一种内部光取出结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN117279412B

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202311500150.4

    申请日:2023-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种内部光取出结构及其制备方法,包括:基板,设置于所述基板上的功能层,所述功能层包括金属纳米颗粒层,纳米填料层,和由聚合物组成的平坦化层。本发明所提供的金属纳米颗粒层具有一定的延展性,在水氧入侵时会吸收水氧并形成孔隙结构,不仅提高光取出的效果,增大有机电致发光器件的效率,而且具有很好的封装效果;而纳米填料层的存在又可以防止水氧进一步的扩散,这样的内部光取出结构不仅具有高提取效率,而且具有很好的阻水吸水作用。

    一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112349856B

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202011372420.4

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法,量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,量子点发光层与所述阳极之间设置有空穴传输层,空穴传输层与所述阳极之间设置有空穴注入层,量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层,量子点发光层靠近电子传输层的表面设置有电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层。本发明中提出的界面调控手段可以有效钝化QDs/ZnO界面处的缺陷,从而大幅度增加低亮度下电子‑空穴的辐射复合效率。本发明提供了一种简单、经济有效,且不会使器件的制备和器件结构复杂化的新方法来平衡发光层的载流子密度从而提高QLED器件的效率。

    一维高介电常数、低膨胀系数复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN110510670B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN201910911573.2

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 本发明提供了一种一维高介电常数、低膨胀系数复合材料及制备方法,采用水热法制备出铌酸钾纳米粉体,以带正电荷的铌酸钾纳米粉体和带负电荷的锂霞石纳米粉体为原材料,通过静电自组装法结合微波烧结合成出铌酸钾@锂霞石复合材料,得到高介电常数、低膨胀系数复合材料,该方法制备的复合材料可用于电容器、大功率静电储能的材料,具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可规模化生产。

    取向氧化锌纳米棒聚乙烯醇复合储能电容器材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108948613B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN201810754793.4

    申请日:2018-07-11

    Abstract: 本发明提供了一种取向氧化锌纳米棒/聚乙烯醇复合储能电容器材料及制备方法,采用水热法制备出氧化锌纳米棒,采用流延法结合电泳沉积法合成取向氧化锌纳米棒/聚乙烯醇复合材料,得到取向氧化锌纳米棒/聚乙烯醇复合材料,该方法制备的复合薄膜可提高聚乙烯醇的储能密度,该复合材料击穿场强大于1500kV/cm,储能密度2‑5J/cm3,可用于电容器、大功率静电储能的材料,具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可规模化生产。

    一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112349856A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011372420.4

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法,量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,量子点发光层与所述阳极之间设置有空穴传输层,空穴传输层与所述阳极之间设置有空穴注入层,量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层,量子点发光层靠近电子传输层的表面设置有电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层。本发明中提出的界面调控手段可以有效钝化QDs/ZnO界面处的缺陷,从而大幅度增加低亮度下电子‑空穴的辐射复合效率。本发明提供了一种简单、经济有效,且不会使器件的制备和器件结构复杂化的新方法来平衡发光层的载流子密度从而提高QLED器件的效率。

    一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN108946797B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201811030660.9

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明提供了一种一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料及制备方法,采用微波水热法进行材料制备,制备的产物具有良好的核壳结构一维形貌,壳层为氮化硼,芯层为钛酸钡,芯层直径为50‑150 nm,壳层厚度为20‑200nm,复合材料的长度2‑6μm,壳层厚度可控。本发明一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料可以在较小填充量下形成导热网络,同时芯层高介电性能的钛酸钡可以为复合材料提供较高的介电常数,而壳层的氮化硼材料具有良好的热导率一方面可以提高复合材料的散热情况,同时氮化硼材料具有良好的耐击穿性能,可以使复合材料在较高的电场下工作。

    一维核壳结构的钛酸锶@氧化锌@聚苯胺复合纳米热电材料及制备方法

    公开(公告)号:CN110676369A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910989144.7

    申请日:2019-10-17

    Abstract: 本发明涉及一种具有核壳结构的钛酸锶@氧化锌@聚苯胺复合纳米热电材料及其制备方法,属于复合材料制备领域。采用静电纺丝法制备钛酸锶@氧化锌纳米材料,之后对其进行表面聚合物改性处理,最后利用液相界面法制备出具有核壳结构的钛酸锶@氧化锌@聚苯胺复合纳米热电材料,本发明复合纳米纤维具有良好的一维形貌结构、良好的柔韧性等特点,复合材料室温的功率因子达20.73μWm-1K-2,是纯聚苯胺的30倍,复合材料具有良好的抗氧化性,可以在空气中直接使用,同时复合纤维的壳层厚度可控等优点,本发明方法是提高聚合物热电性能的一种有效途径,具有简单易行、成本低、方便快速、可规模化生产等优点。

    一种取向化氧化镍/PEDOT复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN110564112A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910919712.6

    申请日:2019-09-26

    Abstract: 本发明提提供了一种取向化氧化镍/PEDOT复合材料及制备方法,采用定向凝固结合热压法制备取向化氧化镍/PEDOT复合材料,将表面改性后的一维氧化镍纳米线粉体置于PEDOT、酒精、丙三醇组成的混合溶剂中,之后将此容器置于特定方向温度梯度的环境中,从而实现一维填料沿温度梯度方向定向生长,生长完成后放入低温低压环境中升华;再将此材料置于50-80℃温度条件下3Mpa-10Mpa的压力下3-10min,得到具有取向结构的一维氧化镍/PEDOT复合材料。该材料的热电性能优异。该方法具有简单易行、成本低、方便快速、制备的样品气敏性能优异等优点,可规模化生产。

    一种P型NiO基稀磁半导体纳米管及其制备方法

    公开(公告)号:CN106495237B

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201610896148.7

    申请日:2016-10-14

    Abstract: 本发明涉及一种P型NiO基稀磁半导体纳米管及其制备方法,采用同轴静电纺丝法进行纺丝;制备产物为芯层@壳层结构,经烧结之后,PVP经高温挥发,得到稀磁半导体纳米管,外径为200‑400nm,内径为50‑100nm,长度10‑100μm。该一维纳米管磁性材料由于其特殊的尺寸与结构,往往具有高度的磁各向异性,其易磁化方向沿纳米纤维轴向。因此,与一般铁磁体材料相比,一定取向排列的一维纳米磁性材料磁滞回线具有比较高的矩形比。同时一维纳米管磁性材具有更大的比表面积,比零维纳米材料具有更好的电子传输特性。与现有技术相比,该方法具有简单易行、成本低、方便快速、制备的样品纯度高等优点,可大规模化生产等优点。

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