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公开(公告)号：CN118353404B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410505017.6
申请日：2024-04-25
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种叉指型谐振器及滤波器。该叉指型谐振器包括压电层和位于压电层一侧的叉指换能器；叉指换能器包括至少两个电极指；电极指包括双层电极结构以及设置于双层电极结构中的至少一个散射结构；双层电极结构包括叠层设置的至少两层电极层；散射结构包括散射孔以及设置于散射孔中的散射介质，散射孔贯穿至少部分双层电极结构，散射介质的声阻抗与散射介质所在的电极层的声阻抗不同。本发明通过设置电极指包括双层电极结构，不仅有利于提高叉指型谐振器的散热性能和功率容量，还可在制备过程中提高叉指换能器对压电层的支撑作用，通过在电极指上设置散射结构，可使叉指型谐振器的杂散模态能够被散射，进而得到有效的抑制。
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公开(公告)号：CN116131803B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310094992.8
申请日：2023-01-18
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种谐振器、谐振器制备方法以及滤波器，该谐振器包括压电层、第一电极结构和第二电极结构，其中，第一电极结构与第二电极结构设置在压电层上，第一电极结构包括多个间隔设置的第一叉指电极，第二电极结构包括多个间隔设置的第二叉指电极，第一叉指电极上设有第一电极孔和/或第二叉指电极上设有第二电极孔，其中，第一电极孔未贯穿第一叉指电极的轮廓线，且第一电极孔与第一叉指电极端部的距离大于预设值；第二电极孔未贯穿第二叉指电极的轮廓线，且第二电极孔与第二叉指电极端部的距离大于预设值。通过电极孔抑制第一叉指电极与第二叉指电极的平行边激发产生的杂波，并在抑制杂波的同时提升主模态的能量，保证了谐振器的性能较好。
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公开(公告)号：CN117375558A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311169022.6
申请日：2023-09-11
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: H03H9/02 , H03H3/02 , H10N30/082
Abstract: 本申请公开了体声波谐振器、体声波谐振器的制备方法以及滤波器，其中，体声波谐振器包括层叠设置的第一芯片和第二芯片；其中，第一芯片和第二芯片之间形成有空腔，第一芯片和第二芯片上设置凹槽作为对准标识，在第一芯片和第二芯片上的对准标识对准时，第一芯片和第二芯片通过晶圆键合技术键合在一起。上述体声波谐振器具有较高的机械稳定性，且相关的制备工艺具有较好的片内良率。
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公开(公告)号：CN114222231B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111505684.7
申请日：2021-12-10
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于固支梁结构的双晶压电式MEMS麦克风，包括具有空腔的基底；正对空腔设置的压电振膜，压电振膜采用多根固支梁结合的结构，即梁的两端均固定在衬底上，梁的中心均处于同一位置；正对压电振膜设置的接收膜，接收膜与压电振膜之间采用介质层连接；固支梁型压电振膜将电极划分为四个区域，采用有序的电连接方式，将各固支梁串联起来；电极分为顶部电极、中部电极和底部电极，顶部电极和底部电极均只有一层，中部电极由两层电极组成。本发明采用了接收膜的结构以解决固支梁结构之间的大间隙所带来的低频响应问题，并且采用特殊的中部电极设计，极大地提高了双晶压电式MEMS麦克风的输出灵敏度。
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公开(公告)号：CN116193342B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310025566.9
申请日：2023-01-09
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: H04R19/01
Abstract: 本申请公开了一种电容‑压电式耦合麦克风，提高了MEMS麦克风的性能。该麦克风包括：信号处理电路、偏置电压输出电路、背板，以及依次沉积在背板上表面的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、第三电极层、压电材料和第四电极层；其中，第一绝缘层为环形支撑件，第一绝缘层、第一电极层和第二电极层围设形成空腔；空腔、第一电极层和第二电极层组成电容式麦克风的主体结构，偏置电压输出电路向其施加偏置电压；第三电极层、压电材料和第四电极层组成压电式麦克风的主体结构；信号处理电路将两主体结构输出的电信号进行放大后再叠加在一起。
