公开(公告)号：CN118322665A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410235361.8

申请日：2024-03-01

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 连坤 ,  周丽雪 ,  张涛 ,  陈明珠 ,  刘桂银

IPC: B32B9/04 ,  B32B7/10 ,  B32B37/00 ,  B32B38/10

Abstract: 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括以下步骤：在第一衬底层表面制备第一隔离层得到第一结合体；在第二衬底层表面制备缺陷层得到第二结合体；将功能层的表面与第一结合体中第一隔离层的表面键合，得到第一键合体；去除第一键合体表面的第一衬底层得到第二键合体；将第二结合体与第二键合体键合得到复合薄膜。通过本申请实施例的设置，提供了一种制备能够优化电子器件性能复合薄膜的制备方法，且该制备方法制备复合薄膜生产时间较短，生产效率较高。

公开(公告)号：CN117067100A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311074835.7

申请日：2023-08-25

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 周丽雪 ,  陈明珠 ,  连坤 ,  王金翠 ,  胡卉 ,  胡文

IPC: B24B37/04 ,  B24B7/22 ,  B24B37/10 ,  B24B37/013 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00

Abstract: 本申请实施例提供了一种晶圆及提高晶圆平整度的方法，该方法利用硬度不同的第一抛光垫和第二抛光垫依次对晶圆表面进行抛光处理。第一抛光垫和第二抛光垫两者中硬度较小的一者具有压缩比大、弹性好的优点；另一者则具有耐磨性好、抛光效率高的特点。二者依次对晶圆表面抛光处理，利用硬度不同的抛光垫的差异形成去除方式的差异，以结合不同硬度抛光垫的抛光优点，使晶圆在去除相同厚度的情况下获得更好的抛光效果，提高晶圆表面的平整度。

公开(公告)号：CN118116792A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410141205.5

申请日：2024-01-31

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 殷菲菲 ,  陈明珠 ,  周丽雪 ,  王金翠 ,  连坤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  B32B9/04 ,  B32B7/10 ,  B32B33/00 ,  B32B37/00 ,  B32B38/00

Abstract: 本申请提供一种调整翘曲的工艺方法以及复合薄膜，所述方法包括准备衬底晶圆和供体晶圆；对所述衬底晶圆进行预处理，以及，将所述衬底晶圆和所述供体晶圆键合形成复合薄膜；通过刻蚀对所述复合薄膜的正面薄膜层进行一次减薄；对所述复合薄膜的背面衬底晶圆进行二次减薄；对减薄后的复合薄膜进行高温退火，以去除残余应力。通过刻蚀先对复合薄膜的正面薄膜层进行减薄，为降低刻蚀速率过快带来的表面厚度不均匀，正面减薄完成后，对复合薄膜的背面衬底面进行减薄，以抵消工艺面侧的由于减薄工艺产生的表面残余应力，从而根据不同应用场景对复合薄膜进行减薄，通过对减薄量的控制，解决复合薄膜明显翘曲缺陷的问题。