公开(公告)号：CN102274973A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201010604959.8

申请日：2010-12-25

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 孙浩亮 ,  魏明 ,  宋忠孝 ,  徐可为 ,  展京美 ,  马飞

IPC: B22F9/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/58

Abstract: 在铜合金薄膜表面生成纳米铜颗粒的方法，采用如下步骤：一、先在聚酰亚胺PI基体上沉积Cu－Zr合金膜，形成Cu－Zr/PI膜基体系；二、然后对所制备的膜基体系，在真空度优于1*10-3条件下，温度100－400℃，退火5－10分钟，使得聚酰亚胺基体薄膜表面上，形成纳米或亚微米尺度的纯Cu颗粒；或通过对所制备的铜颗粒进行氧化，以实现氧化铜颗粒。本发明的有益效果：方法简单，成本低，易于在薄膜表面制备大面积、高密度、尺度可控的纳米级纯Cu颗粒或氧化物颗粒；制备的纯Cu颗粒或氧化物颗粒，可用于制备柔性电子器件及光电显示器件；本发明的制备方法，也可为制备性质相近的其他金属颗粒提供借鉴。

公开(公告)号：CN102270695A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010604958.3

申请日：2010-12-25

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 孙浩亮 ,  魏明 ,  宋忠孝 ,  徐可为 ,  刘玉亮

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法，采用在单晶硅上，外延生长V形铜硅化合物，然后通过湿法腐蚀去除外延生长的V形铜硅化合物，在单晶硅表面获得低反射率的V形槽绒面结构，步骤：一、在单晶硅Si上，依次沉积Cu-Zr和Cu膜，形成单晶硅Si复合膜基体系；二、对复合膜基体系退火，温度100－800℃，真空度优于1*10-3，时间5－10分钟；三、将退火后的复合膜放入混合液中，超声振荡＞5分钟；四、振荡后用无水乙醇和去离子水清洗，吹干，制得产品。本发明的有益效果：获得的V形槽形态规则、制绒效率更高；表明结构可以有效的降低光的反射；制备成本降低10－15％，质量提高，产率提高30％。

公开(公告)号：CN102270695B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201010604958.3

申请日：2010-12-25

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 孙浩亮 ,  魏明 ,  宋忠孝 ,  徐可为 ,  刘玉亮

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法，采用在单晶硅上，外延生长V形铜硅化合物，然后通过湿法腐蚀去除外延生长的V形铜硅化合物，在单晶硅表面获得低反射率的V形槽绒面结构，步骤：一、在单晶硅Si上，依次沉积Cu-Zr和Cu膜，形成单晶硅Si复合膜基体系；二、对复合膜基体系退火，温度100－800℃，真空度优于1*10-3，时间5－10分钟；三、将退火后的复合膜放入混合液中，超声振荡＞5分钟；四、振荡后用无水乙醇和去离子水清洗，吹干，制得产品。本发明的有益效果：获得的V形槽形态规则、制绒效率更高；表明结构可以有效的降低光的反射；制备成本降低10－15％，质量提高，产率提高30％。