-
公开(公告)号：CN118874932B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411187198.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法，包括将喷淋头放置于含有甲缩醛、双氧水、丙酮清洗液中浸泡、氧气等离子清洗、氮气等离子清洗、超微纳米气泡工艺清洗、纯水超声处理等步骤。本发明采用化学等离子结合超微纳米气泡工艺的方式，对半导体化学气相沉积设备进行清洗。这种方法能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，有效去除表面和孔洞的污染物，提高清洗效果和产品质量；本发明方法不仅能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，同时，因为不涉及酸碱化学品，因此对母材的损伤较小，这一优势将大大提高半导体制造设备的清洗效率和质量，从而提高半导体产品的整体性能和使用寿命。
-
公开(公告)号：CN119633616A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411926703.7
申请日：2024-12-25
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及反渗透技术领域，公开了一种半导体清洗后的纯化水用反渗透膜。本发明中的反渗透膜由基层、支撑层和功能层组成，基层为无纺布、支撑层为复合聚砜膜层、功能层为复合聚酰胺膜层；复合聚砜膜层和复合聚酰胺膜层中引入的NH2‑MIL‑125@MXene QDs纳米材料不仅其提高水通量的作用，还能对进入膜层的金属离子进行吸附，进一步提高对金属离子的去除率，并且具有抗菌性能，提高了膜层的抗污染性能；复合聚酰胺膜层中还引入了PVA/CS复合材料，提高了膜层对溶液中杂质的去除率，还提高了膜层的亲水性，进而提高了水通量和抗污染性能。
-
公开(公告)号：CN119050022A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411556745.6
申请日：2024-11-04
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件表面清洗方法和系统，包括：将经过初步去除大颗粒污染物处理的半导体器件放置于清洗平台的卡座上；传感器模块采集并获取所述半导体器件的第一清洗数据，拍摄模块获取所述半导体器件的第二清洗数据；对所述第二清洗数据进行第一分析处理，识别污染物数据；将第一清洗数据和污染物数据形成数据集；对所述数据集进行第二分析处理，计算实际清洗路径；基于所述实际清洗路径，采用纯水清洗液进行清洗；纯水清洗完成后，使用氮气进行吹干清洗；本发明能够提高半导体器件表面清洗效率和清洗效果、有效降低清洗成本、进一步提升清洗过程的精准性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN118874932A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411187198.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法，包括将喷淋头放置于含有甲缩醛、双氧水、丙酮清洗液中浸泡、氧气等离子清洗、氮气等离子清洗、超微纳米气泡工艺清洗、纯水超声处理等步骤。本发明采用化学等离子结合超微纳米气泡工艺的方式，对半导体化学气相沉积设备进行清洗。这种方法能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，有效去除表面和孔洞的污染物，提高清洗效果和产品质量；本发明方法不仅能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，同时，因为不涉及酸碱化学品，因此对母材的损伤较小，这一优势将大大提高半导体制造设备的清洗效率和质量，从而提高半导体产品的整体性能和使用寿命。
-
公开(公告)号：CN119050022B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411556745.6
申请日：2024-11-04
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件表面清洗方法和系统，包括：将经过初步去除大颗粒污染物处理的半导体器件放置于清洗平台的卡座上；传感器模块采集并获取所述半导体器件的第一清洗数据，拍摄模块获取所述半导体器件的第二清洗数据；对所述第二清洗数据进行第一分析处理，识别污染物数据；将第一清洗数据和污染物数据形成数据集；对所述数据集进行第二分析处理，计算实际清洗路径；基于所述实际清洗路径，采用纯水清洗液进行清洗；纯水清洗完成后，使用氮气进行吹干清洗；本发明能够提高半导体器件表面清洗效率和清洗效果、有效降低清洗成本、进一步提升清洗过程的精准性和可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119028795B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411357433.