第一电极；其中，所述晶体管包括：第一栅极，位于所述第一栅极背离所述第一衬底一侧的源极以及漏极；所述第一电极位于所述源极背离所述第一衬底的一侧，且所述第一电极在所述第一衬底的正投影，覆盖所述源极在所述第一衬底正投影的至少部分，以及覆盖所述漏极在所述第一衬底正投影的至少部分，且所述第一电极与所述第一栅极绝缘。
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公开(公告)号：CN119024608A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310602648.5
申请日：2023-05-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
Abstract: 本公开提供一种显示基板、显示面板和显示装置。所述显示基板，具有显示区，以及位于所述显示区外围的非显示区，其中，所述显示基板包括：多个扇形走线组，位于所述非显示区，所述多个扇形走线组中的至少一个扇形走线组包括：多条扇形区走线；公共电极，位于所述非显示区的相邻所述扇形走线组之间，所述公共电极包括：边界走线，位于所述边界走线所围成区域内的公共走线组；所述公共走线组包括：多条第一公共走线，以及多条第二公共走线，所述多条第一公共走线与所述多条第二公共走线交叉形成网状结构；至少一条所述第一公共走线的延伸方向，与至少一条所述扇形区走线的延伸方向相同。
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公开(公告)号：CN112885853A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110390869.1
申请日：2021-04-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及其制备工艺、显示面板和显示装置。阵列基板包括过孔区和搭接金属线，所述过孔区至少设置有两个且所述过孔区内均形成有第一过孔，所述搭接金属线的两端分别伸入两个过孔区内的第一过孔，所述过孔区在所述阵列基板的厚度方向包括依次层叠设置的衬底基板、公共电极、栅极绝缘层、第一有源层、钝化层和像素电极，所述搭接金属线位于所述有源层和钝化层之间。阵列基板结构简单、易于实现，在不增加生产工序及成本的条件下，可以提高过孔区的膜层厚度，增加了搭接金属线与公共电极的距离，同时可以缩小孔洞处两者的正对面积，有效解决了过孔易发生异常放电的难题，提高了产品的良率。
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