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公开(公告)号：CN119935696A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510122408.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 , 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微波消解制备氮化硅瓷片电镜测试样品的方法，涉及电镜测试技术领域，包括以下操作步骤：S1：将氮化硅瓷片加入到稀硫酸溶液中，得到预制氮化硅瓷片；S2：将预制氮化硅瓷片进行微波消解后取出，用纯水清洗后烘干，得到氮化硅瓷片电镜测试样品；S3：将氮化硅瓷片电镜测试样品喷金后，用电镜观察晶粒生长情况。
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公开(公告)号：CN119114216B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411255108.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC: B02C17/10 , C01B21/068 , B02C17/18 , B02C17/20
Abstract: 本发明公开了一种高导热氮化硅浆料的制浆工艺，涉及浆料技术领域；包括以下操作步骤：步骤1：将氮化硅粉体、球磨介质混合，分散研磨；得到浆料粉体；步骤2：(1)将浆料粉体加入有机胶液中，得到混合浆料；(2)将混合浆料进行搅拌机溶胶处理，得到混合浆料A；(3)将混合浆料A进行溶胶球磨处理，200目过滤，得到高导热氮化硅浆料。
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公开(公告)号：CN114947225B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210777082.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种加热不燃烧电子烟陶瓷发热片及其制备方法，包括陶瓷底片、电阻浆料、保护釉、金属电极。本发明中通过创新性的工艺搭配，改变了发热层和陶瓷的结合原理，避免了多次的丝网印刷和隧道炉烧结，简化了工艺流程；同时因电阻层中未使用钯、钌、铂、金等贵金属以及常规的玻璃粉粘结相，大幅降低了生产成本；可将导电性能优良的金属镍、铜、金等镀至指定位置作为电极；可直接通过活性金属钎焊技术紧密结合在陶瓷基板上，该方法突破了用空气烧结耐氧化贵金属作为电阻层的设计思路，并省去了常规电阻层中的粘结相材料，为开发更多价格低廉的合金电阻体系提供了可能，对陶瓷发热材料的设计和制造具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115053996A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210845369.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于AMB工艺的电子烟加热片及其制备方法。首先，取铜片，贴膜、曝光、显影、蚀刻，得到铜电极。取氮化硅陶瓷板，在氮化硅陶瓷板长边上激光打孔，得到陶瓷基材。将主要成分为改性碳纳米管、双酚A环氧树脂制备而来的银焊料涂覆于陶瓷基材上，烘烤固化。将烘烤后的陶瓷基材和铜电极叠片，置于烧结治具上，将石墨压块通过烧结治具的定位导柱压覆于铜电极上，烧结，将制备得到的覆铜陶瓷板作为烧结后的电子烟加热片母版。在烧结后的电子烟加热片母版贴上感光膜，曝光、显影、铜蚀刻，去除多余铜，在除铜电极以外位置丝网印刷保护釉料，烧结，激光切割，得到电子烟加热片。
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公开(公告)号：CN115381144B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211030344.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC: A24F40/46 , A24F40/40 , A24F40/70 , H05B3/20 , C23C14/35 , C23C14/18 , C25D5/02 , C25D5/18 , C25D3/38 , C25D5/48 , C23C28/02 , B23K26/38 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种基于DPC工艺的电子烟加热片及其制备方法，通过引入DPC工艺中的磁控溅射、采用激光调阻法及自制保护膜，有效解决现有的电子烟加热片中加热膜层厚度不均、印刷线路不够精细等问题，从而解决了加热片发热不均匀的问题；在自制保护膜的制备中，苯甲酰甲酸甲酯为引发剂，二缩三丙二醇二丙烯酸酯为稀释剂，酚醛环氧树脂与脂肪族聚氨酯丙烯酸酯为预聚物，光伏晶硅废料为填料，制备一种耐高温易剥离的保护膜，大幅提升保护膜与铜面的结合力，同时兼具易剥离效果，得到高精度的电镀尺寸；在预聚物中加入酸酐修饰的壳聚糖；用光伏晶硅废料为原料，变废为宝，添加高导热氮化硼，通过冰模板法、高温烧结的方法构建三维的网络骨架，得到填料。
