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公开(公告)号：CN102207378A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110056028.3
申请日：2011-03-09
Applicant: 浙江大学 , 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种球面干涉检测中基于波前差分的高精度调整误差校正方法。本发明解决了高精度球面干涉检测中被测面的倾斜和离焦调整误差难以有效校正的难题。本发明通过干涉仪测得待测球面对应微米量级的两组不同离焦量的原始波面数据，再对该波面数据取差值得到波前差分，根据波前差分的波面拟合对应项系数与离焦项的比值，从原始波面数据中分离出离焦调整误差所引入的高阶像差，最后消去原始波面数据中的常数项、倾斜项、离焦项及其对应高阶像差项，进而实现对倾斜、离焦调整误差的高精度校正。本发明为光学球面，尤其是大数值孔径球面的高精度面形干涉检测提供了一种高精度的调整误差校正方法，并具有极其重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN102207378B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110056028.3
申请日：2011-03-09
Applicant: 浙江大学 , 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种球面干涉检测中基于波前差分的高精度调整误差校正方法。本发明解决了高精度球面干涉检测中被测面的倾斜和离焦调整误差难以有效校正的难题。本发明通过干涉仪测得待测球面对应微米量级的两组不同离焦量的原始波面数据，再对该波面数据取差值得到波前差分，根据波前差分的波面拟合对应项系数与离焦项的比值，从原始波面数据中分离出离焦调整误差所引入的高阶像差，最后消去原始波面数据中的常数项、倾斜项、离焦项及其对应高阶像差项，进而实现对倾斜、离焦调整误差的高精度校正。本发明为光学球面，尤其是大数值孔径球面的高精度面形干涉检测提供了一种高精度的调整误差校正方法，并具有极其重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN114653383B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210347897.X
申请日：2022-04-01
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J27/04 , B01J23/888 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种表面钨酸钴和四氧化三钴共同修饰的硫化铟锌光催化剂及其制备方法和用途；钨酸钴和四氧化三钴共同修饰的硫化铟锌的制备方法分为两步，第一步为油浴法，第二步为研磨法；所述钨酸钴和四氧化三钴以固体粉末形式负载在硫化铟锌粉末颗粒表面；在可见光下，三乙醇胺作为空穴牺牲剂存在时，与空白硫化铟锌相比，由钨酸钴修饰后的硫化铟锌光催化剂催化分解水产氢催化效果显著提高，而钨酸钴和四氧化三钴共同修饰的硫化铟锌光催化剂催化效果进一步提高；本发明具有原料廉价易得、制备方法简单等优点，并且钨酸钴和四氧化三钴共同修饰的硫化铟锌光催化剂循环稳定性良好，可以重复利用。
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公开(公告)号：CN113909005B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202111073380.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于离心超重力环境的流量精确控制装置及方法，该装置包括控制中枢、供油模块、传感器模块、执行模块和离心机；控制中枢和供油模块部署在常重力环境中，传感器模块和执行模块部署在超重力环境中；本发明通过传感器采集模型箱的液位信息、伺服作动器的活塞位置信息以及模型箱的供水流量信息，并处理信息数据，通过对分油器的控制实现对伺服作动器的控制，采用双泵组流量主动互补减弱往复式水泵的流量脉动，最终实现流量的精确控制，为再现百米级岩土体演变与灾变提供稳定的试验条件与工程指导。
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公开(公告)号：CN106241778B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201610566864.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种高比表面积多褶皱中空石墨烯微球及其制备方法，该中空石墨烯微球由氧化石墨烯稀溶液经过喷雾成球以及高温膨胀等步骤得到。该中空石墨烯微球是由具有微褶皱的少层石墨烯通过物理交联组成，其球壁具有一定的强度，宏观组装后具有一定的弹性。微球中空，器壁薄，因此具有极大的比表面积，可用作负载催化剂的载体。高温处理过程使得石墨烯片层结构完美，具有极好的电导性，因此又可应用于电磁屏蔽，吸波，电池，以及电容器等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347582A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310326155.X
申请日：2013-07-31
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率器件，通过半导体装置衬底与绝缘的DBC基板相连，所得到的DBC基板再与外部封装相连，可以使得该半导体装置在承受反偏高压时，DBC板承担大部分耐压，器件纵向耐压获得增强。通过优化横向尺寸及结构可以大幅度提高半导体器件的综合耐压水平。
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公开(公告)号：CN106185905A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610565804.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H05K9/0081 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12
Abstract: 本发明通过组装石墨烯实心微球、中空微球以及片层氧化石墨烯，得到纯石墨烯复合电磁屏蔽膜。经过高温退火过程，修复石墨烯缺陷，形成完美的大共轭结构，保证了石墨烯导电通路的畅通。同时高温退火过程使得氧化石墨烯上官能团脱落形成气体，在石墨烯微球的协同作用下剥离石墨烯片层，形成多级孔状结构。高导电的石墨烯基底加上多级孔状结构，使得本发明的石墨烯膜具有极强的电磁屏蔽性能。
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公开(公告)号：CN104347695A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310326456.2
申请日：2013-07-31
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/0646
Abstract: 本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率的晶体管，其衬底下增加埋层承受一定纵向电压，其掺杂类型与衬底掺杂类型相反。当器件承受高压时，其衬底相当于一个反偏二极管，承受大部分电压。可以使得该半导体装置的纵向耐压能力获得增强，因此可以通过优化器件横向尺寸及结构提高器件综合耐压。
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公开(公告)号：CN104347522A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310326457.7
申请日：2013-07-31
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L21/8258
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/7624 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种基于III-V族氮化镓智能功率集成电路的实现方法，本发明的半导体装置为采用III-V族半导体材料的高电子迁移率器件，通过一定的方法在利用SOI技术，将基于 晶向硅材料衬底的高耐压的GaN半导体器件和基于 晶向硅材料的低压器件进行单片功率集成的目的。该方法结构应用于基于不同材料的混合型智能功率集成电路。
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公开(公告)号：CN101488671A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910095948.9
申请日：2009-02-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多节串联锂离子电池包的管理模块，包括与锂离子电池一一对应的多个子管理芯片和一个控制子管理芯片及控制充放电的母管理芯片。每个子管理芯片包括下传多个并行数字信号的下传模块和上传多个并行数字信号的上传模块，并行数字信号在多个子管理芯片间依次传递；母管理芯片的上传接口与信号上行传递路径中的第一个子管理芯片的上传模块连接，母管理芯片的下传接口与信号下行传递路径的最后一个子管理芯片的下传模块连接。本发明的管理模块由便宜的5V单阱标准工艺实现，通过标准CMOS工艺即可制作能保护几十伏的锂离子电池包的管理系统，从而大大降低了制造成本。
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