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公开(公告)号：CN117081538A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311121366.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请涉及滤波器件技术领域，具体公开了一种超高频谐振器，包括压电薄膜以及设置在所述压电薄膜表面的叉指电极；所述叉指电极包括多个间隔排布的电极条；所述电极条远离所述压电薄膜的表面设有至少两个环形框；至少两个所述环形框的中心重合且间隔套设。本申请提供的一种超高频谐振器，其通过对叉指电极结构的改进，有效减少伪模态的产生，提升品质因素与机械耦合系数，大幅度提高谐振器的工作性能。
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公开(公告)号：CN114584102A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210235692.2
申请日：2022-03-11
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 一种射频谐振器及滤波器，涉及谐振器技术领域。该射频谐振器包括衬底、位于衬底上的压电层以及位于压电层上的上电极；上电极包括第一电极阵列和与第一电极阵列电势相反的第二电极阵列，第一电极阵列和第二电极阵列分别包括多个并排设置的子电极，且第一电极阵列的子电极和第二电极阵列的子电极交替排布；其中，压电层包括位于其中心的第一区域和位于第一区域之外的第二区域，位于第一区域的子电极的平均宽度大于位于第二区域的子电极的平均宽度。该射频谐振器能够有效减少能量泄露、进一步激励压电层压电效应，并有效抑制伪模态。
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公开(公告)号：CN117498827B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311574676.7
申请日：2023-11-23
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明实施例提供的双通带横向激励体声波谐振器及其制作方法、滤波器，谐振器包括压电层、电极层和异质层；异质层的材质与压电层的材质不同；电极层和异质层位于压电层在厚度方向相背离的两侧；电极层包括叉指电极和块电极，叉指电极与压电层重叠的区域形成有源区；异质层与有源区在厚度方向上的投影全部交叠；本发明的技术方案，通过在压电层下增加了异质层，可以改变谐振器厚度方向的应力与电场分布，使谐振器的偶数阶模态机械‑电相互作用能不为0，解决了传统谐振器只能激发单一谐振模态的问题，可以同时激发A2和A3谐振模态，应用到滤波器中，有利于实现设备的小型化和高度集成化。
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公开(公告)号：CN118232869B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410448479.9
申请日：2024-04-15
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明公开一种体声波谐振器，体声波谐振器中的谐振信号沿垂直方向传播，沿第二方向振动；体声波谐振器包括位于顶电极相对两侧的第一凹槽抑制结构和第二凹槽抑制结构；第一凹槽抑制结构、顶电极和第二凹槽抑制结构沿第一方向依次排列，第一方向与第二方向垂直；第一凹槽抑制结构和第二凹槽抑制结构均沿第二方向延伸；体声波谐振器还包括位于同一底电极和/或同一顶电极的第一凸起抑制结构和第二凸起抑制结构；第一凸起抑制结构和第二凸起抑制结构位于同一底电极和/或同一顶电极不相邻的两侧边缘；第一凸起抑制结构和第二凸起抑制结构沿第二方向排列。采用上述技术方案，可以提高品质因数，降低杂散模态干扰，同时提升功率容量和机械可靠性。
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公开(公告)号：CN118748547A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410969019.0
申请日：2024-07-18
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请涉及滤波器芯片技术领域，具体公开了一种异构集成滤波器及集成芯片，包括至少两个堆叠设置的体声波谐振器以及至少一个用于布置LC滤波电路的电路布置层；所述电路布置层位于相邻两个所述体声波谐振器之间；和/或，所述电路布置层位于所述体声波谐振器外侧；所述LC滤波电路与邻接的所述体声波谐振器电连接，使得电信号依次经过LC滤波电路与体声波谐振器实现滤波处理。本申请通过层叠设置能够有效减小集成滤波器的布置面积，从而有效缩小集成芯片的器件面积。
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