一种外延前的晶圆表面缺陷检测方法及装置

    公开(公告)号:CN119069376B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411477445.9

    申请日:2024-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种外延前的晶圆表面缺陷检测方法及装置,属于图像处理领域,其中方法包括:驱动云台相机,采集晶圆图像,接收晶圆图像以及图像采集参数;接收环境指标向量矩阵;响应于用户端上传的晶圆型号,从标准图像库,调取标准图像;通过图像增强模型,对标准图像进行采集状态统一分析,获得增强标准图像;比对晶圆图像和增强标准图像,获得衬底表面异常区域;当衬底表面异常区域的数量不为0,将单晶衬底运输至缺陷品仓库。本申请解决了现有技术中外延前的晶圆表面缺陷检测易受环境因素干扰,导致晶圆表面缺陷检测准确性差的技术问题,达到了减少环境因素干扰,提高外延前晶圆表面缺陷检测准确性的技术效果。

    用于光纤预制棒OVD沉积的废气处理系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN113896414B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202111335604.8

    申请日:2021-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种用于光纤预制棒OVD沉积的废气处理系统,包括废气处理装置(5)、废气主管道(4)、风阀执行机构(2)、设置热量转换器(13)的旁通管道(11),所述的热量转换器(13)通过第一余热循环管(17)与余热回收机构(16)相连接、余热回收机构(16)通过第二余热循环管(19)与余热收集器(18)相连接,余热回收机构(16)、余热收集器(18)以及旁通管道(11)上的压力表(12)和旁路电动阀(10)、废气主管道(4)上的压差传感器(14)和/或温度传感器(15)、风阀执行机构(2)分别通过线路与余热控制系统相连接。本发明可使OVD沉积装置运行稳定、效果最优化且更节能环保。

    一种用于VCSEL芯片制造的湿法氧化孔径控制方法

    公开(公告)号:CN118943886A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411424232.X

    申请日:2024-10-12

    Abstract: 本申请提供了一种用于VCSEL芯片制造的湿法氧化孔径控制方法,涉及孔径控制技术领域,包括:连接湿法氧化工艺设备,与气体过滤器连接,对气体介质进行过滤;获取芯片预设反应区域,确定预设孔径参数;将过滤后的气体介质输送至氧化反应室,确定工艺控制参数;根据污染物监测反馈单元对工艺控制参数进行调整,获取优化工艺控制参数;氧化反应室按照优化工艺控制参数对VCSEL芯片进行湿法氧化。通过本申请可以解决现有技术中由于湿法氧化工艺在气液介质污染控制方面存在不足,导致孔径控制精度不高的技术问题,通过气体过滤,利用污染物监测反馈单元调节氧化过程的控制参数,实现了工艺控制参数的优化,提高了孔径控制的精度。

    一种光波导传输损耗的测量方法及系统

    公开(公告)号:CN118758560B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411248317.7

    申请日:2024-09-06

    Abstract: 本发明涉及光波导传输技术领域,具体公开了一种光波导传输损耗的测量方法及系统,通过获取光脉冲的发射信息和接收信息,计算获得脉冲传输面积偏差率;判断得到光波导结构稳定信号;计算获得脉冲传输功率偏差值,并与脉冲传输功率偏差阈值进行比较;对脉冲发射区域中的网格进行光脉冲遍历测量;检测脉冲接收区域内是否存在脉冲接收点,得到传输测量信号;计算获得光波导长度偏差比并与光波导长度偏差比阈值进行比较,得到传输波动稳定信号;对传输波动稳定信号下的发射输出功率和接收输入功率进行求和得到发射输出总功率和发射输入总功率;计算获得光波导的传输损耗值;计算结果更加精准,保证光波导在光脉冲传输过程的传输损耗的准确性。

    一种GaAs刻蚀工艺仿真工艺及系统

    公开(公告)号:CN118656991B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411132610.7

    申请日:2024-08-19

    Abstract: 本发明属于刻蚀管理技术领域,具体是一种GaAs刻蚀工艺仿真工艺及系统,包括仿真平台,仿真平台包括模型构建模块、优化反馈模块、可视化操作模块和运行综合评估模块;本发明通过仿真平台基于GaAs刻蚀仿真模型来分析在相应工艺参数下GaAs刻蚀的结果,优化反馈模块基于仿真结果评估刻蚀工艺的各项性能指标并识别刻蚀工艺中存在的问题,且针对识别出的问题生成相应的优化建议,为半导体制造工艺的优化提供了有力支持,有助于降低制造成本和提高产品质量,且通过运行综合评估模块判断仿真平台的运行表现状况,以提醒管理人员及时加强对仿真平台的监管,保证仿真平台的稳定高效运行,智能化程度高。