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公开(公告)号：CN114839212A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210484247.X
申请日：2022-05-06
Applicant: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷浆料混胶均匀性预检测方法。主要步骤为粘结剂分类，第一步溶胶，第二步溶胶，混胶，取样，测试。本发明具有预测陶瓷浆料混胶效果的作用。将相对分子质量较大的标定粉末先粘附在高分子量的粘结剂溶胶中，形成标定溶液，标定粉末为碎片状更有利于稳定的粘附在粘结剂上，最后将大分子量的胶和低分子量胶混合在一起，若胶体混合均匀则粉体分布均匀，若胶体混合不均，则粉体混合不均匀。
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公开(公告)号：CN117732122A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410134451.8
申请日：2024-01-31
Applicant: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及氮化硅陶瓷制备技术领域，具体的说是一种氮化硅陶瓷浆料脉冲脱泡装置以及方法，该装置，包括机架，所述机架上端安装罐体，所述罐体内部设置内筒，所述内筒外端设置螺旋加热棒，所述机架内部底端安装超声波发生器，所述内筒内部底端等距镶嵌多个探头，且探头与超声波发生器电连接，所述机架内部底端设置真空泵，所述真空泵的进口连通安装吸管，所述吸管另一端穿过机架并与罐体左端连通，所述罐体左端连通安装输料管，该设计实现采用阶梯式真空度脉冲脱泡作业，脱泡时间短，提升脱泡效率，使氮化硅陶瓷浆料的性能高，有效保证后续制备的坯体的质量。
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公开(公告)号：CN116216662B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310049031.5
申请日：2023-02-01
Applicant: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明涉及氮化硅粉体技术领域，具体为一种氮化硅粉体的合成方法；本发明所提供的氮化硅合成工艺首先使用了球磨处理，降低原料的粒径，去除表面氧化层，加速氮气的渗入速率，加速氮化反应，之后使用金属催化剂与熔融盐，在高温下吸附在硅粉表面，加速氮气的吸附，进一步地提高氮化速率，且本发明所使用的金属催化剂与熔融盐，均可溶于浓度为20‑30wt％的硝酸溶液，进一步地去除了杂质元素；之后本申请进一步地在其表面接枝氨基活性基团，生成活性自由基，从而接枝甲基丙烯酸甲酯，增加氮化硅的分散性能。
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公开(公告)号：CN119321994A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411390733.0
申请日：2024-10-08
Applicant: 上海富乐华半导体科技有限公司 , 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了基于取样测试的陶瓷浆料脱泡后粘度数据分析系统及方法，属于陶瓷浆料粘度数据分析技术领域，本发明基于取样测试的陶瓷浆料脱泡后粘度数据分析系统，该系统包括：浆料参数采集模块、曲线图模块、数据管理模块和反馈指控模块，所述浆料参数采集模块用于获取陶瓷浆料的粘度、固含量、密度数据和溶剂脱失量，所述数据管理模型负责存储和管理所有采集到的数据，所述曲线图模块基于采集到的数据进行粘度、固含量、密度和溶剂脱失量的拟合计算，生成相应的曲线图，并对浆料参数进行预测分析，所述反馈指控模块用于监控脱泡过程，本发明通过分析粘度、固含量、密度和溶剂脱失量的拟合，使得后续生产浆料无需进行浆料参数测试。
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公开(公告)号：CN115053996B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210845369.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于AMB工艺的电子烟加热片及其制备方法。首先，取铜片，贴膜、曝光、显影、蚀刻，得到铜电极。取氮化硅陶瓷板，在氮化硅陶瓷板长边上激光打孔，得到陶瓷基材。将主要成分为改性碳纳米管、双酚A环氧树脂制备而来的银焊料涂覆于陶瓷基材上，烘烤固化。将烘烤后的陶瓷基材和铜电极叠片，置于烧结治具上，将石墨压块通过烧结治具的定位导柱压覆于铜电极上，烧结，将制备得到的覆铜陶瓷板作为烧结后的电子烟加热片母版。在烧结后的电子烟加热片母版贴上感光膜，曝光、显影、铜蚀刻，去除多余铜，在除铜电极以外位置丝网印刷保护釉料，烧结，激光切割，得到电子烟加热片。
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