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种上电极的清洗方法，属于半导体制造技术领域，包括上电极激光清洗步骤：在第一功率下，利用激光束对上电极表面进行激光清洗；氧气等离子清洗：在第二功率下，通入含有氧气的第一混合气体，对表面残留污染物进行氧化生成无害气体；氮气等离子清洗步骤：在第三功率下，通入含有氮气的第二混合气体，去除部件表面残留惰性污染物；二氧化碳干冰工艺清洗步骤；纯水超声步骤，然后吹干；烘干冷却步骤：纯水超声步骤处理后进行烘干、冷却，得清洗后的上电极。本发明刻蚀腔上电极的非接触式清洗方法，通过非接触式清洗步骤和降低环境造成污染，同时降低对母材和环境和人体的潜在危害。
-
公开(公告)号：CN119822445A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510003970.5
申请日：2025-01-02
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
IPC: C02F1/28 , C02F1/44 , C02F103/04
Abstract: 本发明涉及废水加工技术领域，并公开了一种基于离子吸附结构的超纯水回用循环系统，包括放置部，所述放置部包括罐体，所述罐体的底部固定连接有支撑架；搅拌部，所述搅拌部包括连接轴，所述连接轴的外端与罐体内部转动连接。该基于离子吸附结构的超纯水回用循环系统，能够有效地解决现有技术中半导体零件清洁处理后的纯水中含有大量阳离子，需要通过吸附罐中的胶体进行吸附，胶体介质依赖于流体的自然流动与被污染后的纯水进行接触，会在罐体内产生局部浓度不同的现象，无法均匀地在吸附罐内分布，吸附过程不均匀，部分胶体颗粒未能有效被吸附，整体吸附效率低下，降低了处理效果，影响后续废水回收利用的问题。
-
公开(公告)号：CN119028795A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411357433.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种上电极的清洗方法，属于半导体制造技术领域，包括上电极激光清洗步骤：在第一功率下，利用激光束对上电极表面进行激光清洗；氧气等离子清洗：在第二功率下，通入含有氧气的第一混合气体，对表面残留污染物进行氧化生成无害气体；氮气等离子清洗步骤：在第三功率下，通入含有氮气的第二混合气体，去除部件表面残留惰性污染物；二氧化碳干冰工艺清洗步骤；纯水超声步骤，然后吹干；烘干冷却步骤：纯水超声步骤处理后进行烘干、冷却，得清洗后的上电极。本发明刻蚀腔上电极的非接触式清洗方法，通过非接触式清洗步骤和降低环境造成污染，同时降低对母材和环境和人体的潜在危害。
-
公开(公告)号：CN119710529A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411761394.2
申请日：2024-12-03
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
IPC: C23C4/134
Abstract: 本发明公开了一种纳、微米粉末送粉器，包括粉桶、粉桶盖板以及粉桶底板，所述粉桶盖板与粉桶底板分别通过多个组装螺栓可拆卸的安装在粉桶的上、下端，所述粉桶的侧壁上轴向排列设置有两个固定卡扣；所述粉桶盖板上开设有两个通孔，其中一个通孔外螺纹连接有进气接口；另一个所述通孔外螺纹连接有出粉接头，所述出粉管的另一端与等离子喷枪相接通，从而对离子喷枪定量输送粉末；所述粉桶的侧壁垂直安装有第一震荡子，且所述粉桶底板的下端面同轴安装有第二震荡子；所述粉桶底板上还设置有螺旋送气单元，所述粉桶底板的侧壁上设有气体进口，所述气体进口与所述螺旋送气单元相接通，用于对螺旋送气单元输送干燥气体。
-
公开(公告)号：CN222753897U
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202420825042.8
申请日：2024-04-20
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种清洗溢流制具，涉及清洗溢流制具领域。一种清洗溢流制具，包括清洗溢流壳体和密封顶盖，所述密封顶盖的底部位于清洗溢流壳体的顶部，所述清洗溢流壳体表面的顶部固定连接有环形延边，所述环形延边的顶部开设有第一环形密封槽，所述第一环形密封槽的内腔设置有第一密封圈，所述清洗溢流壳体的底部固定连接有排水底壳，所述排水底壳表面的四周开设有排水通口。本实用新型提供一种清洗溢流制具，首先将待清洗工件摆放在圆环隔离板上，并使待清洗工件嵌入第二密封圈与第三密封圈之间，再通过固定丝和连接丝孔将密封顶盖与环形延边上方进行连接，此时密封顶盖下方与清洗溢流壳体上的第一密封圈接触。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.075 seconds)
