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公开(公告)号：CN118173432A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410141196.X
申请日：2024-01-31
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/20 , B32B9/04 , B32B33/00
Abstract: 本申请提供一种低翘曲的复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜从下至上依次包括支撑层、衬底层和有源层，所述支撑层的材质为金属材料；所述制备方法包括：准备衬底晶圆和供体晶圆；将衬底晶圆与供体晶圆键合得到复合薄膜；对复合薄膜的衬底层进行化学机械抛光，降低衬底层的粗糙度，获得光滑平坦的衬底层；在衬底层上镀一层支撑层。通过复合薄膜的衬底层进行磁控溅射，镀上一层坚硬的金属层作为支撑，以降低晶圆在后续工艺中发生的变形程度，达到降低翘曲的目的。
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公开(公告)号：CN118116792A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410141205.5
申请日：2024-01-31
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种调整翘曲的工艺方法以及复合薄膜，所述方法包括准备衬底晶圆和供体晶圆；对所述衬底晶圆进行预处理，以及，将所述衬底晶圆和所述供体晶圆键合形成复合薄膜；通过刻蚀对所述复合薄膜的正面薄膜层进行一次减薄；对所述复合薄膜的背面衬底晶圆进行二次减薄；对减薄后的复合薄膜进行高温退火，以去除残余应力。通过刻蚀先对复合薄膜的正面薄膜层进行减薄，为降低刻蚀速率过快带来的表面厚度不均匀，正面减薄完成后，对复合薄膜的背面衬底面进行减薄，以抵消工艺面侧的由于减薄工艺产生的表面残余应力，从而根据不同应用场景对复合薄膜进行减薄，通过对减薄量的控制，解决复合薄膜明显翘曲缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117116759A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311146720.4
申请日：2023-09-07
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种衬底外延层表面寄生电导效应的方法，包括以下步骤：在衬底基体上沉积吸杂层，无氧气氛下退火得到衬底基体/吸杂层；对吸杂层进行腐蚀，得到无杂质衬底层。利用这种方法得到的衬底外延层制备复合薄膜的方法为：薄膜基体通过离子注入形成薄膜层、注入层和余质层，将薄膜层和无杂质衬底层的工艺面键合得键合体，对键合体热处理，剥离余质层，得到复合薄膜。本发明通过在衬底层上制备吸杂层，在无氧气氛下退火对衬底层所含杂质以及游离的电荷进行吸附，然后再腐蚀掉吸杂层的方法，使得衬底外延层表面的表面寄生电导效应得到有效抑制，保证衬底层在后续制备复合薄膜或器件时不会产生表面寄生电导效应。
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公开(公告)号：CN116721912A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310625482.9
申请日：2023-05-30
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/3115
Abstract: 本申请提供了一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过对衬底基板的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得电荷阻隔层，然后在掺杂后的衬底基板上制备缺陷层，缺陷层采用在衬底基板上沉积制备或者采用腐蚀法腐蚀衬底基板或采用注入法注入衬底基板产生注入损伤，形成缺陷层；再在缺陷层上采用沉积法或氧化法制备隔离层，形成复合基底；将薄膜基体注入片与复合基底的隔离层进行键合形成键合体，并进行热处理形成复合薄膜。本发明的复合基底、复合薄膜增加了用于阻止缺陷层中的电荷下溢的电荷阻隔层，能够大幅度提高衬底层和缺陷层界面间的阻抗，防止影响其在电子元器件制备中的应用。
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公开(公告)号：CN112379480B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011289162.3
申请日：2020-11-17
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种波导结构复合衬底的制备方法、复合衬底及光电晶体薄膜，其中，所述波导结构复合衬底的制备方法包括在衬底层上制备波导层前体；在所述波导层前体上制备移除层前体；在所述移除层前体上进行刻蚀，形成移除层；在所述波导层前体上进行刻蚀，形成波导层，所述波导层的顶部图案和所述移除层的图案相同，其中刻蚀后在所述波导层中形成凹槽结构，所述凹槽结构的高度等于所述波导层厚度；在所述衬底层上所述移除层所在的一侧沉积包覆隔离层材料；去除所述移除层；继续沉积所述包覆隔离层材料，并对其平坦化至目标厚度，得到包覆隔离层，获得波导结构复合衬底。采用上述方案，缩短复合衬底的制备时间，提高复合衬底的制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114141630A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111452356.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/425 , H01L21/46 , H01L29/24
