公开(公告)号：CN118969598A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411023925.8

申请日：2024-07-28

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 高力 ,  张子涵

IPC: H01L21/02 ,  B08B5/02 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/46

Abstract: 本申请公开了一种半导体设备的清洁方法，该方法包括：进行第一清洁阶段，其中，控制温度在第一温度范围内，向反应腔室通入第一清洁气体，第一清洁气体至少包括含氟气体和第一载气；进行第二清洁阶段，其中，控制温度在第二温度范围内，向反应腔室通入第二清洁气体，第二清洁气体至少包括第二载气、以及氧化性气体或还原性气体。本申请对等离子体增强化学气相沉积工艺中静电加热盘上产生的碳副产物进行有效清除，保证了工艺过程中静电加热盘对晶圆的有效吸附。

公开(公告)号：CN117747501A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311751030.1

申请日：2023-12-18

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 侯永刚 ,  荒见淳一 ,  张子涵 ,  许允昕 ,  颜晓蕾

IPC: H01L21/67 ,  G01K13/00

Abstract: 本申请涉及半导体制造工艺设备技术领域，公开一种晶圆测温装置，包括：主体，在所述主体的内部形成有腔体；气体控制系统，与所述主体连通，用于向所述主体的腔体内输送气体；密封连接部，设置于所述主体上，用于将所述主体密封连接至半导体设备的反应腔，使所述腔体与半导体设备的反应腔连通；测温设备，设置于所述主体外部，用于对半导体设备的反应腔内的晶圆进行温度测量。实现了直接测量高温、真空环境下的实际工艺制程中的晶圆的表面温度，能够更真实、准确测量出在实际工艺制程中反应腔内晶圆的表面温度以及温度分布。本申请还公开一种晶圆测温装置的使用方法。