一种施加预应力抑制铜合金薄膜表面形成丘凸的方法

    公开(公告)号:CN105140141B

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201510444950.8

    申请日:2015-07-27

    Abstract: 一种施加预应力抑制铜合金薄膜表面形成丘凸的方法,对铜合金薄膜施加预应力,然后在真空炉内或气氛保护炉内加热退火,以使薄膜内部应力接近平衡状态,从而抑制由于压应力释放驱动薄膜原子扩散导致的丘凸生成。本发明通过对柔性基体上铜合金薄膜施加预应力并进行退火处理调控铜合金薄膜的原子扩散行为,有效抑制了传统退火过程中铜合金薄膜表面易于形成丘凸的现象,为获得高稳定性、高寿命柔性聚酰亚胺基体铜合金薄膜器件提供了技术支撑。本发明施加预应力的大小可以根据需要通过调整模具进行调控,能有效抑制退火过程中铜合金薄膜表面易于形成丘凸的现象。

    一种施加预应力促进银合金薄膜表面析出银颗粒的方法

    公开(公告)号:CN105112882B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201510444951.2

    申请日:2015-07-27

    Abstract: 一种施加预应力促进银合金薄膜表面析出银颗粒的方法,将银合金薄膜以膜面朝上的方式两端固定,中部用向上凸起的凸模顶起,从而对银合金薄膜施加预应力,然后在真空炉内或气氛保护炉内加热退火,以增大残余压应力,促进薄膜原子扩散,从而增加银合金薄膜表面形成的银颗粒数量。本发明通过对柔性基体上银合金薄膜施加预应力并进行退火处理调控银合金薄膜的原子扩散行为,促进银颗粒形成的方法,为获得大比表面积柔性聚酰亚胺基体银合金颗粒薄膜器件提供了技术支撑。施加预应力的大小可以根据需要通过调整模具进行调控,能有效促进退火过程中银合金薄膜表面银颗粒的形成,获得具有大比表面积的柔性基体银合金颗粒复合膜。

    一种碳纤维增强铝锂合金复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104264083B

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201410467597.0

    申请日:2014-09-15

    Inventor: 孙浩亮 魏明

    Abstract: 本发明公开了一种碳纤维增强铝锂合金复合材料及其制备方法。该复合材料是由经过预先处理的碳纤维与铝锂合金粉末混合烧结而成,碳纤维体积分数含量1~10%。本发明的制备方法主要包括碳纤维的灼烧、粗化、中和处理、球磨混料以及真空热压烧结。通过调控碳纤维的体积分数,能降低铝锂合金的密度,提升铝锂合金的强度、韧性并改善其各向异性。本发明特别适用于要求材料具有轻质、较高强度综合性能良好的航空航天飞行器零部件。

    一种施加预应力促进银合金薄膜表面析出银颗粒的方法

    公开(公告)号:CN105112882A

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201510444951.2

    申请日:2015-07-27

    Abstract: 一种施加预应力促进银合金薄膜表面析出银颗粒的方法,将银合金薄膜以膜面朝上的方式两端固定,中部用向上凸起的凸模顶起,从而对银合金薄膜施加预应力,然后在真空炉内或气氛保护炉内加热退火,以增大残余压应力,促进薄膜原子扩散,从而增加银合金薄膜表面形成的银颗粒数量。本发明通过对柔性基体上银合金薄膜施加预应力并进行退火处理调控银合金薄膜的原子扩散行为,促进银颗粒形成的方法,为获得大比表面积柔性聚酰亚胺基体银合金颗粒薄膜器件提供了技术支撑。施加预应力的大小可以根据需要通过调整模具进行调控,能有效促进退火过程中银合金薄膜表面银颗粒的形成,获得具有大比表面积的柔性基体银合金颗粒复合膜。

    一种碳纤维增强铝镁合金复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104213056A

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201410467539.8

    申请日:2014-09-15

    Inventor: 孙浩亮 魏明

    Abstract: 本发明公开了一种碳纤维增强铝镁合金复合材料及其制备方法。该复合材料是由经过预先处理的碳纤维与铝镁合金粉末混合烧结而成,碳纤维体积分数含量1~10%。本发明的制备方法主要包括碳纤维的灼烧、粗化、中和处理、球磨混料以及真空热压烧结。通过调控碳纤维的体积分数,能降低铝镁合金的密度,提升铝镁合金的强度、韧性。本发明特别适用于要求材料具有轻质、较高强度综合性能良好的航空航天飞行器零部件。

    一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法

    公开(公告)号:CN102270695A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201010604958.3

    申请日:2010-12-25

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法,采用在单晶硅上,外延生长V形铜硅化合物,然后通过湿法腐蚀去除外延生长的V形铜硅化合物,在单晶硅表面获得低反射率的V形槽绒面结构,步骤:一、在单晶硅Si上,依次沉积Cu-Zr和Cu膜,形成单晶硅Si复合膜基体系;二、对复合膜基体系退火,温度100-800℃,真空度优于1*10-3,时间5-10分钟;三、将退火后的复合膜放入混合液中,超声振荡>5分钟;四、振荡后用无水乙醇和去离子水清洗,吹干,制得产品。本发明的有益效果:获得的V形槽形态规则、制绒效率更高;表明结构可以有效的降低光的反射;制备成本降低10-15%,质量提高,产率提高30%。

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