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公开(公告)号：CN102745678A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210240521.5
申请日：2012-07-12
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法，主要利用等离子溅射技术将氮元素精确掺杂嵌入石墨烯结构。本发明首先将反应基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗30分钟并用高纯气体吹干，然后将反应基底放入化学气相沉积装置中利用化学沉积方法在反应基底表层生长出单层或多层石墨烯薄膜，接着将生长完石墨烯的反应基底放入等离子体溅射装置并利用高压电离出的氮元素在真空环境中掺杂进入石墨烯结构，最后将反应基底完全腐蚀干净可以得到掺杂石墨烯。本发明提供的掺氮石墨烯制备方法操作方便，流程简单，可以广泛应用于工业化大规模生产，适用于太阳能电池、燃料电池等催化剂研究领域。
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公开(公告)号：CN102728289B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210240596.3
申请日：2012-07-12
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J13/02
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡-二氧化钛核壳结构纳米复合材料的制备方法，包括利用化学气相沉积法制备二氧化锡纳米线和利用原子气相沉积法在二氧化锡纳米线表面逐层包覆上金红石相的二氧化钛纳米结构。本发明首先利用化学气相沉积装置在已经喷涂上纳米金颗粒的硅片表面生长出二氧化锡纳米线；然后利用紫外处理装置在二氧化锡纳米线表面附着上羟基基团；最后将生长上二氧化锡纳米线的硅片放置在原子层沉积装置中，利用原子气相沉积法交替循环沉积上二氧化钛纳米结构和羟基基团形成二氧化锡-二氧化钛核壳纳米线结构。本发明具有操作流程简单，核壳结构厚度精确可控，尺寸分布均匀等优点。
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公开(公告)号：CN102728289A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210240596.3
申请日：2012-07-12
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J13/02
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡-二氧化钛核壳结构纳米复合材料的制备方法，包括利用化学气相沉积法制备二氧化锡纳米线和利用原子气相沉积法在二氧化锡纳米线表面逐层包覆上金红石相的二氧化钛纳米结构。本发明首先利用化学气相沉积装置在已经喷涂上纳米金颗粒的硅片表面生长出二氧化锡纳米线；然后利用紫外处理装置在二氧化锡纳米线表面附着上羟基基团；最后将生长上二氧化锡纳米线的硅片放置在原子层沉积装置中，利用原子气相沉积法交替循环沉积上二氧化钛纳米结构和羟基基团形成二氧化锡-二氧化钛核壳纳米线结构。本发明具有操作流程简单，核壳结构厚度精确可控，尺寸分布均匀等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102747337B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210223312.X
申请日：2012-06-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法。本发明首先向反应系统通入具有还原性质的气体，在高温下将反应基底的金属表面氧化层完全去除。其次向反应系统通入碳源气体，其中碳源气体高温下裂解并分离出碳原子，碳原子高温时溶解在反应基底的金属表面层。然后快速冷却高温反应炉，使反应系统温度骤降，低温下碳原子在金属中的溶解性明显降低，碳原子迅速在金属表面析出形成非晶碳薄膜。最后将反应基底上的非晶碳薄膜在一定温度下进行表面退火处理，非晶碳薄膜的质量进一步提高。本发明利用金属在不同温度下对碳原子的溶解和析出作用，工艺简单，操作方便，适合大面积低成本制备。
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公开(公告)号：CN102745678B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210240521.5
申请日：2012-07-12
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法，主要利用等离子溅射技术将氮元素精确掺杂嵌入石墨烯结构。本发明首先将反应基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗30分钟并用高纯气体吹干，然后将反应基底放入化学气相沉积装置中利用化学沉积方法在反应基底表层生长出单层或多层石墨烯薄膜，接着将生长完石墨烯的反应基底放入等离子体溅射装置并利用高压电离出的氮元素在真空环境中掺杂进入石墨烯结构，最后将反应基底完全腐蚀干净可以得到掺杂石墨烯。本发明提供的掺氮石墨烯制备方法操作方便，流程简单，可以广泛应用于工业化大规模生产，适用于太阳能电池、燃料电池等催化剂研究领域。
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公开(公告)号：CN103086331A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310065243.9
申请日：2013-03-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法。将300毫升乙二醇加入到三口烧瓶中，用机械搅拌装置将三口烧瓶固定在加热套上；在溶液中，加入1-3毫摩尔的乙二胺四乙酸，搅拌溶解；加入与乙二胺四乙酸等摩尔量的氯化铋，搅拌溶解；加入0.1-0.5摩尔/升的NaOH，搅拌溶解；按照BiCl2:SeO2为2:3的比例，在溶液中加入氧化硒粉末，搅拌溶解；升温至120-190摄氏度，保温0.5-8个小时；冷却到室温，抽滤，在120摄氏度下烘干。本发明操作简单，容易实现，适宜于批量生产。且该发明合成的硒化铋片层薄，结晶性好，纳米片尺寸均匀。作为拓扑绝缘体材料，有效的降低时间反演对称性散射，进一步提高材料的热电性能，在热电器件、热电制冷领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102931437A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210447440.2
申请日：2012-11-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M10/058 , H01M4/1393
Abstract: 本发明公开了一种基于泡沫镍生长的石墨烯为负极的锂离子电池制作过程。目前的硅基、钛基、锡基和过渡金属氧化物作为锂离子电池负极，主要循环稳定性比较差等问题，并在嵌、脱锂的过程中存在严重的体积效应。本发明首先利用化学气相沉积技术，在泡沫镍上生长完多层石墨烯，利用冲片机将其冲切成一定尺寸的圆形负极薄片，按照支撑体、圆形负极薄片、隔膜、圆形正极薄片、支撑体的顺序依次放入电池外壳内部，并用压片机压合电池外壳和盖帽，完成锂电池制作过程。本发明提供的基于泡沫镍生长的石墨烯为负极的锂离子电池，工艺成熟，制作简单，电池能量密度高，可以实现充放电性能和循环寿命的显著提升，易于工业推广使用。
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公开(公告)号：CN102747337A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210223312.X
申请日：2012-06-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法。本发明首先向反应系统通入具有还原性质的气体，在高温下将反应基底的金属表面氧化层完全去除。其次向反应系统通入碳源气体，其中碳源气体高温下裂解并分离出碳原子，碳原子高温时溶解在反应基底的金属表面层。然后快速冷却高温反应炉，使反应系统温度骤降，低温下碳原子在金属中的溶解性明显降低，碳原子迅速在金属表面析出形成非晶碳薄膜。最后将反应基底上的非晶碳薄膜在一定温度下进行表面退火处理，非晶碳薄膜的质量进一步提高。本发明利用金属在不同温度下对碳原子的溶解和析出作用，工艺简单，操作方便，适合大面积低成本制备。
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