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公开(公告)号：CN119005026A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411493912.7
申请日：2024-10-24
Applicant: 江苏永鼎股份有限公司
Abstract: 本申请公开了用于GaAs刻蚀工艺的自适应优化方法及装置，涉及半导体工艺相关领域，该方法包括：引入工艺环境信息，按照工艺环境信息利用GaAs刻蚀工艺进行实验，获得工艺实验结果同步至工艺性能评估模型，得到工艺性能评估结果定义待优化刻蚀工艺参数集，基于工艺环境信息对待优化刻蚀工艺参数集进行分析，设定参数优化目标建立多维学习空间对待优化刻蚀工艺参数集进行强化学习，确定优化调整控制策略对GaAs刻蚀工艺进行自适应优化。解决了刻蚀工艺参数难以精准控制，导致GaAs刻蚀工艺优化适应度低的技术问题，实现根据工艺性能评估结合学习空间进行强化学习，提高GaAs刻蚀工艺的优化适应度的技术效果。
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公开(公告)号：CN118588605B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411062449.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 江苏永鼎股份有限公司
Abstract: 本发明属于芯片刻蚀管理技术领域，具体是一种芯片刻蚀工艺优化方法及系统，包括处理器、刻蚀采集传输模块、刻蚀优化决策模块、优化方案执行模块、优化管理评估模块以及刻蚀监管端；本发明通过刻蚀采集传输模块实时采集芯片刻蚀过程中的各项参数，刻蚀优化决策模块基于芯片刻蚀过程中的各项参数数据进行分析以生成相对应的优化方案，优化方案执行模块基于优化方案对刻蚀过程进行适应性调控，实现对刻蚀工艺参数的精确控制和动态调整，且通过优化效果评估模块合理分析并准确判断检测时期内针对芯片的刻蚀表现状况，以及时提醒管理人员作出相应改善措施，从而保证后续的芯片刻蚀效果和生产效率，智能化程度高。
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公开(公告)号：CN118354231A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410513397.8
申请日：2024-04-26
Applicant: 苏州大学 , 江苏永鼎股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于FSDM光网络的资源分配方法及系统，该方法包括以下步骤：基于构建的FSDM光网络，给定一组预定的光路径业务需求，并且将共享光纤中在频谱和空间上一定数量的连续频谱槽定义为空间频谱窗，一组在相同频谱维度下且来自不同空间超通道的空间频谱窗定义为空间波平面，在连续时间段内的时隙槽定义为时隙窗；基于空间频谱窗、空间波平面和时隙窗，构建多个资源分配模型，所述资源分配模型包括自适应路由分配模型和固定路由分配模型，根据每个业务需求对网络资源利用率和计算速度的要求，选择其中一种资源分配模型为对应的业务需求进行频谱资源分配。本发明不仅提高了网络资源的利用率，还能够满足不同业务需求对网络性能的要求。
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公开(公告)号：CN117013358B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311272964.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 江苏永鼎股份有限公司
IPC: H01S5/0236 , H01S5/02375
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，尤其是指一种芯片封装设备，包括工作台，所述工作台的上端面转动连接有转动轴，所述转动轴的端部与电机输出部连接，电机安装在工作台内部，所述转动轴的上端面固接有封装座，封装座的形状为圆形，所述封装座的上端面固接有多个放置部，每个放置部内部均设置有夹紧机构，夹紧机构用以对待封装的芯片进行夹紧，所述工作台靠近封装座的一侧固接有侧支杆，所述侧支杆靠近放置部的端部设置有控制部，通过夹紧机构可确保芯片在封胶过程中的稳定性，而且避免了芯片在封胶完成之后，封胶头与芯片上方接触，由于黏性的存在，由于封胶头在离开芯片时，其会将芯片带离放置部的问题，方便了对芯片的后续操作。
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公开(公告)号：CN117066040A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311091353.2
申请日：2023-08-28
Applicant: 江苏永鼎股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种贴片点胶装置；包括加工台；所述加工台顶端固接有滑轨；本发明通过启动液压缸，可带动滑块向上方移动，而滑块会按压到无自锁开关，无自锁开关在受到挤压时会通过电线向风机和加热板传达启动信号，使风机转动产生风力，同时使加热板启动产生热量，而风机所产生的风力控制在无法吹动胶滴的范围内，通过导向口来为风力导向，便于使风力吹向胶滴，而加热板的顶端设置多组开孔，可使风流穿过加热板，而加热板产生的热能来为风流加热，在热风抵达至胶水处时，会对胶水进行风干处理，而两组导向口从两侧朝向点胶头，可使两侧的两组风机来对一处胶滴风干处理，从而提高胶滴风干的效率，从而解决了胶水凝固时间较长的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115514270B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202211294468.7
