-
公开(公告)号：CN105070778A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510465003.7
申请日：2015-08-03
Applicant: 河南科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/0264 , H01L31/095
Abstract: 一种基于小极化子效应的光敏电容器，该光敏电容器中的介电材料层由具有小极化子效应的光敏材料制成，在介电材料层的两侧均依次设有导电层和封装层，所述介电材料层一侧或两侧的导电层及封装层由透光材料构成，以便使光线能够透过导电层及封装层照射在介电材料层上，从而改变其介电常数。该光敏电容器的电容大小可以通过外部照射光线的强度来调节。从而可以通过外接电路激发合适的LED光源，用LED光源产生的光来控制电容器电容的大小，可用作各类电子器件的调频部件，或者用来制作光电探测器。
-
公开(公告)号：CN105047412B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510465005.6
申请日：2015-08-03
Applicant: 河南科技大学
IPC: H01G7/00
Abstract: 一种光控可变电容器，该光控可变电容器包括控制部分和光敏电容，所述控制部分设有LED光源、为LED光源供电的电源和接在供电线路中的可变电阻器，所述光敏电容具有介电材料层，该介电材料层由具有小极化子效应的光敏材料制成，在介电材料层的两侧均依次设有导电层和封装层，所述介电材料层一侧或两侧的导电层及封装层由透光材料构成，以便使LED光源发出的光线能够透过导电层及封装层照射在介电材料层上，并通过调整可变电阻器的阻值改变LED光源的光线强度，从而改变介电材料层的介电常数。该电容器的电容大小可以通过照射光线的强度来调节，可用作各类电子器件的调频部件，或者用来制作光电探测器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105097992B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510465303.5
申请日：2015-08-03
Applicant: 河南科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光敏电容器的制备方法，先将具有小极化子效应的光敏材料压制成片状后烧制成陶瓷，并制成介电材料层；然后在介电材料层的两侧设置导电银浆镀层；取两片导电玻璃并置于介电材料层两侧，使导电玻璃上的导电膜与导电银浆镀层接触，所述导电玻璃和导电银浆镀层均由透光材料制成，以便使光线能够透过导电玻璃和导电银浆镀层照射在介电材料层上，从而改变其介电常数；将介电材料层和导电玻璃固定好后置于热处理设备中升温至250—350℃进行热处理，热处理结束后降至室温即制得光敏电容器。该方法制备的光敏电容器的电容大小可以通过外部照射光线的强度来调节,可用作各类电子器件的调频部件，或者用来制作光电探测器。
-
公开(公告)号：CN105070778B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510465003.7
申请日：2015-08-03
Applicant: 河南科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/0264
Abstract: 一种基于小极化子效应的光敏电容器，该光敏电容器中的介电材料层由具有小极化子效应的光敏材料制成，在介电材料层的两侧均依次设有导电层和封装层，所述介电材料层一侧或两侧的导电层及封装层由透光材料构成，以便使光线能够透过导电层及封装层照射在介电材料层上，从而改变其介电常数。该光敏电容器的电容大小可以通过外部照射光线的强度来调节。从而可以通过外接电路激发合适的LED光源，用LED光源产生的光来控制电容器电容的大小，可用作各类电子器件的调频部件，或者用来制作光电探测器。
-
公开(公告)号：CN105097992A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510465303.5
申请日：2015-08-03
Applicant: 河南科技大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/08
Abstract: 一种光敏电容器的制备方法，先将具有小极化子效应的光敏材料压制成片状后烧制成陶瓷，并制成介电材料层；然后在介电材料层的两侧设置导电银浆镀层；取两片导电玻璃并置于介电材料层两侧，使导电玻璃上的导电膜与导电银浆镀层接触，所述导电玻璃和导电银浆镀层均由透光材料制成，以便使光线能够透过导电玻璃和导电银浆镀层照射在介电材料层上，从而改变其介电常数；将介电材料层和导电玻璃固定好后置于热处理设备中升温至250—350℃进行热处理，热处理结束后降至室温即制得光敏电容器。该方法制备的光敏电容器的电容大小可以通过外部照射光线的强度来调节,可用作各类电子器件的调频部件，或者用来制作光电探测器。
-
公开(公告)号：CN105047412A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510465005.6
申请日：2015-08-03
Applicant: 河南科技大学
IPC: H01G7/00
Abstract: 一种光控可变电容器，该光控可变电容器包括控制部分和光敏电容，所述控制部分设有LED光源、为LED光源供电的电源和接在供电线路中的可变电阻器，所述光敏电容具有介电材料层，该介电材料层由具有小极化子效应的光敏材料制成，在介电材料层的两侧均依次设有导电层和封装层，所述介电材料层一侧或两侧的导电层及封装层由透光材料构成，以便使LED光源发出的光线能够透过导电层及封装层照射在介电材料层上，并通过调整可变电阻器的阻值改变LED光源的光线强度，从而改变介电材料层的介电常数。该电容器的电容大小可以通过照射光线的强度来调节，可用作各类电子器件的调频部件，或者用来制作光电探测器。
-
公开(公告)号：CN102677172B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210188943.2
申请日：2012-06-11
Applicant: 河南科技大学
Abstract: 一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法，将Bi2O3和V2O5按1：1的摩尔比混合压制成料块后装入刚玉杯中，在温度800oC下烧结10小时；烧结后装入直径150mm、高80mm、壁厚2.2mm的铱坩埚，然后放入单晶提拉炉，提拉炉内冲入N2气氛，使炉中氧分压为1%；以 方向的YVO4晶体作为籽晶，控制铱坩埚底部温度为960—980oC，生长晶体提拉速度为1mm/h，转速为8rpm；晶体停止生长后，放置24小时，取出，即获得BiVO4单晶。以铱坩埚替代铂坩埚，显著降低了成本；以YVO4晶体替代铂丝作为籽晶，以氧气分压为1%的氮气氛作为生长气氛，提高了晶体生长的稳定性，增大了晶体尺寸。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.028 seconds)
