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公开(公告)号：CN118874932B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411187198.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法，包括将喷淋头放置于含有甲缩醛、双氧水、丙酮清洗液中浸泡、氧气等离子清洗、氮气等离子清洗、超微纳米气泡工艺清洗、纯水超声处理等步骤。本发明采用化学等离子结合超微纳米气泡工艺的方式，对半导体化学气相沉积设备进行清洗。这种方法能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，有效去除表面和孔洞的污染物，提高清洗效果和产品质量；本发明方法不仅能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，同时，因为不涉及酸碱化学品，因此对母材的损伤较小，这一优势将大大提高半导体制造设备的清洗效率和质量，从而提高半导体产品的整体性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN115985822A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310275057.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , G06T7/00 , G06T3/40 , G01N27/06 , G01N27/626
Abstract: 本发明公开了一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，包括识别模块、分配模块、多个检测模块、预测模块、提醒模块、显示模块、多个酸液槽设有酸液，多个检测模块对多个酸液槽内酸液的导电率进行检测，识别模块对待清洗产品的类型进行识别，分配模块按照类型为待清洗产品分配的酸液槽，预测模块根据导电率预估换酸时间；在预设时间段内提醒电感耦合等离子体质谱仪ICP‑MS测试酸液中的所有金属元素含量，测试结果超过清洗限度值阈值时需更换酸液；能够提高酸液的利用程度，有利于对多个酸液槽进行时间同步管理，降低检测成本，提高控制的智能化程度。
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公开(公告)号：CN118874932A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411187198.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法，包括将喷淋头放置于含有甲缩醛、双氧水、丙酮清洗液中浸泡、氧气等离子清洗、氮气等离子清洗、超微纳米气泡工艺清洗、纯水超声处理等步骤。本发明采用化学等离子结合超微纳米气泡工艺的方式，对半导体化学气相沉积设备进行清洗。这种方法能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，有效去除表面和孔洞的污染物，提高清洗效果和产品质量；本发明方法不仅能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗，同时，因为不涉及酸碱化学品，因此对母材的损伤较小，这一优势将大大提高半导体制造设备的清洗效率和质量，从而提高半导体产品的整体性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN115828574B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202211503716.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子喷涂参数确定方法，属于计算机技术领域，其中所述方法包括使用多阶段依次确定并优化喷涂参数，通过本发明使得对等离子喷涂参数数据试验找到最优的参数的同时通过减少刻蚀速率的测试次数来降低等离子体刻蚀工艺的腐蚀影响程度，保证试验质量，避免遗漏重要影响因素，弥补了传统正交实验的短板只局限于因子水平的最佳组合，为一个范围较大的区间，并不能真正找到设备的最佳参数的问题。
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公开(公告)号：CN115828574A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211503716.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子喷涂参数确定方法，属于计算机技术领域，其中所述方法包括使用多阶段依次确定并优化喷涂参数，通过本发明使得对等离子喷涂参数数据试验找到最优的参数的同时通过减少刻蚀速率的测试次数来降低等离子体刻蚀工艺的腐蚀影响程度，保证试验质量，避免遗漏重要影响因素，弥补了传统正交实验的短板只局限于因子水平的最佳组合，为一个范围较大的区间，并不能真正找到设备的最佳参数的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119710529A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411761394.2
