-
公开(公告)号：CN117200741A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311191406.8
申请日：2023-09-14
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种体声波谐振组件及其制备方法，涉及通信技术领域，本申请的体声波谐振组件，包括衬底以及设置在衬底上的第一谐振组件和第二谐振组件，第一谐振组件和第二谐振组件之间形成互连区域，第一谐振组件包括依次设置于衬底上的第一底电极、第一压电层和第一顶电极，第二谐振组件包括依次设置于衬底上的第二底电极、第二压电层和第二顶电极，第一底电极和第二顶电极在互连区域连接，第二底电极和第一顶电极在互连区域连接。本申请提供的体声波谐振组件及其制备方法，能够在不增大体声波谐振组件的体积的基础上，提高反向并联的稳定性并减小损耗。
-
公开(公告)号：CN113810016B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111116758.8
申请日：2021-09-23
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请提供一种体声波谐振器和体声波滤波器，涉及滤波器技术领域，包括：基底以及设置于基底上的压电堆叠结构，压电堆叠结构包括依次层叠设置的底电极、压电材料层和顶电极，顶电极在基底上的正投影的轮廓包括至少一条阶数大于或等于2的贝塞尔曲线。如此，能够增加横向声波横向传播路径的长度，以此使得横向声波在传播过程中的损耗增大，从而减小横向声波对体声波谐振器带来的横向寄生模态的影响，即提高体声波谐振器对横向寄生模态的抑制效果，进而提高体声波滤波器的性能。
-
公开(公告)号：CN116318226A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310239559.9
申请日：2023-03-07
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种射频前端模组的构建方法和装置、以及射频前端模组，其中，该方法包括：构建包括初始信号处理器和目标射频开关的初始射频前端模组，其中，初始信号处理器在全频段上保持目标阻抗，初始信号处理器用于对射频信号进行信号处理，目标射频开关用于控制初始信号处理器与射频天线之间射频信号的通断；确定初始信号处理器中的待调节器件参数；调节待调节器件参数，得到包括目标信号处理器和目标射频开关的目标射频前端模组。通过本申请，解决了射频前端模组的体积较大的问题，进而达到了减小射频前端模组的体积的效果。
-
公开(公告)号：CN116318226B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202310239559.9
申请日：2023-03-07
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种射频前端模组的构建方法和装置、以及射频前端模组，其中，该方法包括：构建包括初始信号处理器和目标射频开关的初始射频前端模组，其中，初始信号处理器在全频段上保持目标阻抗，初始信号处理器用于对射频信号进行信号处理，目标射频开关用于控制初始信号处理器与射频天线之间射频信号的通断；确定初始信号处理器中的待调节器件参数；调节待调节器件参数，得到包括目标信号处理器和目标射频开关的目标射频前端模组。通过本申请，解决了射频前端模组的体积较大的问题，进而达到了减小射频前端模组的体积的效果。
-
公开(公告)号：CN117728787A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311812858.3
申请日：2023-12-26
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，本申请的体声波谐振器，包括衬底以及依次设置于衬底上的绝缘层和压电层，压电层的上表面和下表面上分别设置第一叉指电极和第二叉指电极，第一叉指电极和第二叉指电极在衬底上的投影重叠，且第一叉指电极的正极和第二叉指电极的正极对应重叠，第一叉指电极的负极与第二叉指电极的负极对应重叠，第二叉指电极的正极与第一叉指电极的正极连接，第二叉指电极的负极与第一叉指电极的负极连接。本申请提供的体声波谐振器及其制备方法，能够在不改变叉指电极结构的基础上减少声波的杂散模态。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117595820A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311768421.4
申请日：2023-12-19
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: H03H9/02 , H03H9/13 , H03H9/17 , H03H3/08 , H10N30/082
Abstract: 本申请提供一种声表面波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，通过倾斜凹槽会使原本的声表面波更深入压电层中，形成类体波的模态。这种倾斜的凹槽的存在会使声波在厚度方向产生共振，与声表面波耦合，通过这种方式增强谐振器中心孔径处的共振，提升谐振器的品质因数。
-
公开(公告)号：CN114584103B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210235815.2
申请日：2022-03-11
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 一种横向激励体声波谐振器及滤波器，涉及谐振器技术领域。该横向激励体声波谐振器包括衬底、位于衬底上的压电层和分别位于压电层上的上叉指电极层、横向反射结构和纵向反射结构；横向反射结构包括沿第一方向排布于上叉指电极层两侧的两第一反射条，纵向反射结构包括沿第二方向排布于上叉指电极层两侧的两第二反射条，第二方向与第一方向垂直且与衬底和压电层的层叠方向垂直；第一反射条沿第一方向和第二反射条沿第二方向的宽度分别大于上叉指电极层的各子电极沿第一方向的宽度，且第一反射条和第二反射条在压电层上的高度分别大于上叉指电极层在压电层上的高度。该横向激励体声波谐振器能提高其机械品质因数。
-
公开(公告)号：CN116055968A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310244911.8
申请日：2023-03-14
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: H04R17/00
Abstract: 一种压电扬声器及其制备方法、电子设备，涉及扬声器技术领域。该扬声器包括衬底、设于衬底相对两面的第一振膜和第二振膜、设于第一振膜上的第一有源发声区、设于第二振膜上的第二有源发声区以及两端分别与第一振膜和第二振膜连接的驱动推杆；第一有源发声区和第二有源发声区均包括层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；第一电极层、压电层、第二电极层和声腔在衬底上的正投影的重合区域形成发声有源区；第一振膜具有围绕发声有源区设置的第一褶皱结构，第一褶皱结构通过在第一振膜的相对两个表面分别凹设第一凹槽得到，且所述第一振膜的相对两个表面的第一凹槽呈交错设置。该压电扬声器能够提高发声声压级、工作相对带宽。
-
公开(公告)号：CN115412048A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211073917.5
申请日：2022-09-02
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，该薄膜体声波谐振器包括衬底以及依次设置于衬底上的底电极层、压电层和顶电极层，其中，压电层上设置有凹槽，底电极层和顶电极层分别通过图案化形成底电极图案和顶电极图案，底电极图案、压电层和顶电极图案在层叠方向上的交叠区域作为谐振区域，凹槽环绕于谐振区域的外缘。该薄膜体声波谐振器及其制备方法能够在加工精度要求较低的情况下，有效提高谐振器的Q值。
-
公开(公告)号：CN114723110A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210298008.5
申请日：2022-03-24
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种体声波滤波器自动布局系统和设备，能够满足实际体声波滤波器的布局要求。本申请包括：图形处理模块和圆形容器布局模块连接，圆形容器布局模块与布局压缩模块连接；图形处理模块用于在每一个体声波谐振器的外部构建外接圆，并根据结构参数在外接圆的外部构建圆形容器；圆形容器布局模块用于接收图形处理模块发送的圆形容器的信息，使用贪心遗传算法生成大量候选圆形容器布局，对候选圆形容器布局进行评估和排序，输出最优圆形容器布局；布局压缩模块用于接收圆形容器布局模块发送的最优容器布局结果，使用压缩遗传算法生成大量候选压缩布局，对候选压缩布局进行评估和排序，输出最优压缩布局，从而生成体声波滤波器的布局。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.039 seconds)