申请日：2022-10-21
Applicant: 苏州科技大学 , 江苏永鼎股份有限公司
Abstract: 本发明属于永磁同步电机自抗扰领域，具体公开了一种改进扩张观测器的永磁同步电机滑模自抗扰控制方法，步骤包括：S1：根据永磁同步电机的数学模型，列出实际电磁转矩的数学方程；S2：对输入信号的微分结构离散化，得到最跟踪微分器的方程；S3：建立三阶ESO结构，得到扩张后的状态观测器函数；S4：将误差进行线性组合，获取非线性状态误差反馈控制律；S5：得到滑模控制器的函数形式实现永磁同步电机滑模自抗扰的控制。本发明克服了传统fal函数不连续不光的缺陷，提高了扩张状态观测器的收敛速度和观测能力；系统鲁棒性和抗干扰能力同时获得了提升。
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公开(公告)号：CN118989620B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411477669.X
申请日：2024-10-22
Applicant: 江苏永鼎股份有限公司
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本申请提供了芯片加工用激光刻蚀的智能控制方法及装置，涉及激光刻蚀技术领域，包括：获取芯片激光刻蚀加工的激光控制参数空间，随机生成激光控制参数；对芯片基材进行集成模拟激光刻蚀微槽图像的生成，并识别获得多个微槽底部粗糙度；分别进行个体微槽电气性能影响分析，进行连续微槽电气性能影响分析，获得连续电气性能影响参数；计算获得激光控制参数的刻蚀评分，进行激光控制参数的优化，获得最优激光刻蚀参数，进行芯片激光刻蚀加工控制。通过本申请可以解决现有技术中存在刻蚀过程中无法准确控制微槽粗糙度的技术问题，实现对激光刻蚀参数与微槽电气性能之间关系的精准分析和优化的技术目标，达到有效控制微槽底部粗糙度的技术效果。
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公开(公告)号：CN118979302A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411469613.X
申请日：2024-10-21
Applicant: 江苏永鼎股份有限公司
IPC: C30B25/16 , G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/084 , H01S5/12 , G06F111/04
Abstract: 本申请提供了一种用于DFB激光器芯片的外延控制方法，涉及晶圆外延生长技术领域，包括：以满足预期外延属性特征和预定外延生长周期为约束，进行反向模拟，确定外延生长控制参数；划分确定多个生长区间，根据预期外延属性特征对多个生长区间进行生长指标设置，获取多个预期生长指标；根据外延生长控制参数、多个生长区间和多个预期生长指标执行外延生长控制。通过本申请可以解决现有方法中存在由于无法在晶圆外延生长过程中，根据晶圆外延层的生长状态快速、准确调整生长控制参数，导致外延生长控制的精准性和均匀性较差，影响外延层生长质量的技术问题，可以提高外延层的生长质量，确保DFB激光器芯片性能的稳定性和一致性。
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公开(公告)号：CN118969684A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411433986.1
申请日：2024-10-15
Applicant: 江苏永鼎股份有限公司
Abstract: 本申请提供了基于多维检测反馈的外延前晶圆表面处理动态优化系统，涉及半导体制造技术领域，通过表面密度填充度评估单元确定晶圆外延工艺的外延层，以外延层的信息进行评估，确定外延层的表面密度填充度；表面材料信息检测单元检测待外延晶圆的表面材料信息；表面处理粒度优化单元结合表面密度填充度，根据表面处理匹配模块对表面材料信息进行映射匹配，确定待外延晶圆的表面处理粒度；表面处理执行单元调控晶圆表面处理装置按照优化后的表面处理粒度对待外延晶圆的表面进行处理。本申请解决了现有表面处理工艺通常采用静态参数设置，难以适应材料特性的微小变化，导致处理结果不稳定的技术问题，达到了提高晶圆表面处理质量和效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN117711978A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311723802.0
申请日：2023-12-14
Applicant: 江苏永鼎股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，尤其是指一种芯片蚀刻机，包括外包箱，所述外包箱的前端呈开口设置，所述外包箱的前端转动连接有两个防护门，所述外包箱的内侧靠底部固接有中心箱，所述外包箱的内侧设置有刻蚀架，所述刻蚀架位于中心箱的上方，所述中心箱的顶面开设有两个用于刻蚀和清洗的处理槽，所述处理槽中设置有喷淋组件，所述喷淋组件用于向晶圆表面喷淋刻蚀液和清洗液，所述刻蚀架用于盛放晶圆，所述刻蚀架的外侧设置有移动组件，所述移动组件用于带动刻蚀架进行移动，通过此种设置，可以很精准的控制相同浓度的刻蚀液持续向晶圆表面刻蚀，以此来保证刻蚀精准度。
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