申请日：2024-12-03
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
IPC: C23C4/134
Abstract: 本发明公开了一种纳、微米粉末送粉器，包括粉桶、粉桶盖板以及粉桶底板，所述粉桶盖板与粉桶底板分别通过多个组装螺栓可拆卸的安装在粉桶的上、下端，所述粉桶的侧壁上轴向排列设置有两个固定卡扣；所述粉桶盖板上开设有两个通孔，其中一个通孔外螺纹连接有进气接口；另一个所述通孔外螺纹连接有出粉接头，所述出粉管的另一端与等离子喷枪相接通，从而对离子喷枪定量输送粉末；所述粉桶的侧壁垂直安装有第一震荡子，且所述粉桶底板的下端面同轴安装有第二震荡子；所述粉桶底板上还设置有螺旋送气单元，所述粉桶底板的侧壁上设有气体进口，所述气体进口与所述螺旋送气单元相接通，用于对螺旋送气单元输送干燥气体。
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公开(公告)号：CN115985822B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310275057.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , G06T7/00 , G06T3/40 , G01N27/06 , G01N27/626
Abstract: 本发明公开了一种集成电路芯片高精密表面质量控制系统，包括识别模块、分配模块、多个检测模块、预测模块、提醒模块、显示模块、多个酸液槽设有酸液，多个检测模块对多个酸液槽内酸液的导电率进行检测，识别模块对待清洗产品的类型进行识别，分配模块按照类型为待清洗产品分配的酸液槽，预测模块根据导电率预估换酸时间；在预设时间段内提醒电感耦合等离子体质谱仪ICP‑MS测试酸液中的所有金属元素含量，测试结果超过清洗限度值阈值时需更换酸液；能够提高酸液的利用程度，有利于对多个酸液槽进行时间同步管理，降低检测成本，提高控制的智能化程度。
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公开(公告)号：CN115747702A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211435910.3
申请日：2022-11-16
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强涂层与基材表面结合强度的方法，将YF3、不含氟的钇化合物粉末和WO3粉末的混合物在行星式快速球磨机中球磨后得到混合粉末；将混合粉末用等离子喷涂技术喷涂于经预处理的基材表面。本发明的方法所得的涂层组织结构和组成成分上更加均匀，减少了晶界、位错等容易引起局部快速腐蚀的通道，具有极高的强度、韧性和更加优异的耐磨耐腐蚀性能。在高功率等离子侵袭下，具有比单纯的YF3涂层更好的耐等离子刻蚀性能。涂层与基材之间的结合更强，Peeling的风险大大降低，气孔率不足1.5％不容易发生Particle异常现象。
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公开(公告)号：CN218525548U
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202222319127.2
申请日：2022-09-01
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型属于石英产品清洗技术领域领域，提供了一种用于除去石英罩表面金属离子的超纯水溢流装置，包括水槽、带孔平台、平台支撑和溢流管道；所述带孔平台设置在水槽内部，以使得水槽内部在带孔平台上侧形成蓄水腔；所述平台支撑设置在带孔平台下表面并与水槽内壁紧配，所述平台支撑中设置暂存空间，所述暂存空间通过带孔平台与蓄水腔相通；其中，所述带孔平台中部向上形成溢流凸起，以使得溢流凸起与石英罩之间形成溢流空间；所述溢流凸起顶部中间设置有溢流口，所述溢流管道从水槽底部向上穿过平台支撑与溢流口相连。本实用新型能够同时去除石英罩内外表面的金属离子，节省超纯水的使用量，避免浪费。
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公开(公告)号：CN218776375U
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202222319180.2
申请日：2022-09-01
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
IPC: B24B37/27
Abstract: 本实用新型公开了一种陶瓷涂层试片自动研磨装置的试片夹具，包括加工台，加工台上端一侧固定连接打磨设备，加工台上端靠近打磨设备一侧固定连接气缸，气缸输出端固定连接安装板，加工台上端远离打磨设备一侧安装有机械夹爪，加工台一侧设有支撑台，本实用新型的有益效果是：通过设置的限位机构带动转环转动，使转环的限位板对陶瓷涂层试片进行固定，并且可根据陶瓷涂层试片的规格继续转动转环，使限位板能够根据陶瓷涂层试片的规格调整，可对不同规格的陶瓷涂层试片进行夹持，避免了更换夹具的麻烦，提高了加工效率，并且设置的气缸结构，可带动陶瓷涂层试片上升调节，方便根据需求调整打磨设备与陶瓷涂层试片的距离。
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