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公开(公告)号：CN117415091A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310623786.1
申请日：2023-05-30
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备真空腔体静电吸盘清洗方法，包括以下步骤：对静电吸盘表面及孔洞内部进行吹扫；对静电吸盘反复擦拭；检查静电吸盘表面侧面背面及孔道内部；测量孔道的孔径；对静电吸盘进行一次化学清洗；对静电吸盘进行二次化学清洗；对静电吸盘表面及孔洞内部进行吹扫；用纯水对静电吸盘表面进行冲洗，并用洁净海绵进行擦拭；将纯水冲入气流孔和提拉孔内，反复冲洗三次；进行吹干处理；对产品进行加热干燥处理；对产品进行最终检查。该方法使用稳定性较好、不仅对产品母材没有腐蚀，而且整个清洗过程可去除产品表面残留的微量金属离子，达到完全清洁的作用，满足28nm制程的静电吸盘清洗工艺。
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公开(公告)号：CN117324291A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311168545.9
申请日：2023-09-11
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种关于CVD Shower Head部件的清洗方法，属于半导体零部件清洗技术领域。该清洗方法包括：吹扫；异丙醇溶液中浸泡；清洗液浸泡；KOH水溶液浸泡；酸液浸泡；超声处理；烘干等操作。该方法可以有效去除产品表面及孔洞内部的污染物，并且可以有效控制产品表面金属离子浓度，并且有效保持产品的紧密度，清洗过程中对产品母材造成的损伤很小，还可以及时检测出产品状态，使产品可循环使用次数增多。
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公开(公告)号：CN117324291B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202311168545.9
申请日：2023-09-11
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种关于CVD Shower Head部件的清洗方法，属于半导体零部件清洗技术领域。该清洗方法包括：吹扫；异丙醇溶液中浸泡；清洗液浸泡；KOH水溶液浸泡；酸液浸泡；超声处理；烘干等操作。该方法可以有效去除产品表面及孔洞内部的污染物，并且可以有效控制产品表面金属离子浓度，并且有效保持产品的紧密度，清洗过程中对产品母材造成的损伤很小，还可以及时检测出产品状态，使产品可循环使用次数增多。
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公开(公告)号：CN115828574B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202211503716.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子喷涂参数确定方法，属于计算机技术领域，其中所述方法包括使用多阶段依次确定并优化喷涂参数，通过本发明使得对等离子喷涂参数数据试验找到最优的参数的同时通过减少刻蚀速率的测试次数来降低等离子体刻蚀工艺的腐蚀影响程度，保证试验质量，避免遗漏重要影响因素，弥补了传统正交实验的短板只局限于因子水平的最佳组合，为一个范围较大的区间，并不能真正找到设备的最佳参数的问题。
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公开(公告)号：CN115828574A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211503716.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子喷涂参数确定方法，属于计算机技术领域，其中所述方法包括使用多阶段依次确定并优化喷涂参数，通过本发明使得对等离子喷涂参数数据试验找到最优的参数的同时通过减少刻蚀速率的测试次数来降低等离子体刻蚀工艺的腐蚀影响程度，保证试验质量，避免遗漏重要影响因素，弥补了传统正交实验的短板只局限于因子水平的最佳组合，为一个范围较大的区间，并不能真正找到设备的最佳参数的问题。
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