一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法

    公开(公告)号:CN118874932B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411187198.9

    申请日:2024-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法,包括将喷淋头放置于含有甲缩醛、双氧水、丙酮清洗液中浸泡、氧气等离子清洗、氮气等离子清洗、超微纳米气泡工艺清洗、纯水超声处理等步骤。本发明采用化学等离子结合超微纳米气泡工艺的方式,对半导体化学气相沉积设备进行清洗。这种方法能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗,有效去除表面和孔洞的污染物,提高清洗效果和产品质量;本发明方法不仅能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗,同时,因为不涉及酸碱化学品,因此对母材的损伤较小,这一优势将大大提高半导体制造设备的清洗效率和质量,从而提高半导体产品的整体性能和使用寿命。

    一种悬浮液等离子喷涂浆料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118086815A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410143752.7

    申请日:2024-02-01

    Abstract: 本发明公开了一种悬浮液等离子喷涂浆料及其制备方法与应用,涉及耐等离子刻蚀陶瓷涂层领域。方法包括以下步骤:S1、对基体进行前处理;S2、对前处理后的基体进行热处理;S3、将预处理后的喷涂浆料用APS喷涂到S2处理后的基体表面;S4、将预处理后的喷涂浆料用SPS喷涂到S3所得涂层表面;其中,S4中预处理后的喷涂浆料,预处理方法包括:将喷涂浆料搅拌升温至173‑190℃,保持10‑30min,继续升温至220‑240℃,保持10‑30min。本发明通过对基体表面、喷涂浆料以及涂层进行多步特定预处理或热处理步骤,进一步提升了氧化钇涂层的结合强度,降低了孔隙率和表面粗糙度,所得涂层各项性能优越。

    一种等离子喷涂图像数据识别分析方法和系统

    公开(公告)号:CN115829963A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211503717.9

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种等离子喷涂图像数据识别分析方法和系统,用于生成待喷涂产品的算法模板,包括图像采集模块,图像分析模块,图像空间处理模块,算法处理模块,算法模板数据库,数据存储器,算法输出端口。当算法模板数据库中没有待喷涂产品的算法模板,所述算法处理模块基于三维模型、约束条件和预设策略生成待喷涂产品的喷涂算法,并保存为待喷涂产品的几何构型对应的算法模板。通过对等离子喷涂图像数据的识别和分析,分析后规划输出的数据,准确度高,喷涂作业的路径规划更加准确,降低了生产的错误喷涂率,提高了整体喷涂效率和喷涂质量;同时图像识别准确度高,大大提高了工作效率,降低了人工作业的成本。

    一种用于半导体光刻胶的清洗方法

    公开(公告)号:CN113970880A

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202111391021.7

    申请日:2021-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种用于半导体光刻胶的清洗方法,第一步:拆卸机台涂胶部件,在光刻胶周边区域铺上防渗漏高分子材料;第二步:将光刻胶剥离液倒入防渗漏材料圈起范围内以浸润光刻胶,软化表面;第三步:将表面软化的光刻胶去除;第四步:继续软化胶体;第五步:再次将软化的下层光刻胶去除;第六步:使用十六烷基二甲基苄基铵溶液将最底层的光刻胶浸泡擦除;第七步:使用超纯水去除残留化学品;第八步:使用高纯氮气吹扫整个热板部件。本发明主要解决热板上的残留光刻胶的清洗,可将涂胶部件从设备机台拆卸下来,针对涂胶部件上热板区域局部的光刻胶采取化学品浸泡。而无需将氧化铝陶瓷热板完全从涂胶部件拆卸,增加热板部件安装错误的风险。

    一种异形零部件激光自动清洗轨迹规划方法及系统

    公开(公告)号:CN119819652A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510154376.6

    申请日:2025-02-12

    Abstract: 本发明提供一种异形零部件激光自动清洗轨迹规划方法及系统,涉及机器人控制领域,方法包括:对异形零部件进行视觉扫描;根据零部件三维模型的表面上的点云坐标,以减少机械臂的运行时间、能耗、冲击以及加速度为目标,进行清洗轨迹规划;对确定的清洗轨迹上的轨迹点进行干扰检测并消除干扰;通过机械臂运动学模型,将清洗轨迹上的轨迹点坐标转换为机械臂各关节的旋转角度;以减少机械臂末端与清洗轨迹上的轨迹点之间的差异为目标,使用雅可比矩阵结合迭代求解,对机械臂各关节的旋转角度进行优化;按照清洗轨迹上的轨迹点与机械臂各关节的旋转角度之间的映射关系,控制机械臂移动,并使用激光进行异形零部件的自动清洗。

    一种悬浮液等离子喷涂浆料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118086815B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202410143752.7

    申请日:2024-02-01

    Abstract: 本发明公开了一种悬浮液等离子喷涂浆料及其制备方法与应用,涉及耐等离子刻蚀陶瓷涂层领域。方法包括以下步骤:S1、对基体进行前处理;S2、对前处理后的基体进行热处理;S3、将预处理后的喷涂浆料用APS喷涂到S2处理后的基体表面;S4、将预处理后的喷涂浆料用SPS喷涂到S3所得涂层表面;其中,S4中预处理后的喷涂浆料,预处理方法包括:将喷涂浆料搅拌升温至173‑190℃,保持10‑30min,继续升温至220‑240℃,保持10‑30min。本发明通过对基体表面、喷涂浆料以及涂层进行多步特定预处理或热处理步骤,进一步提升了氧化钇涂层的结合强度,降低了孔隙率和表面粗糙度,所得涂层各项性能优越。

    一种上电极的清洗方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119028795A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411357433.2

    申请日:2024-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种上电极的清洗方法,属于半导体制造技术领域,包括上电极激光清洗步骤:在第一功率下,利用激光束对上电极表面进行激光清洗;氧气等离子清洗:在第二功率下,通入含有氧气的第一混合气体,对表面残留污染物进行氧化生成无害气体;氮气等离子清洗步骤:在第三功率下,通入含有氮气的第二混合气体,去除部件表面残留惰性污染物;二氧化碳干冰工艺清洗步骤;纯水超声步骤,然后吹干;烘干冷却步骤:纯水超声步骤处理后进行烘干、冷却,得清洗后的上电极。本发明刻蚀腔上电极的非接触式清洗方法,通过非接触式清洗步骤和降低环境造成污染,同时降低对母材和环境和人体的潜在危害。

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