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公开(公告)号：CN106086891B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610655100.7
申请日：2016-08-11
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高世代平板铜钛膜酸性蚀刻液，其组分按质量百分比计包括：1～10%的过氧化氢、0.1～8%的双氧水稳定剂、1～10%的HNO3、0.1～10%的金属缓蚀剂、0.1～3%的氟离子源、0.1～3%的季铵氢氧化物和余量的水；金属缓蚀剂包含有机杂环缓蚀剂和组分A缓蚀剂，组分A缓蚀剂为选自环亚胺、炔醇中的至少一种。本发明高世代平板铜钛膜酸性蚀刻液采用包含有机杂环缓蚀剂和选自环亚胺、炔醇中至少一种的金属缓蚀剂，可对铜钛双层膜进行一步湿法蚀刻，蚀刻速率适中，所得铜布线端部的蚀刻面与下层的基板形成的角度在35～50°之间。
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公开(公告)号：CN106019863A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610551574.7
申请日：2016-07-14
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 本发明公开了一种高世代平板铜制程光阻剥离液，按质量百分比计包括：5～25%的醇胺、5～30%的醇、0.01～3%的金属抗蚀剂、0.1～1%的有机酸和25～75%的有机溶剂。本发明高世代平板铜制程光阻剥离液组分简单，采用碱性较低的醇胺侵蚀光刻胶，并且向剥离液组分中添加有机酸作为助溶剂，提高有机溶剂体系对光刻胶的剥离和溶解能力，且通过加入抗蚀剂减少剥离液体系对铜和基板的侵蚀，处理后的铜阵列无光刻胶残留；剥离液体系具有低挥发形和低毒性，使用温度下损失小，组分稳定且水溶性好，便于清洗。
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公开(公告)号：CN106227004B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201610829920.3
申请日：2016-09-19
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种铜或铜合金布线用水系光阻剥离液，按质量百分比计包括：5～25%的醇胺、5～30%的醇、0.01～3%的金属抗蚀剂、0.1～1%的有机酸和25～75%的有机溶剂。本发明铜或铜合金布线用水系光阻剥离液组分简单，采用碱性较低的醇胺侵蚀光刻胶，并且向剥离液组分中添加有机酸作为助溶剂，提高有机溶剂体系对光刻胶的剥离和溶解能力，且通过加入抗蚀剂减少剥离液体系对铜和基板的侵蚀，处理后的铜阵列无光刻胶残留；剥离液体系具有低挥发形和低毒性，使用温度下损失小，组分稳定且水溶性好，便于清洗。
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公开(公告)号：CN106227004A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610829920.3
申请日：2016-09-19
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明公开了一种铜或铜合金布线用水系光阻剥离液，按质量百分比计包括：5～25%的醇胺、5～30%的醇、0.01～3%的金属抗蚀剂、0.1～1%的有机酸和25～75%的有机溶剂。本发明铜或铜合金布线用水系光阻剥离液组分简单，采用碱性较低的醇胺侵蚀光刻胶，并且向剥离液组分中添加有机酸作为助溶剂，提高有机溶剂体系对光刻胶的剥离和溶解能力，且通过加入抗蚀剂减少剥离液体系对铜和基板的侵蚀，处理后的铜阵列无光刻胶残留；剥离液体系具有低挥发形和低毒性，使用温度下损失小，组分稳定且水溶性好，便于清洗。
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公开(公告)号：CN106086891A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610655100.7
申请日：2016-08-11
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高世代平板铜钛膜酸性蚀刻液，其组分按质量百分比计包括：1～10%的过氧化氢、0.1～8%的双氧水稳定剂、1～10%的HNO3、0.1～10%的金属缓蚀剂、0.1～3%的氟离子源、0.1～3%的季铵氢氧化物和余量的水；金属缓蚀剂包含有机杂环缓蚀剂和组分A缓蚀剂，组分A缓蚀剂为选自环亚胺、炔醇中的至少一种。本发明高世代平板铜钛膜酸性蚀刻液采用包含有机杂环缓蚀剂和选自环亚胺、炔醇中至少一种的金属缓蚀剂，可对铜钛双层膜进行一步湿法蚀刻，蚀刻速率适中，所得铜布线端部的蚀刻面与下层的基板形成的角度在35～50°之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102540772A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110461720.4
申请日：2011-12-30
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/32
