公开(公告)号：CN111363948B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202010334800.2

申请日：2020-04-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 刘嘉斌 ,  王宏涛 ,  方攸同 ,  方晓阳 ,  张进东 ,  王立天 ,  孟亮

IPC: C22F1/08 ,  C22C9/00 ,  C22C1/02 ,  B22D11/055 ,  B22D11/115 ,  B22D11/124

Abstract: 本发明公开了一种高强高导铜合金的高效短流程制备方法，包括如下步骤：(a)水平连铸得到铜合金的铸态初坯，所得铸态初坯内合金元素均处于过饱和固溶态；(b)将步骤(a)所得的铸态初坯扒皮后，直接依次进行连续挤压、冷加工和时效退火处理得到铜合金，并且在连续挤压过程中保持坯料的合金元素处于过饱和固溶态。本发明所提供的连续化制备高强高导铜合金的方法，能缩短流程、降低能耗和成本、提高产品成型率并保障铜合金的高强度和高电导率。

公开(公告)号：CN110018189A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201910215090.9

申请日：2019-03-21

Applicant: 浙江大学 ,  中国中车股份有限公司 ,  天津中铁电气化设计研究院有限公司 ,  邢台鑫晖铜业特种线材有限公司

Inventor： 王宏涛 ,  侯梦莲 ,  方攸同 ,  孟亮 ,  刘嘉斌 ,  苏光辉 ,  王立天 ,  张进东

IPC: G01N23/22 ,  G01N23/2202

Abstract: 本发明公开了一种研究高强高导铜合金强化机制的原位透射电镜方法，本发明将透射电镜与原位拉伸实验有效结合，采用透射电镜原位拉伸的手段研究高强高导铜合金的强化机制，进一步探究其强化机理；将实验过程直观呈现，为研究材料的变形机制、结构与性能等提供了实时的直接证据；本发明还能够直接观察和实时记录合金中析出相与位错交互作用过程。本发明采用的夹持装置可以灵活调节样品位置使其中心对孔，通过滑轨设置代替原有的夹具中所常采用的夹持方式，本发明样品装持位置稳定，而且在外力作用下便于调节。

公开(公告)号：CN104638067A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510065495.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪牡丹 ,  薛东鹏 ,  陈陈旭 ,  凌国平 ,  方攸同 ,  孟亮 ,  刘嘉斌

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0296

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0296

Abstract: 一种FeS2纳米管薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；配置种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜，在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；配置改性溶液；ZnO纳米棒阵列进行改性处理，使ZnO纳米棒的外表面覆盖上均匀的一层负电荷层；将上述制得的PSS/PDDA改性的ZnO纳米棒阵列薄膜放在FeCl3水溶液中至少静置；FTO基底上覆盖有Fe2O3纳米管阵列薄膜；Fe2O3纳米管阵列薄膜为中间产物薄膜；硫化Fe2O3纳米管阵列转化为FeS2纳米管阵列。本发明具有能使FeS2颗粒在均匀分布堆积成纳米管的优点。

公开(公告)号：CN104466089A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410764757.8

申请日：2014-12-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邢程程 ,  刘嘉斌 ,  汪牡丹 ,  曹可 ,  黄六一 ,  孟亮 ,  方攸同

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M4/5815 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: FeS片状阵列薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗-超声波清洗-冲洗，干燥得到FeS·mEDA前驱体纳米片阵列；将FeS·mEDA纳米片阵列真空热处理得到FeS片状阵列薄膜。FeS片状阵列薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS纳米片，FeS纳米片与铁箔基底垂直，FeS纳米片交叉呈开放的网状阵列。本发明具有能够有效缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。

公开(公告)号：CN102560374A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210006606.7

申请日：2012-01-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  王峰 ,  汪牡丹

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法。镀膜基底在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗，再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗烘干；溅射纯Fe膜，控制基底温度及厚度。将纯Fe膜和硫粉封装于玻璃管中硫化处理。发明可得到细小均匀的先驱体铁膜晶粒度，晶粒尺寸大小可方便控制。可以利用优化先驱体膜溅射及随后的硫化处理两不同技术的优化，灵活控制最终得到的FeS2薄膜质量及状态，控制手段和过程更为灵活，有利于优化制备技术。也可为FeS2薄膜的工业化生产提供更多选择。

公开(公告)号：CN101724798A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910157122.0

