一种温度、压力集成传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110006490A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910318170.7

    申请日:2019-04-19

    Abstract: 本发明公开了传感器技术领域的一种温度、压力集成传感器及其制备方法,旨在解决传感器使用导线传输采集到的信号,在一些极端恶劣环境中会受到影响甚至无法工作的技术问题。一种温度、压力集成传感器,包括衬底,设置在衬底表面的压电材料,所述压电材料上设有谐振器,所述衬底内部设有密封腔。利用沉积在压电材料上的延时线型SAW谐振器会随外界温度而改变谐振频率的效应来测定温度;利用生长在空腔上的延时线型SAW谐振器会随外界压力而改变谐振频率的效应来测定压力。本发明所述温度、压力集成传感器无需内加能源来驱动且不需要使用导线传输信号,使传感器具备了无线无源,能在在高温、高压、密封空间等极端恶劣环境中工作的特点。

    一种压力、温度集成传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110311641B

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN201910564925.1

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明公开了一种压力、温度集成传感器及其制备方法,包括底座、衬底及设置在衬底表面的FBAR谐振器,底座沿厚度方向设置有通孔,所述衬底内部设有第一密闭空腔和第二密闭空腔,第一密闭空腔底部与通孔相连通;其中一个FBAR谐振器设置位于第一密闭空腔正上方,一个FBAR谐振器设置位于第二密闭空腔正上方,余下至少一个FBAR谐振器设置位于衬底无密闭空腔部位上方。本发明所述压力、温度集成传感器具备压力传感器模块的温度补偿特性,能够准确地测定压力、温度两个参量,具有能够在高温、高压等极端恶劣环境中工作的优点。

    一种谐振型SAW温度-湿度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112097835A

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN202011000715.9

    申请日:2020-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于谐振型SAW的温度‑湿度传感器,包括单晶硅衬底、氧化硅、氮化铝、金属Al、聚酰亚胺介质层和密封腔,本发明结构简单、机械强度高、批量生产、成本低,并且本发明可在高温、高压力、密封空间等极端恶劣环境中工作,本发明通过使用独特加工技术的SAW传感器更具有体积小,价格低,与集成电路工艺兼容,产品一致性好的特点。

    一种谐振型SAW温度、压力集成传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN111721365A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010679007.6

    申请日:2020-07-15

    Abstract: 本发明公开了一种谐振型SAW温度、压力集成传感器及制备方法。制备时,以硅片衬底的对称轴为分界线,在对称轴的两侧分别制作为测试温度的传感器和测试压力的传感器。本发明通过采用了外延单晶硅封腔工艺,使得其在硅片衬底一侧的内部中成一个单晶硅密封的空腔腔体,从而实现了能够在同一硅衬底上对两种物理参量的测量,降低了生产成本,提高了器件的适用性。

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