一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102373425B

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201110342906.8

    申请日:2011-11-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法,采用脉冲激光沉积法。该方法采用高纯ZnO和高纯NaF陶瓷靶材作为溅射靶材,交替溅射生长ZnO层和Na层,制备p型Na掺杂ZnO薄膜。靶材与衬底的之间的距离为4.5~5.5cm,生长室背地真空度抽至1×10-4~1×10-3Pa,然后加热衬底,使衬底温度为400~700℃,激光频率为3~10Hz,激光能量为250~350mJ。长后的薄膜以3~5℃/min冷却至室温。本发明提出的Na掺杂ZnO薄膜的制备方式简单,所用的设备与现行工艺兼容。

    医用缓释金属离子的无定型纳米磷酸钙粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN1785442A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200510061751.5

    申请日:2005-11-30

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种医用缓释金属离子的无定型纳米磷酸钙粉末的制备方法,该方法以含金属离子化合物、含磷化合物和含钙化合物为原料,以聚合物为稳定剂,在水溶液中0~20℃温度下发生反应,生成了含金属离子的无定形纳米磷酸钙。本发明解决了在水溶液中很难制备无定型磷酸钙的难题,克服了无定型纳米磷酸钙材料不能有效的刺激蛋白活性,促进细胞生长和骨生长等缺点。通过调节金属离子含量,可以控制金属离子释放速率。本发明制备方法简单易行,操作简单,成本低,易于产业化。

    医用缓释金属离子的无定型纳米磷酸钙粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN100428963C

    公开(公告)日:2008-10-29

    申请号:CN200510061751.5

    申请日:2005-11-30

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种医用缓释金属离子的无定型纳米磷酸钙粉末的制备方法,该方法以含金属离子化合物、含磷化合物和含钙化合物为原料,以聚合物为稳定剂,在水溶液中0~20℃温度下发生反应,生成了含金属离子的无定形纳米磷酸钙。本发明解决了在水溶液中很难制备无定型磷酸钙的难题,克服了无定型纳米磷酸钙材料不能有效的刺激蛋白活性,促进细胞生长和骨生长等缺点。通过调节金属离子含量,可以控制金属离子释放速率。本发明制备方法简单易行,操作简单,成本低,易于产业化。

    一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102373425A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110342906.8

    申请日:2011-11-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法,采用脉冲激光沉积法。该方法采用高纯ZnO和高纯NaF陶瓷靶材作为溅射靶材,交替溅射生长ZnO层和Na层,制备p型Na掺杂ZnO薄膜。靶材与衬底的之间的距离为4.5~5.5cm,生长室背地真空度抽至1×10-4~1×10-3Pa,然后加热衬底,使衬底温度为400~700℃,激光频率为3~10Hz,激光能量为250~350mJ。长后的薄膜以3~5℃/min冷却至室温。本发明提出的Na掺杂ZnO薄膜的制备方式简单,所用的设备与现行工艺兼容。

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