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公开(公告)号：CN109164686A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811298251.7
申请日：2018-11-02
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种正性光刻胶去胶清洗组合物，主要组分包括季铵类氢氧化物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂和具有环己基的酯类化合物。正性光刻胶去胶清洗组合物中含有具有环己基的酯类化合物，该酯类化合物在碱性有机相中性能稳定，季铵类氢氧化物在水洗液中电离生成氢氧根离子，水洗液呈碱性，具有环己基的酯类化合物碱性条件下水解生成酸和醇并保持反应平衡，酸能快速中和碱液中的氢氧根离子，改善水洗工序对于晶圆表面金属层的腐蚀程度。本发明还公开了正性光刻胶去胶清洗组合物在基板光刻胶剥离工艺中的应用。
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公开(公告)号：CN106086891B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610655100.7
申请日：2016-08-11
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高世代平板铜钛膜酸性蚀刻液，其组分按质量百分比计包括：1～10%的过氧化氢、0.1～8%的双氧水稳定剂、1～10%的HNO3、0.1～10%的金属缓蚀剂、0.1～3%的氟离子源、0.1～3%的季铵氢氧化物和余量的水；金属缓蚀剂包含有机杂环缓蚀剂和组分A缓蚀剂，组分A缓蚀剂为选自环亚胺、炔醇中的至少一种。本发明高世代平板铜钛膜酸性蚀刻液采用包含有机杂环缓蚀剂和选自环亚胺、炔醇中至少一种的金属缓蚀剂，可对铜钛双层膜进行一步湿法蚀刻，蚀刻速率适中，所得铜布线端部的蚀刻面与下层的基板形成的角度在35～50°之间。
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公开(公告)号：CN107346095A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710825459.9
申请日：2017-09-14
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种半导体制程正性光刻胶去胶液，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水，添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物，低碳硝基烷烃的碳原子数为1～3。该半导体制程正性光刻胶去胶液可以快速去除正性光刻胶层，且去胶液中光刻胶的溶解度增加，处理后的半导体表面无光刻胶残留，且对光刻胶下方的铝层或铜层或铜铝合金层没有腐蚀。
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公开(公告)号：CN106019863A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610551574.7
申请日：2016-07-14
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 本发明公开了一种高世代平板铜制程光阻剥离液，按质量百分比计包括：5～25%的醇胺、5～30%的醇、0.01～3%的金属抗蚀剂、0.1～1%的有机酸和25～75%的有机溶剂。本发明高世代平板铜制程光阻剥离液组分简单，采用碱性较低的醇胺侵蚀光刻胶，并且向剥离液组分中添加有机酸作为助溶剂，提高有机溶剂体系对光刻胶的剥离和溶解能力，且通过加入抗蚀剂减少剥离液体系对铜和基板的侵蚀，处理后的铜阵列无光刻胶残留；剥离液体系具有低挥发形和低毒性，使用温度下损失小，组分稳定且水溶性好，便于清洗。
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公开(公告)号：CN107357140B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710825460.1
申请日：2017-09-14
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/32
Abstract: 本发明公开了一种正性光刻胶用显影液，主要组分包含碱源、润湿分散剂、金属保护剂、水和显影增强剂，显影增强剂为选自硼酸、C2～C4的羟基酸中的一种或两种的组合，碱源与显影增强剂的摩尔比为1：（0.05～0.2）。本发明正性光刻胶用显影液通过加入显影增强剂，形成碱性的缓冲溶液，调节显影液中氢氧根的初始浓度，随着氢氧根的持续消耗，推动了缓冲溶液物质水合反应的进行生成氢氧根，显影速度适中。本发明还公开了正性光刻胶用显影液的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN107346095B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201710825459.9