Abstract: 本发明公开了一种低张力正胶显影液及其制备方法，所述正胶显影液包括以下重量百分比的组合物：四甲基氢氧化铵2.35％～2.41％；聚氧乙烯烷基醚0.2％～0.3％；水97.29％～97.45％。本发明提供的低张力正胶显影液及其制备方法，通过在原有工艺的基础上新加入微量非离子型表面活性剂聚氧乙烯烷基醚，使其表面张力降低到25-35mN/m，从而有效避免常规产品出现的过显及CD值不稳定问题，使其在使用效果不受影响的前提下显影速率均匀快速，使用后产品显影线条无锯齿形且清晰，分辨率达到0.8um。
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公开(公告)号：CN106019863B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201610551574.7
申请日：2016-07-14
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种高世代平板铜制程光阻剥离液，按质量百分比计包括：5～25%的醇胺、5～30%的醇、0.01～3%的金属抗蚀剂、0.1～1%的有机酸和25～75%的有机溶剂。本发明高世代平板铜制程光阻剥离液组分简单，采用碱性较低的醇胺侵蚀光刻胶，并且向剥离液组分中添加有机酸作为助溶剂，提高有机溶剂体系对光刻胶的剥离和溶解能力，且通过加入抗蚀剂减少剥离液体系对铜和基板的侵蚀，处理后的铜阵列无光刻胶残留；剥离液体系具有低挥发形和低毒性，使用温度下损失小，组分稳定且水溶性好，便于清洗。
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公开(公告)号：CN106281789A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610654390.3
申请日：2016-08-11
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: C11D7/60 , C11D7/18 , C11D7/32 , C11D7/36 , C11D7/10 , C11D7/08 , C11D7/34 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D1/72 , C11D3/60 , C11D3/39 , H05K3/26
CPC classification number: C11D3/3937 , C11D1/721 , C11D3/394 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H05K3/26
Abstract: 本发明公开了一种配线基板干刻后残渣清洗剂，其特征在于，其主要组分为H2O2、金属保护剂、双氧水稳定剂、pH 值调节剂和水，清洗剂的pH 值为5～8，金属保护剂的主要组成为有机胺类金属保护剂和有机膦类金属保护剂。本发明配线基板干刻后残渣清洗剂为弱酸弱碱体系，与现有技术中的氧化性酸和碱性体系相比，对配线的侵蚀作用较弱，尤其是对配线侧面钛层的侵蚀作用；采用有机胺类金属保护剂和有机膦类金属保护剂复配，可在配线表面形成稳定的保护膜，并且上述两种金属保护剂均具有表面活性，可优化清洗液的润湿和渗透能力，加速残渣的剥离。
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公开(公告)号：CN104109483B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201310135100.0
申请日：2013-04-17
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
IPC: C09G1/18
Abstract: 本发明提出了一种太阳能电池片抛光液及其制备方法。太阳能电池片抛光液以质量百分比计，包括：1%～10%的四甲基氢氧化铵、0.5%～5%的胆碱、1%～10%的无水乙醇、0.5%～5%的异丙醇。制备方法包括：分别通过预处理无水乙醇及异丙醇以提高无水乙醇及异丙醇的纯度；以上述组份中的比例精密混合四甲基氢氧化铵、胆碱、无水乙醇及异丙醇；采用多级循环膜过滤经精密混合的四甲基氢氧化铵、胆碱、无水乙醇及异丙醇；分装获得制品。采用本发明可以获得较高纯度太阳能电池片抛光液，以提高硅片的效能。
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公开(公告)号：CN105463463A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510832128.9
申请日：2015-11-25
Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AMOLED用ITO-Ag-ITO蚀刻液，其组分包括：3～10%重量的硝酸、10～25%重量的醋酸、30～60%重量的磷酸和可溶性正磷酸盐的混合物、1～5%重量的添加剂、余量的去离子水、添加剂包含硝酸盐。可溶性正磷酸盐的加入可以适当增加蚀刻液的粘度，保证蚀刻过程中蚀刻表面具有合理的反应物和生成物浓度梯度，与现有技术中相比，可适当降低银蚀刻速率，有利于实现均匀蚀刻、得到可控的电极形状；可明显减少蚀刻过程中醋酸和硝酸、亚硝酸的分解，有助于实现蚀刻过程的绿色生产。
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