公开(公告)号：CN118431316B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410897100.2

申请日：2024-07-05

Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司

Inventor： 古立亮 ,  魏丹清 ,  罗清威

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有相背的第一表面和第二表面；用于形成光电二极管的第一离子掺杂区，从所述衬底的第一表面延伸至所述衬底中；第二离子掺杂区，从所述衬底的第二表面延伸至所述衬底中，所述第二离子掺杂区包含至少两层离子注入区，在从所述第二表面朝向所述第一表面的方向上各层所述离子注入区的离子掺杂浓度逐层减小。本发明的技术方案能够提高器件的光子探测效率以及暗计数的均匀性等性能。

公开(公告)号：CN118732098A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410764820.1

申请日：2024-06-13

Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司

Inventor： 吴聪 ,  李得源 ,  古立亮 ,  谢岩 ,  魏丹清

IPC: G02B3/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明提供了一种光学器件及其制造方法，在基底结构上形成第一介质层，通过图案化去除部分所述第一介质层以在所述第一介质层内形成开口，所述开口将所述第一介质层划分出至少一个第一子介质层，圆角化所述第一子介质层以形成微透镜，由此，所述微透镜可以在芯片厂同时制造完成，无需另外转移至专门的微透镜厂，从而可以提高生产效率，缩短生产周期。相应的，所形成的光学器件具有通过半导体工艺形成的微透镜，所述微透镜的致密性和均匀性更高，从而也能得到更高的光学效率。

公开(公告)号：CN118431316A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410897100.2

申请日：2024-07-05

Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司

Inventor： 古立亮 ,  魏丹清 ,  罗清威

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有相背的第一表面和第二表面；用于形成光电二极管的第一离子掺杂区，从所述衬底的第一表面延伸至所述衬底中；第二离子掺杂区，从所述衬底的第二表面延伸至所述衬底中，所述第二离子掺杂区包含至少两层离子注入区，在从所述第二表面朝向所述第一表面的方向上各层所述离子注入区的离子掺杂浓度逐层减小。本发明的技术方案能够提高器件的光子探测效率以及暗计数的均匀性等性能。