申请日：2017-09-14
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种半导体制程正性光刻胶去胶液，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水，添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物，低碳硝基烷烃的碳原子数为1～3。该半导体制程正性光刻胶去胶液可以快速去除正性光刻胶层，且去胶液中光刻胶的溶解度增加，处理后的半导体表面无光刻胶残留，且对光刻胶下方的铝层或铜层或铜铝合金层没有腐蚀。
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公开(公告)号：CN105316663B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510833374.6
申请日：2015-11-25
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: C23C18/36
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体硅片用镀镍液，其组分包括：可溶性镍盐、还原剂、盐酸和氨水组成的pH值调节剂、复合络合剂和去离子水，复合络合剂为选自柠檬酸及其可溶性盐、酒石酸及其可溶性盐、乳酸及其可溶性盐、苹果酸及其可溶性盐、丁二酸及其可溶性盐、乙二胺四乙酸及其可溶性盐、羟乙基乙烯二胺三乙酸及其可溶性盐中的至少两种，镀镍液的pH值为7.5～9.5。本发明的镀镍液加入盐酸和氨水组成的pH值调节剂，有助于维持镀镍过程中的pH值稳定；作为络合剂使用的弱酸和可溶性盐可与pH值调节剂结合形成缓冲体系，进一步对pH值进行调节；至少两种络合剂的配合使用可使镀镍液稳定性好，镀镍速率适中。
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公开(公告)号：CN106086891A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610655100.7
申请日：2016-08-11
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高世代平板铜钛膜酸性蚀刻液，其组分按质量百分比计包括：1～10%的过氧化氢、0.1～8%的双氧水稳定剂、1～10%的HNO3、0.1～10%的金属缓蚀剂、0.1～3%的氟离子源、0.1～3%的季铵氢氧化物和余量的水；金属缓蚀剂包含有机杂环缓蚀剂和组分A缓蚀剂，组分A缓蚀剂为选自环亚胺、炔醇中的至少一种。本发明高世代平板铜钛膜酸性蚀刻液采用包含有机杂环缓蚀剂和选自环亚胺、炔醇中至少一种的金属缓蚀剂，可对铜钛双层膜进行一步湿法蚀刻，蚀刻速率适中，所得铜布线端部的蚀刻面与下层的基板形成的角度在35～50°之间。
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公开(公告)号：CN104129750B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410326977.2
申请日：2014-07-10
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: B67C3/30
Abstract: 本发明公开了一种液体电子化学品定量灌装机，包括净化柜、传输机构、灌装机构、贮箱；所述净化柜的洁净级数在100级以上，净化柜下部两侧开设有进闸口和出闸口；所述传输机构包括用于传输包装桶进出净化柜的传输带，传输带从进闸口向出闸口延伸并从两端延伸出净化柜；所述灌装机构位于净化柜内，包括与贮箱连通的至少一支灌装枪，灌装枪上设有用于控制灌装时间的延时开关，灌装枪的出液口向下朝向传输带；所述贮箱设有非接触式的液位侦测控制装置，液位侦测控制装置电连接第一电磁阀，贮箱的进液管路上设有第一气动隔膜调节阀，第一电磁阀设于第一气动隔膜调节阀的气源通道上。
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公开(公告)号：CN114277373B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202111622391.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: C23F1/30
Abstract: 本发明公开了一种高寿命银膜蚀刻液组合物，主要组成为硝酸、乙酸、A酸、银离子络合剂和水，A酸为选自有机磺酸和磷酸中的至少一种，银离子络合剂为氨基羧酸或者羟基羧酸；还包括除银离子络合剂外的C4～C10多羟基化合物。本发明高寿命银膜蚀刻液组合物基于现有的硝酸乙酸混酸体系，多羟基化合物在基板中裸露的铝表面自组装成膜，银离子络合物充分络合游离的银离子，降低蚀刻体系中的银离子与铝表面接触的几率，延长蚀刻液的使用寿命，提高产线生产效率。本发明还公开了一种高寿命银膜蚀刻液组合物的蚀刻工艺。
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