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公开(公告)号：CN109487315B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811103628.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种结合碳黑薄膜的多孔材料、其应用及其制备方法，利用纳米管道上碳黑强化海水、盐湖卤水等含盐水体脱盐，属于海洋和化工以及环境领域。用阳极氧化法在基片表面形成纳米级的直孔结构，接着使用物理气相沉积方法在直孔表面上沉积碳黑材料；或者在直孔结构上先沉积金属薄膜，再沉积碳黑材料。然后将制成的复合材料漂浮在海水等含盐水体表面上，太阳照射在纳米涂黑的直孔结构上，强化海水或其他咸水的蒸发，从而达到高效海水或其他咸水淡化工艺。
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公开(公告)号：CN112899789A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110071420.9
申请日：2021-01-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种采用电化学法预处理单晶硅片表面的制绒方法，将去损伤层后的单晶硅片浸渍于电解液溶液中，以单晶硅片为阳极，石墨或不锈钢为阴极，在阳极硅片和阴极之间加直流电压，阳极硅片为电压正极，对电极的阴极为电压负极，对硅片表面进行电化学预处理，然后将单晶硅片放入制绒液中进行制绒，得到金字塔结构的绒面。本发明可以使硅片绒面金字塔生长时间缩短，金字塔大小分布更加均匀，从而得到均匀细密的优质绒面。本发明采用低压电解方法，工艺投资低，能耗小，符合现阶段光伏发电高效低成本化的要求。本发明采用低压电解方法，反应条件温和，常温下即可进行，对人体和环境无危害，结构简单，操作方便，易于控制。
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公开(公告)号：CN110331427A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910497409.1
申请日：2019-06-10
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硅-银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅-银纳米枝晶结构。本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅-银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。
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公开(公告)号：CN105926026A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610247114.5
申请日：2016-04-19
Applicant: 宁波工程学院
CPC classification number: C25F3/12 , B82Y40/00 , C25D11/024 , C25D11/32
Abstract: 本发明涉及一种高定向SiC纳米阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。该制备方法是以SiC基体为阳极，置于阳极氧化腐蚀液中经阳极氧化制成。本发明通过阳极氧化法，实现了在常温常压的温和条件下对高定向SiC纳米阵列的制备。同时，通过对脉冲电压/电流周期和腐蚀时间的协同控制，辅以腐蚀过程中的电压/电流震荡，达到对纳米结构从上到下分级可控腐蚀，实现高定向SiC纳米阵列在形貌、密度和长径比等的调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103132121B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210505374.X
申请日：2012-11-30
Inventor： 林德幸 , 宫路恭祥 , 米原圣一 , 稻原隆光 , 米原隆夫 , 迈赫达德·穆斯利赫 , 苏布拉马尼安·塔米尔马尼 , 卡尔-约瑟夫·克拉默 , 杰伊·阿什贾伊
CPC classification number: C25D17/001 , C25D11/005 , C25D11/32 , C25D17/06 , C25D17/08 , C25D17/10 , H01L21/02002 , H01L21/67173 , H01L21/6723 , H01L21/67754 , H01L21/68707 , H01L29/06
Abstract: 一种阳极氧化装置，将基板浸渍在电解质溶液中来进行阳极氧化反应，具有：存积槽，其存积电解质溶液，保持部，其能够与各基板的周面以液密的状态接触并保持多个基板，移动机构，其使所述保持部在位于所述存积槽的外部的交接位置和位于所述存积槽的内部的处理位置之间移动，封闭部，其位于所述存积槽内，与所述保持部协同动作来对所述保持部所保持的多个所述基板的周面完成液密性的封闭；使保持有多个基板的所述保持部移动至所述处理位置，并且使所述封闭部动作，在使多个基板的周面处于液密的状态下进行氧化反应处理，在氧化反应处理结束之后，使所述封闭部不动作，并且使所述保持部从所述处理位置离开，以从所述存积槽搬出多个基板。
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公开(公告)号：CN1953868B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN200480028993.8
申请日：2004-08-31
Applicant: 奥林公司
CPC classification number: C23C22/40 , C25D3/565 , H05K3/282 , H05K3/385 , H05K2203/135 , Y10S428/901 , Y10S428/935 , Y10T428/12438 , Y10T428/12472 , Y10T428/12792 , Y10T428/1291 , Y10T428/12993 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及含水的防晦暗且促进粘合的处理组合物，其包括锌离子；选自钨离子、钼离子、钴离子、镍离子、锆离子、钛离子、锰离子、钒离子、铁离子、锡离子、铟离子、银离子、及其结合中的金属离子；和任选地，不含钾或钠离子的电解质；其中该处理组合物基本上不含铬，和其中该处理组合物能够在材料上形成涂层，其中该涂层增强聚合物对该材料的粘合。本发明还涉及用上述处理组合物涂布的材料，和使用上述组合物涂布材料的方法。
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公开(公告)号：CN101728249A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910238450.3
申请日：2009-11-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 用于硅片上外延化合物半导体材料过渡层单晶的制备方法。该方法是在硅片上先外延一层压缩应变的Si1-xGex(0＜x≤1)层，通过湿法的化学或电化学腐蚀将其制作成多孔结构的薄膜，在适当的氢气氛下退火，使得多孔结构层完全弛豫，并使表面的微孔闭合成为完全弛豫的Si1-xGex(0＜x≤1)准单晶层，在准单晶层上外延Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜，得到单晶过渡层。该单晶过渡层的晶格常数由薄膜中Ge的组分决定，除了适于外延生长结构与晶格常数相近的化合物半导体材料外，也适于外延生长应变Si，应变Si1-xGex，应变Ge或弛豫的Si1-xGex，弛豫的Ge薄膜。
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公开(公告)号：CN119800466A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411967904.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京理工大学深圳汽车研究院(电动车辆国家工程实验室深圳研究院)
IPC: C25D11/02 , C25D11/32 , H01M4/58 , H01M10/054
Abstract: 本申请公开了一种碲化锡材料的制备方法，包括：将阳极和阴极置于电解液中，并对阳极和阴极施加电压进行反应，得到碲化锡材料；其中，所述阳极含有锡，所述电解液包括氧化态的碲、体积比90％至99.5％的有机溶剂和体积比0.5％至10％的水。本申请的制备方法，操作简单、便捷、成本较低，且碲化锡材料是原位生长在电极上，无需额外的工序来将碲化锡材料沉积到电极材料上。
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公开(公告)号：CN119243207A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411350225.X
申请日：2024-09-26
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C25B11/053 , C25B11/075 , C23C16/27 , C25D11/32 , C25B11/083 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种高析氢电位低背景电流的纳米金刚石/石墨复合薄膜电极的制备方法，首先通过热丝化学气相沉积制备了纳米金刚石/石墨复合薄膜电极，然后对该复合薄膜电极进行电化学阳极氧化处理，最终得到具备高析氢电位低背景电流的纳米金刚石/石墨复合薄膜电极；本发明方法可增加复合薄膜电极中金刚石的含量并将氧元素接枝在纳米金刚石/石墨复合薄膜电极的表面上，进而在提高纳米金刚石/石墨复合薄膜电极的析氢电位的同时降低其背景电流，为新型纳米金刚石薄膜基复合电极的设计和制备提供了新的思路和方案。
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