申请日：2009-12-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  包国欢

IPC: C22F1/08 ,  B22D7/02

Abstract: 本发明公开了一种Cu-12％Fe合金的复合热处理方法。将给定质量百分数配比的12％工业纯铁、其余为电解铜原材料置于真空感应炉中，在低于0.1Pa大气压下加热至1400℃熔化，经电磁搅拌均匀及静置2～3min除气后向炉内充Ar至30kPa，浇注成直径Φ20.0mm的棒状铸锭；将铸锭在真空热处理炉中分三个阶段加热、保温、水冷后在热处理炉中以平均10℃/min的升温速率加热至时效温度保温后空冷。本热处理参数控制简单灵活，将Cu-12％Fe的均匀化、固溶及时效热处理过程结合在一起，能够有效消除晶内偏析、避免晶粒粗化、使析出相粒子分布均匀，显著提高了硬度和电导率，可为后续的纤维复合组织加工提供良好的预备组织。

公开(公告)号：CN101531149A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910097340.X

申请日：2009-04-09

Applicant: 中铁电气化局集团有限公司 ,  河北晶辉电工有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 张曙光 ,  孟亮 ,  于增 ,  韦国 ,  王祖峰 ,  董安平 ,  王立天 ,  方攸同 ,  张进东 ,  李金华

IPC: B60M1/28 ,  C22C1/03 ,  C21D1/26 ,  B22D11/14 ,  B21C23/22 ,  B21C1/02

Abstract: 本发明公开了一种超长Cu－Cr－Zr合金接触线的制备方法。感应炉中熔炼含量为Cu－(0.30～0.60)％Cr－(0.10～0.15)％Zr－(0.01～0.02)％Si合金，通过连续铸造铸、挤压、热处理、冷拉拔及轧制等工艺，制备公称截面积为110～150mm2的接触线，在简化工艺、设备及合金成分比较简单的条件下，使得单根成品长度达到1000～1500m的接触线具有优良的抗拉强度、电导率及抗高温软化能力。

公开(公告)号：CN100440549C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610049832.8

申请日：2006-03-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  刘艳辉

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种FeS2/In2S3复合膜的制备方法。采用ITO膜导电玻璃基片，在摩尔浓度比为1∶(5～6)的水溶液中电沉积预制膜，经130～180℃氧化处理得到多孔形态的Fe3O4/In2O3复合先驱体膜，再在40～80kPa硫蒸气名义压力气氛中经400℃硫化处理10～30h，使复合先驱体膜转变成FeS2/In2S3复合膜。本发明在电沉积后引入氧化工艺，促进了热硫化中的FeS2反应，直接由基底膜硫化形成In2S3，省去了单独合成In2S3的工艺过程，FeS2/In2S3两相界面结合能够得到有效保证，复合膜与基片之间附着牢固可靠。

公开(公告)号：CN1560313A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN200410016688.9

申请日：2004-02-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  刘嘉斌 ,  张雷

IPC: C22F1/08 ,  C22C9/00 ,  C22C1/02

Abstract: 本发明公开了一种控制复相纤维强化铜银合金性能匹配的热处理工艺。将材料纯Ag、电解Cu按质量12∶88比例的合金，经真空熔炼、浇注、720℃/4h均匀化处理、冷拉拔至变形程度η＝5.1～7.0，并在拉拔过程中当变形程度η＝1.3、2.0及2.8时分别进行400℃/1h、380℃/1h及360℃/1h中间热处理，得到具有拉长纤维状分布组织的直径为1.6～0.6mm的丝材，并在20～600℃范围内进行保温1h的最终热处理。本发明可在1040～220MPa范围内控制材料的抗拉强度及在73％～93％IACS范围内控制材料的相对电导率，拓展了这种材料的应用范围；控制性能匹配的热处理操作不需要材料加工中间环节的配合，容易实施；不要求极高变形程度的材料组织纤维化加工过程；在中等Ag含量合金中的效果能够使性能达到较高Ag含量合金的水平。

公开(公告)号：CN1380431A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02110785.8

申请日：2002-02-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  张雷 ,  田丽

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/00

Abstract: 银纤维复相强化稀土铜基合金及制造工艺。材料重量百分比Ag为5.9%～6.1%、Cr为1.0%～2.2%,Ce为0.08%～0.10%,La为0.06%～0.08%,Nd为0～0.02%,其余为Cu。先将原材料Cu、Cr置于真空感应炉中,在低于0.1Pa大气压下熔化后向炉内充Ar至40～50kPa,加入Ag并熔化,经电磁搅拌后再加入Ce、La及Nd,熔化并静置2～3分钟后浇注成棒状铸坯。坯料经450℃/2小时热处理后,在冷拉拔变形程度η=1.2～1.4、1.9～2.0及2.6～2.8时分别进行450℃/1小时、400℃/1小时及360℃/1小时退火。本发明优点是:昂贵元素Ag的含量较低;熔注坯料可直接冷变形,中间热处理由5次减少到3次;在降低贵金属消耗量及简化工艺的条件下,其强度与导电性达到含24%～25%Ag的合金水平。