-
公开(公告)号：CN114978094B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210525933.7
申请日：2022-05-16
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，本申请的体声波谐振器，包括衬底以及设置于衬底上表面的筒状支撑件，筒状支撑件上依次设置有下电极、压电薄膜层以及上电极，下电极和上电极在衬底上的投影均落入压电薄膜层在衬底上的投影内，筒状支撑件围合的区域、下电极、压电薄膜层和上电极在层级方向重叠的区域为有效谐振区域，上电极、下电极均包括高声阻抗和低声阻抗交替设置的多个导电层形成的叠层，上电极和下电极上分别形成有台阶状声反射结构。本申请提供的体声波谐振器及其制备方法，能够有效反射横向波，提高体声波谐振器的Q值。
-
公开(公告)号：CN114221631B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202111569313.5
申请日：2021-12-21
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 一种谐振器及其制备方法、滤波器，涉及谐振器技术领域。该制备方法包括：在第一衬底上依次形成压电层和第一电极层；在第一电极层上形成第一键合层；图形化第一键合层，以形成露出压电层的第一凹槽；形成填充第一凹槽的牺牲材料得到第一器件；在第二衬底上形成第二键合层；图形化第二键合层，以形成露出第二衬底的第二凹槽；形成填充第二凹槽的牺牲材料得到第二器件；键合第一器件的第一键合层和第二器件的第二键合层，并去除第一衬底；在压电层远离第一电极层的一面形成第二电极层得到第三器件；在第三器件上形成释放孔，通过释放孔释放牺牲材料以形成谐振器的空腔。该制备方法制备的谐振器的压电层为单晶材料，能够满足高性能器件的要求。
-
公开(公告)号：CN114793101A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210459949.2
申请日：2022-04-24
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明公开了一种兰姆波谐振器，涉及半导体技术领域，本发明的兰姆波谐振器，包括压电层和设置在压电层上表面的第一叉指电极，第一叉指电极包括间隔交替分布的第一正叉指电极和第一负叉指电极，相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极之间设有与压电层连接的凸起结构，凸起结构用于改变压电层的厚度。本发明提供的兰姆波谐振器，通过在相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极之间设置与压电层连接的凸起结构，以使压电层具有不同的厚度，一种厚度对应一个谐振峰，以此实现双谐振峰或多谐振峰响应，解决无线通信的多频段难以高度集成的技术问题。
-
公开(公告)号：CN114421913A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210066325.4
申请日：2022-01-20
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的谐振器，包括依次层叠设置的底电极层、压电层、顶电极层、键合层和第一衬底层，键合层上设有第一通孔和依次围绕第一通孔的至少两个第一环形通槽，顶电极层上设有与至少两个第一环形通槽一一对应的第二环形通槽，第一环形通槽和第二环形通槽内填充有固体材料，固体材料的声阻抗低于键合层和顶电极层的声阻抗。本发明提供的谐振器，在器件有效区的周围设有声子晶体结构，能够减少声波能量的横向泄露，具有较高的品质因数。
-
公开(公告)号：CN112532206B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202011485700.6
申请日：2020-12-16
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明涉及射频滤波器和双工器技术，具体涉及一种双工器，包括衬底基板以及位于衬底基板上的不同频带的接收端滤波器和发射端滤波器；接收端滤波器和发射端滤波器均包括多个堆叠式体声波谐振器，堆叠式体声波谐振器包括衬底、声反射层、底电极、多层压电材料层、多层中间电极层和顶电极。堆叠式体声波谐振器通过压电材料层和各电极层形成多层压电振荡堆串联结构，可以提高谐振器的谐振频率，本发明通过对堆叠式体声波谐振器的堆叠层数进行调整，从而对单个谐振器的谐振频率进行调频，使接收滤波器和发射滤波器的谐振器的谐振频率进行匹配，从而实现双工器的集成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116131803B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310094992.8
申请日：2023-01-18
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种谐振器、谐振器制备方法以及滤波器，该谐振器包括压电层、第一电极结构和第二电极结构，其中，第一电极结构与第二电极结构设置在压电层上，第一电极结构包括多个间隔设置的第一叉指电极，第二电极结构包括多个间隔设置的第二叉指电极，第一叉指电极上设有第一电极孔和/或第二叉指电极上设有第二电极孔，其中，第一电极孔未贯穿第一叉指电极的轮廓线，且第一电极孔与第一叉指电极端部的距离大于预设值；第二电极孔未贯穿第二叉指电极的轮廓线，且第二电极孔与第二叉指电极端部的距离大于预设值。通过电极孔抑制第一叉指电极与第二叉指电极的平行边激发产生的杂波，并在抑制杂波的同时提升主模态的能量，保证了谐振器的性能较好。
-
公开(公告)号：CN114421913B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210066325.4
申请日：2022-01-20
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的谐振器，包括依次层叠设置的底电极层、压电层、顶电极层、键合层和第一衬底层，键合层上设有第一通孔和依次围绕第一通孔的至少两个第一环形通槽，顶电极层上设有与至少两个第一环形通槽一一对应的第二环形通槽，第一环形通槽和第二环形通槽内填充有固体材料，固体材料的声阻抗低于键合层和顶电极层的声阻抗。本发明提供的谐振器，在器件有效区的周围设有声子晶体结构，能够减少声波能量的横向泄露，具有较高的品质因数。
-
公开(公告)号：CN117081538A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311121366.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请涉及滤波器件技术领域，具体公开了一种超高频谐振器，包括压电薄膜以及设置在所述压电薄膜表面的叉指电极；所述叉指电极包括多个间隔排布的电极条；所述电极条远离所述压电薄膜的表面设有至少两个环形框；至少两个所述环形框的中心重合且间隔套设。本申请提供的一种超高频谐振器，其通过对叉指电极结构的改进，有效减少伪模态的产生，提升品质因素与机械耦合系数，大幅度提高谐振器的工作性能。
-
公开(公告)号：CN113810015B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111116757.3
申请日：2021-09-23
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器，涉及滤波器技术领域。该体声波谐振器包括具有空腔的衬底、设于衬底上的底电极、设于底电极上的压电层和设于压电层上的顶电极；空腔、底电极、压电层和顶电极在层叠方向上的交叠区域形成有效谐振区域；体声波谐振器还包括位于有效谐振区域之外且贯通压电层并延伸至衬底内的至少一个声波隔离孔，声波隔离孔与空腔连通。该体声波谐振器能够有效改善声波能量自有效谐振区域向非有效谐振区域泄漏，从而提高体声波谐振器的品质因数。
-
公开(公告)号：CN115412042A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211062809.8
申请日：2022-09-01
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，包括衬底上形成单晶压电薄膜层,单晶压电薄膜层刻蚀贯通至衬底的第一沟槽,第一沟槽内沉积第一牺牲层；单晶压电薄膜层沉积第二牺牲层和底电极,第二牺牲层用于形成底电极和单晶压电薄膜层之间的底电极空气桥；底电极依次形成第三牺牲层和支撑层,第三牺牲层形成支撑层和底电极之间的空腔；支撑层上形成键合层；键合层上通过晶圆键合层键合晶圆；去除衬底；单晶压电薄膜层上依次形成第四牺牲层和顶电极,第四牺牲层用于形成顶电极和单晶压电薄膜层之间的顶电极空气桥,顶电极空气桥通过第一沟槽和空腔连通；顶电极刻蚀单晶压电薄膜层形成第二沟槽,第二沟槽和底电极空气桥连通。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.038 seconds)
