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公开(公告)号：CN115498974A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211096224.8
申请日：2022-09-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了采用应力控制获得空腔结构的薄膜体声波器件的制备方法，包括在衬底上形成自然氧化层，在自然氧化层上设定有效区域，在有效区域内分别形成压电种子层和牺牲层，压电种子层上形成第一电极，牺牲层的高度不低于压电种子层和第一电极的高度和，去除有效区域以外的自然氧化层以暴露衬底；在暴露的衬底，牺牲层和第一电极的表面上沉积具有内应力的压电薄膜，在压电薄膜上沉积第二电极，金属pad层与第一电极和第二电极相连，通过牺牲层释放孔去除有效区域内的牺牲层和自然氧化层形成空腔。该方法能够有效解决传统工艺中牺牲层移除困难的问题，制备方法简单、高效，本发明还公开了一种空腔薄膜体声波器件。
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公开(公告)号：CN114362704A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111442142.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种空腔薄膜体声波谐振器，包括第一衬底、键合层、不透明介质层、压电振荡堆和金属pad层；其中，第一衬底上形成键合层，键合层上形成不透明介质层，不透明介质层上形成压电振荡堆，不透明介质层与压电振荡堆之间具有空腔，金属pad层与压电振荡堆相连。该谐振器表面粗糙度较低，同时该薄膜各区域厚度能够被较为方便和准确的测量。本发明还公开了一种空腔薄膜体声波谐振器的制备方法，该制备方法节省制备工序，简单、高效。
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公开(公告)号：CN115001426B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210447543.2
申请日：2022-04-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多次键合工艺的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括采用第一次晶圆键合方法制备第一压电薄膜结构，去除第一衬底，并在压电薄膜层表面沉积第二电极，在第二电极表面沉积牺牲层得到第二压电薄膜结构；对第二压电薄膜结构采用第二次晶圆键合方法得到第三压电薄膜结构；减薄第二衬底，在减薄的第二衬底上开窗口至保护层表面得到第一窗口，通过第二窗口在第一电极上沉积金属pad层，通过第三窗口在第二电极上沉积金属pad层，将腐蚀液加入第四窗口腐蚀牺牲层形成空腔，得到最终薄膜体声波谐振器。该方法能够避免制备过程中压电薄膜的崩裂，提升产品良率以及性能。
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公开(公告)号：CN113556054B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110916660.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开一种基于液态金属和固‑液摩擦界面的自驱动、免通道、可扩展传感器，其从下到上依次包括基体层、液体金属诱导层、液态金属层、可插拔基体支架；液体金属诱导层位于基体层上，用于润湿液态金属且用作液态金属的支撑层，并使液态金属沿着液体金属诱导层流动；液体金属诱导层由与液态金属接触角范围为0度到90度的材料制成；液态金属层位于液体金属诱导层上表面。可插拔基体支架布置在基体层上方，其底部插入基体层；可插拔基体支架面向液态金属层的表面上从上到下依次布置有导电金属层、负性摩擦材料层；负性摩擦材料与液态金属的接触角为90到180度，其应具有较强电负性，以使得传感器具有较高输出。本发明制备过程简单，应用灵活。
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公开(公告)号：CN115093577A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210858514.5
申请日：2022-07-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C08J3/00 , C08L89/00 , B32B3/08 , B32B3/30 , B32B25/00 , B32B25/04 , B32B27/00 , B32B27/06 , B32B27/30 , B32B27/34 , B32B33/00 , G01D21/02 , G01P3/50 , H02N1/04
Abstract: 本发明公开了一种液态小球的制备方法，包括：向溶剂加入0.1‑5g明胶粉末，搅拌，静置得到明胶溶液；将明胶溶液加入疏水颗粒中，晃动使得明胶溶液表面覆盖疏水材料形成初始液态小球；静置初始液态小球，直至内部明胶溶液凝固最终得到液态小球。利用该制备方法制备的液态小球具有较高的力学性能，本发明还公开了基于该液态小球的自驱动传感器。自驱动传感器能够较为准确的测量微小压力，振动幅度和频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115001426A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210447543.2
