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公开(公告)号：CN102157650A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110033849.5
申请日：2011-01-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及垂直结构的GaN基发光二极管的制备方法，步骤包括：用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石片、单晶硅片或碳化硅片衬底上依次生长Zn1-xMgxO缓冲层和Zn1-yMgyO外延层构成复合衬底，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，在复合衬底上依次生长GaN缓冲层、n型GaN外延层、GaN/InGaN多量子阱发光层和p型GaN外延层；用直流溅射法在p型GaN外延层和导电、导热基板上分别沉积金属层；将上述两金属层压焊熔合，使p型GaN外延层与基板通过金属层键合；用化学腐蚀剥离衬底、Zn1-xMgxO缓冲层和Zn1-yMgyO外延层；通过光刻工艺，蒸镀n型接触电极。本发明可以获得大功率、高亮度的发光器件，生产成本低。
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公开(公告)号：CN101097979A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710070016.X
申请日：2007-07-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的ZnO基发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层、n-Zn1-xMgxO薄膜层、0＜x＜0.6，ZnO量子阱层、p-Zn1-xMgxO薄膜层、0＜x＜0.6，p-ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积有第一电极，其中ZnO量子阱层由z个周期的ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层构成，0＜y＜0.5，z值为5～10。采用金属有机物化学气相沉积法生长，其中，p-ZnO和p-Zn1-xMgxO薄膜层用O2/NO混合气体的非等离子体辅助氮掺杂。通过优化NO/O2比例可以提高氮掺杂浓度，有利于提高器件性能。ZnO基发光二极管以量子阱作为有源层，利于提高发光效率。
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公开(公告)号：CN102373425A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110342906.8
申请日：2011-11-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，采用脉冲激光沉积法。该方法采用高纯ZnO和高纯NaF陶瓷靶材作为溅射靶材，交替溅射生长ZnO层和Na层，制备p型Na掺杂ZnO薄膜。靶材与衬底的之间的距离为4.5～5.5cm，生长室背地真空度抽至1×10-4～1×10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为400～700℃，激光频率为3～10Hz，激光能量为250～350mJ。长后的薄膜以3～5℃/min冷却至室温。本发明提出的Na掺杂ZnO薄膜的制备方式简单，所用的设备与现行工艺兼容。
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公开(公告)号：CN100533790C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710070016.X
申请日：2007-07-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的ZnO基发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层、n-Zn1-xMgxO薄膜层、0＜x＜0.6，ZnO量子阱层、p-Zn1-xMgxO薄膜层、0＜x＜0.6，p-ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积有第一电极，其中ZnO量子阱层由z个周期的ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层构成，0＜y＜0.5，z值为5～10。采用金属有机物化学气相沉积法生长，其中，p-ZnO和p-Zn1-xMgxO薄膜层用O2/NO混合气体的非等离子体辅助氮掺杂。通过优化NO/O2比例可以提高氮掺杂浓度，有利于提高器件性能。ZnO基发光二极管以量子阱作为有源层，利于提高发光效率。
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公开(公告)号：CN101009330A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710066966.5
申请日：2007-01-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的ZnO基透明场效应晶体管，包括衬底、沟道、源极、漏极、栅绝缘层、栅极和接触电极，其特征是沟道层为p－ZnO薄膜，源极和漏极是掺杂浓度为1019～1021cm－3的n－ZnO薄膜。该场效应晶体管采用透明的ZnO材料作场效应晶体管的沟道层和源、漏极，避免了Si薄膜晶体管中光电子漏电流对其工作状态的影响，增加了器件的灵敏度，并且能同时工作在光学和电学模式下。ZnO薄膜的载流子迁移率比其他目前已经知道对可见光透明的半导体材料要大得多，并且具有耐高温、抗辐射性强等优点，使该场效应晶体管可以适用于高温，强辐射的环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114813804B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210738091.3
申请日：2022-06-28
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2273
Abstract: 本发明提供了一种一体式具有隔离功能的样品转移装置，包括一样品台和罩设于其上的密封罩，所述样品台包括底座和与之固定连接的样品托；所述密封罩包括外密封罩和内密封罩，所述外密封罩用于连接所述样品托和所述内密封罩，所述内密封罩用于与所述样品托形成密封空间，用于隔离空气和水汽；当所述内密封罩的下底面与所述样品托上表面接触时，自所述样品托上表面向上延伸至所述内密封罩的内腔顶部之间形成密封空间。本发明提供的一体式具有隔离功能的样品转移装置可实现水氧敏感样品在真空或惰性气氛下的转移，隔离效果好，还可最大程度利用各仪器所限定的样品托的有效使用面积，载样量大，转移效率高，且具有结构简单、操作简便的特点。
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公开(公告)号：CN114813804A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210738091.3
申请日：2022-06-28
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2273
Abstract: 本发明提供了一种一体式具有隔离功能的样品转移装置，包括一样品台和罩设于其上的密封罩，所述样品台包括底座和与之固定连接的样品托；所述密封罩包括外密封罩和内密封罩，所述外密封罩用于连接所述样品托和所述内密封罩，所述内密封罩用于与所述样品托形成密封空间，用于隔离空气和水汽；当所述内密封罩的下底面与所述样品托上表面接触时，自所述样品托上表面向上延伸至所述内密封罩的内腔顶部之间形成密封空间。本发明提供的一体式具有隔离功能的样品转移装置可实现水氧敏感样品在真空或惰性气氛下的转移，隔离效果好，还可最大程度利用各仪器所限定的样品托的有效使用面积，载样量大，转移效率高，且具有结构简单、操作简便的特点。
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公开(公告)号：CN103077963B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310006807.1
申请日：2013-01-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三电极层是Ti金属层，第四电极层是热惰性金属层。其制备方法包括在n型宽带隙半导体基底表面制备出电极图案，再采用真空热电子束蒸发或溅射法在基底上依次沉积Ti金属、Ni金属、Ti金属和热惰性金属层。本发明可以提供n型宽带隙半导体基底上具有低接触电阻率、热稳定性和热平整性的欧姆接触电极，及具有该欧姆接触电极的半导体元件。
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公开(公告)号：CN102373425B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110342906.8
申请日：2011-11-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，采用脉冲激光沉积法。该方法采用高纯ZnO和高纯NaF陶瓷靶材作为溅射靶材，交替溅射生长ZnO层和Na层，制备p型Na掺杂ZnO薄膜。靶材与衬底的之间的距离为4.5～5.5cm，生长室背地真空度抽至1×10-4～1×10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为400～700℃，激光频率为3～10Hz，激光能量为250～350mJ。长后的薄膜以3～5℃/min冷却至室温。本发明提出的Na掺杂ZnO薄膜的制备方式简单，所用的设备与现行工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101431138A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810162694.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开的p型ZnO的欧姆接触电极，在p型ZnO层上自下而上依次沉积第一电极层和第二电极层，其中第一电极层是金属Ni层，第二电极层是金属Pt层。其制备方法包括在p型ZnO层表面光刻出电极图案，然后采用真空电子束蒸发法在p型ZnO层上依次沉积金属Ni层和金属Pt层，再将制备的电极在氮气中400℃～550℃范围内进行快速热退火。经过快速退火使电极金属表面附近形成一层Pt－Ni合金保护层，从而可避免电极材料受到环境的影响而造成性能衰退，同时可以避免p型ZnO中的受主杂质向外逃逸，保持p型ZnO层中的空穴浓度。本发明的p型ZnO的欧姆接触电极具有低接触电阻率和热稳定性，有利于器件应用。
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