    一种光波导传输损耗的测量方法及系统

    公开(公告)号:CN118758560A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202411248317.7

    申请日:2024-09-06

    Abstract: 本发明涉及光波导传输技术领域,具体公开了一种光波导传输损耗的测量方法及系统,通过获取光脉冲的发射信息和接收信息,计算获得脉冲传输面积偏差率;判断得到光波导结构稳定信号;计算获得脉冲传输功率偏差值,并与脉冲传输功率偏差阈值进行比较;对脉冲发射区域中的网格进行光脉冲遍历测量;检测脉冲接收区域内是否存在脉冲接收点,得到传输测量信号;计算获得光波导长度偏差比并与光波导长度偏差比阈值进行比较,得到传输波动稳定信号;对传输波动稳定信号下的发射输出功率和接收输入功率进行求和得到发射输出总功率和发射输入总功率;计算获得光波导的传输损耗值;计算结果更加精准,保证光波导在光脉冲传输过程的传输损耗的准确性。

    一种用于数据中心的QKD光网络共享保护时隙优化方法

    公开(公告)号:CN118018190A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410088215.7

    申请日:2024-01-22

    Abstract: 本发明涉及一种用于数据中心的QKD光网络共享保护时隙优化方法,包括:步骤S1:在量子密钥分发光网络中产生一组服务请求;步骤S2:设置优化函数,使所述服务请求在量子密钥分发光网络传输中占用的时隙最小;步骤S3:若服务请求满足所述优化函数的条件,则在量子密钥分发光网络中建立工作路径和保护路径以传输服务请求,在正常状态下,使用所述工作路径传输服务请求;当所述工作路径发生故障时,使用所述保护路径传输服务请求。本发明为了保证数据中心中数据传输的安全性,采用量子密钥分发的技术来为其分配密钥;同时引入了共享保护的方案来保证密钥传输的可靠性。

    一种阻燃光纤带光缆
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117111245A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311384375.8

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明属于线缆领域,公开了一种阻燃光纤带光缆,具有阻燃外护层、铠装层、n个传输单元和中心加强件,n≥3,n为正整数,阻燃外护层挤塑于铠装层外,其特征在于:所述铠装层由n个铠装层主体围成,铠装层内部形成一个正n边形的铠装层容腔,所述中心加强件位于铠装层容腔内,中心加强件由中心加强件主体和n个支撑部件构成,支撑部件分别插入对应的两个铠装层主体连接处,传输单元与对应的铠装层主体插接;本发明具有结构简单、传输性能好、结构稳定、剥离方便、机械性能好、加工方便等有益效果;本发明还公开了制造方法。

    一种芯片老化测试设备

    公开(公告)号:CN117092495A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311357771.1

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 本发明涉及芯片老化测试技术领域,尤其是指一种芯片老化测试设备,包括恒温恒湿检测箱,所述恒温恒湿检测箱的前端靠上方开设有检测槽,所述恒温恒湿检测箱的前端转动连接有防护盖,所述检测槽内侧设置有测试电板,所述测试电板的顶面上连接有用于连接各种芯片的连接插条,所述测试电板的外侧设置有移动组件,所述移动组件用于带动测试电板水平移动,所述恒温恒湿检测箱的前端靠下方设置有检测模块,所述检测模块用于对芯片进行通电测试,所述恒温恒湿检测箱的外侧设置有连接组件,所述连接组件用于将测试盘与检测模块连接,通过此种设置,让芯片的老化测试过程,全程由设备进行操作,在漫长的时间周期中自行记录老化数据。

    一种晶圆匀胶设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117066060A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311091525.6

    申请日:2023-08-28

    Abstract: 本发明涉及一种晶圆匀胶设备。本发明包括箱体;所述箱体的内部固接有第一伸缩杆,所述箱体的内部固接有连接板,所述连接板的顶部设置有固定组件,所述固定组件包括限位架,所述限位架设置有三个,且所述限位架对称固接在连接板的顶部,所述限位架的顶部固接有吸盘,所述连接板的顶部设置有支撑板,所述支撑板的内部滑动连接有第二限位座,所述连接板的顶部固接有支撑座,所述支撑座的内部转动连接有弧形板,通过弧形板和支撑座之间的转动连接,使弧形板转动时推动晶圆进行移动,利用三个弧形板实现对晶圆同步推动效果,保证晶圆处于限位架的顶部,同时弧形板推动晶圆作用力超过吸盘对晶圆的吸引力,保证晶圆的移动效果。

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