申请日：2022-04-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多次键合工艺的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括采用第一次晶圆键合方法制备第一压电薄膜结构，去除第一衬底，并在压电薄膜层表面沉积第二电极，在第二电极表面沉积牺牲层得到第二压电薄膜结构；对第二压电薄膜结构采用第二次晶圆键合方法得到第三压电薄膜结构；减薄第二衬底，在减薄的第二衬底上开窗口至保护层表面得到第一窗口，通过第二窗口在第一电极上沉积金属pad层，通过第三窗口在第二电极上沉积金属pad层，将腐蚀液加入第四窗口腐蚀牺牲层形成空腔，得到最终薄膜体声波谐振器。该方法能够避免制备过程中压电薄膜的崩裂，提升产品良率以及性能。
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公开(公告)号：CN113810018B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111003699.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H03H3/02 , H03H9/17 , H10N30/04 , H10N30/072
Abstract: 本发明公开一种激光剥离方式制备单晶薄膜体声波谐振器的方法，该方法通过离子注入的方式，仅对单晶压电薄膜生长衬底进行处理或者对已经沉积单晶压电薄膜层后的单晶压电薄膜生长衬底进行处理，从而使单晶压电薄膜生长衬底表面形成缺陷层，然后再通过退火工艺，使所述缺陷层表面形成衬底修复层；最后在器件制备过程中，通过激光辐照，使所述缺陷层分解，从而实现衬底与器件的分离。本发明的方法可以解决单晶FBAR制备过程中衬底机械减薄带来的单晶薄膜损伤而严重影响器件性能的问题，且能够回收利用衬底，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN114496746A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111483162.1
申请日：2021-12-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/18 , H01L21/60 , H01L23/488 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/24 , C23C16/50 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法，包括提供外延衬底，在所述外延衬底上表面制备一外延层，提供待键合层；键合所述外延层和所述待键合层；机械减薄抛光所述外延衬底下表面，当所述外延衬底的厚度减薄至20‑40μm时停止抛光，在减薄后的外延衬底下表面旋涂一层含Si抗反射涂层/有机碳层的光刻胶三层结构掩膜；对所述光刻胶三层结构掩膜表面加热后进行化学机械减薄抛光，得到三层结构掩膜平坦化的外延衬底；干法刻蚀CMP抛光后的外延衬底表面直至所述外延层外漏得到异质外延薄膜外延层。该方法能够使得转移剥离露出的外延层的厚度均匀性较好。
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公开(公告)号：CN114421909A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111483158.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H03H3/02 , H03H9/17 , H01L41/29 , H01L41/314
Abstract: 本发明公开了一种优化FBAR空腔平坦化工艺缺陷的方法，包括：基底表面具有空腔，在所述空腔内沉积牺牲层；平坦化牺牲层以使得所述牺牲层表面碟形坑为正值得到平坦化器件；将平坦化器件加热至1000℃‑1200℃退火30min‑60min得到热处理器件；在热处理器件表面溅射一层TaN，利用化学机械抛光法抛光TaN层至基底表面得到第二平坦化器件；在所述第二平坦化器件表面沉积压电振荡堆和金属pad层，去除牺牲层得到空腔型FBAR。该方法能够使得FBAR谐振器具有较为电极稳定的结构，较高Q值。本发明还公开了采用该方法制备的FBAR谐振器，以及该FBAR谐振器在制备圆晶片上的应用。
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公开(公告)号：CN112311347A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011109253.4
申请日：2020-10-16
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，包括衬底、压电振荡堆、第一空腔、第二空腔；还可包括有终止层；所述的压电振荡堆包括下电极、压电层和上电极，其中所述第二空腔的宽度与第二空腔距第一空腔边缘的最短距离相等。本发明通过增加空腔结构或结合改变部分结构，可以优化FBAR压电振荡堆的状态，从而较好的改善边界声阻抗条件，抑制寄生横波的存在，进而达到提高器件的Q值的目的，产品的良率也得到较大的提升，可大大增强产品的市场竞争力。
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