Abstract: 本申请公开了一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件，所述方法包括：准备薄膜晶圆与非同质衬底晶圆；对所述薄膜晶圆执行两次离子注入处理，其中第一次离子注入的深度与第二次离子注入的深度差值为20nm‑200nm，得到包含余质层、第一注入层、第二注入层和薄膜层四层结构的薄膜晶圆注入片；对所述薄膜晶圆注入片与所述非同质衬底晶圆执行键合，得到键合体；对所述键合体执行热处理，得到分离气泡层；在所述分离气泡层处剥离掉所述余质层，使得所述余质层与所述薄膜层分离，得到复合薄膜。本申请通过二次离子注入，使薄膜晶圆和衬底晶圆不会产生较大热膨胀系数的差异，也就不会导致薄膜层炸裂，进而提高了薄膜晶圆的成品良率。
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公开(公告)号：CN114141610A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111453357.1
申请日：2021-12-01
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法包括：用纯水对晶圆进行初级清洗；用乙醇对晶圆表面进行擦拭清洁；清洁完成后用纯水浸泡去除乙醇；采用第一清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第一清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；采用第二清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第二清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；采用第三清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第三清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；再次采用第一清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第一清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；最后将晶圆浸泡在纯水中，进行兆声清洗的同时通二氧化碳气体，清洗完毕进行甩干操作。
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公开(公告)号：CN113050306A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110259608.6
申请日：2021-03-10
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种用于电光调制器的电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，在层叠有电极层的支撑基板上制备目标凹槽阵列；将电光晶体基片进行离子注入、并切割成电光晶体切片；将各个电光晶体切片转移至目标凹槽阵列中对应的凹槽内、且与目标凹槽阵列中对应的凹槽内的隔离层键合，得到键合体；对所述键合体进行热处理，得到电光晶体薄膜。本申请不需要对铌酸锂和钽酸锂等物理和化学性质都非常稳定的电光晶体材料进行刻蚀形成光波导，而是将切割好的各电光晶体切片转移至预先制备得到的凹槽阵列中对应的凹槽内，其中，保留在各个凹槽内的电光晶体薄膜层形成光波导结构，通过由电极形成的凹槽控制光波导的光信号，从而实现电光调制功能。
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公开(公告)号：CN112382563A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011271851.1
申请日：2020-11-13
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/02
Abstract: 本申请实施例提供一种离子注入薄膜晶圆剥离方法、单晶薄膜及电子元器件，其中，所述方法包括：准备衬底晶圆；准备离子注入后的薄膜晶圆，其中离子注入后的薄膜晶圆为具有薄膜层、分离层和余质层的薄膜晶圆；将所述薄膜晶圆的薄膜层与所述衬底晶圆键合，形成键合体；对键合体采用逐步加热的方式，实现薄膜层与余质层的逐步分离。采用前述的方案，利用逐步加热键合体，使余质层与薄膜层的逐步分离，避免余质层与薄膜层整体分离产生的作用力，使晶片炸裂的问题。
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公开(公告)号：CN116065127B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310041547.5
申请日：2023-01-11
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括衬底基板、第一隔离层、第二隔离层和功能薄膜层，所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述功能薄膜层自下而上依次层叠设置于所述衬底基板的表面，且所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质相同，所述第二隔离层的直径小于所述第一隔离层的直径。本申请会使得第一隔离层与第二隔离层之间的键合力更强，使衬底基板与功能基板所形成的键合体具有更好的键合效果，进而使得从键合体中剥离形成的复合薄膜具有更好的结构强度和稳定性。
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