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公开(公告)号：CN110331427B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910497409.1
申请日：2019-06-10
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硅‑银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅‑银纳米枝晶结构。本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅‑银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。
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公开(公告)号：CN110294454A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910429434.6
申请日：2019-05-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种高深宽比中阻P型宏孔硅结构及其快速制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择中阻P型硅片；制备样品：在P型硅片上设置铝膜，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液包括氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF，所述氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF按1:1的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到高深宽比中阻P型宏孔硅结构；可以保证在高的腐蚀速率下制备具有高深宽比值的宏孔硅结构，且所制备的宏孔硅结构形貌规则，孔壁光滑，壁厚均匀，无明显分叉现象。
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公开(公告)号：CN110331427A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910497409.1
申请日：2019-06-10
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硅-银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅-银纳米枝晶结构。本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅-银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。
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公开(公告)号：CN110240118A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910429927.X
申请日：2019-05-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种孔隙率较高的中阻P型多孔硅薄膜及其快速制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择中阻P型硅片；制备样品：在P型硅片上设置铝膜，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液包括氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF，所述氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF按4:3的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到高深宽比中阻P型宏孔硅结构；可以保证在高的刻蚀速率下快速制备出适合MEMS器件应用的空隙率较高的中阻P型多孔硅薄膜，且所制备的多孔硅薄膜形貌规则，结构均匀。
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