一种基于RFID的商品防盗系统及控制方法

    公开(公告)号:CN105678939A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610243610.3

    申请日:2016-04-19

    CPC classification number: G08B13/2417 G08B13/246

    Abstract: 本发明公开了一种基于RFID的商品防盗系统,包括两个RFID标签,读卡器,用于获取RFID标签的信号强度以及读取标签内部信息的;上位机,用于接收和存储所述读卡器所读取的信息;PC端服务器,用于处理上位机接收的原始数据;报警装置,用于响应PC端服务器的报警指令,提醒相关服务人员以及管理人员;客户端,用于响应PC端服务器的报警指令,提醒管理人员;数据库,用于存储PC端服务器处理结果以及物品相关信息的。本发明提供一种基于RFID的商品防盗系统及控制方法,实现了对物品的被盗情况的实时监控,实时地将被盗情况通知管理人员并发出相应的警报,系统集监测、数据处理、报警于一体,操作方便,反应及时,大大提高了当前商品防盗系统的性能。

    一种基于RFID的商品防盗系统及控制方法

    公开(公告)号:CN105678939B

    公开(公告)日:2018-03-02

    申请号:CN201610243610.3

    申请日:2016-04-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于RFID的商品防盗系统,包括两个RFID标签,读卡器,用于获取RFID标签的信号强度以及读取标签内部信息的;上位机,用于接收和存储所述读卡器所读取的信息;PC端服务器,用于处理上位机接收的原始数据;报警装置,用于响应PC端服务器的报警指令,提醒相关服务人员以及管理人员;客户端,用于响应PC端服务器的报警指令,提醒管理人员;数据库,用于存储PC端服务器处理结果以及物品相关信息的。本发明提供一种基于RFID的商品防盗系统及控制方法,实现了对物品的被盗情况的实时监控,实时地将被盗情况通知管理人员并发出相应的警报,系统集监测、数据处理、报警于一体,操作方便,反应及时,大大提高了当前商品防盗系统的性能。

    CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路

    公开(公告)号:CN106531655A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610999436.5

    申请日:2016-11-14

    CPC classification number: H01L22/14

    Abstract: 本发明公开了CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路,包括采集M个阱接触电势值的采集模块、对应N个不同时钟信号CLK的D触发器模块和PISO输出模块;通过采集不同位置的阱电势值控制空间位置精度,通过采集模块中NAND门的翻转阈值的不同来控制测量阱电势的数值精度,在多个由不同时钟信号控制的一级时控D触发器子模块的基础上,通过控制各子模块的时钟信号来设置测量阱电势的时间精度,由此实现单粒子效应调制的阱电势在时空上的数值分布测量。本发明适用于P型衬底中的N阱在单粒子效应调制下电势的测量以及N型衬底中P阱在单粒子效应调制下电势的测量。

    CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路

    公开(公告)号:CN106531655B

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201610999436.5

    申请日:2016-11-14

    Abstract: 本发明公开了CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路,包括采集M个阱接触电势值的采集模块、对应N个不同时钟信号CLK的D触发器模块和PISO输出模块;通过采集不同位置的阱电势值控制空间位置精度,通过采集模块中NAND门的翻转阈值的不同来控制测量阱电势的数值精度,在多个由不同时钟信号控制的一级时控D触发器子模块的基础上,通过控制各子模块的时钟信号来设置测量阱电势的时间精度,由此实现单粒子效应调制的阱电势在时空上的数值分布测量。本发明适用于P型衬底中的N阱在单粒子效应调制下电势的测量以及N型衬底中P阱在单粒子效应调制下电势的测量。

    一种抗单粒子翻转的锁存器

    公开(公告)号:CN106533420A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610948837.8

    申请日:2016-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的锁存器,包括第一输出支路、第二输入支路、第三输入支路、第四输出支路;所述第二输入支路包括传输门(1)、传输门(2)、第二冗余支路(1)、第二冗余支路(2)、第二判决支路、反相器(1);所述第三输入支路包括传输门(3)、传输门(4)、第三冗余支路(1)、第三冗余支路(2)、第三判决支路、反相器三输入支路中的第二/三冗余支路、第二/三判决支路实现抗SEU加固的效果,再经过反相器(1)和反相器(2)实现反相,最终通过第一/四输出支路输出节点A(=X’)和输出节点D(=X),实现抗SEU加固的功能。(2)。本发明通过输入X和输入X’分别经过第二/

    一种抗单粒子翻转的锁存器

    公开(公告)号:CN106533420B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201610948837.8

    申请日:2016-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的锁存器,包括第一输出支路、第二输入支路、第三输入支路、第四输出支路;所述第二输入支路包括传输门(1)、传输门(2)、第二冗余支路(1)、第二冗余支路(2)、第二判决支路、反相器(1);所述第三输入支路包括传输门(3)、传输门(4)、第三冗余支路(1)、第三冗余支路(2)、第三判决支路、反相器(2)。本发明通过输入X和输入X’分别经过第二/三输入支路中的第二/三冗余支路、第二/三判决支路实现抗SEU加固的效果,再经过反相器(1)和反相器(2)实现反相,最终通过第一/四输出支路输出节点A(=X’)和输出节点D(=X),实现抗SEU加固的功能。

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