公开(公告)号：CN119949074A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380069048.5

申请日：2023-09-28

Applicant: 索泰克公司

Inventor： L·卡佩罗 ,  格维塔兹·戈丹

IPC: H10N30/07 ,  H10N30/071 ,  H10N30/072 ,  H10N30/073 ,  H10N30/079

Abstract: 本发明涉及一种用于制造用于将压电膜转移到最终支撑衬底上的供体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供块状处理衬底(102)，特别是基于硅的块状处理衬底；c)在该块状处理衬底(102)上方提供压电材料(114,142)，其特征在于，该方法在提供该压电材料(114,142)的步骤c)之前还包括注入(106)该块状处理衬底(102)以在该块状处理衬底(102)中形成脆化区(104)的步骤b)。本发明还涉及一种供体衬底(100,138,148)，特别是通过根据本发明的制造方法获得的供体衬底，以及一种用于使用根据本发明的供体衬底(100,138,148)转移压电薄膜的方法。

公开(公告)号：CN119053230A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411509874.X

申请日：2024-10-28

Applicant: 上海隐冠半导体技术有限公司

Inventor： 夏慧超 ,  王振华

IPC: H10N30/072 ,  H10N30/057

Abstract: 本发明提供了一种压电陶瓷叠堆自动加压排胶设备及其加压方法。该压电陶瓷叠堆自动加压排胶设备包括框架和加压机构，框架包括底板和固定设置在底板上的立板，加压机构包括伸缩驱动单元、输出轴、直线轴承、压力传感器、导轨安装框、线性导轨和施压块，伸缩驱动单元安装在立板上，输出轴的一端设置在伸缩驱动单元的驱动端，直线轴承与输出轴连接，导轨安装框安装在立板上，线性导轨安装在导轨安装框内，施压块与线性导轨形成导向配合，压力传感器设置在输出轴的另一端与施压块之间。根据本发明的压电陶瓷叠堆自动加压排胶设备，能够提高压力方向的精度，避免发生压力偏斜，提高产品良率和效率。

公开(公告)号：CN112234013B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202011155785.1

申请日：2020-10-26

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 张涛 ,  张秀全 ,  朱厚彬 ,  韩智勇 ,  董玉爽

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H10N30/072

Abstract: 本申请公开一种不同尺寸晶圆键合定位装置，键合体及其制备方法，其中定位装置包括：定位第一晶圆的第一定位机构和定位第二晶圆的第二定位机构；第一定位机构或第二定位机构包含定位晶圆平边的平边定位柱和定位晶圆圆边的圆边定位柱，圆边定位柱分别设置于平边定位柱中心线的两侧；或者，第一定位机构或者第二定位机构包含定位晶圆V槽边的V槽边定位柱和定位晶圆圆边的圆边定位柱，其中V槽边定位柱与晶圆V槽边吻合，圆边定位柱分别设置于V槽边定位柱中心线的两侧。采用前述的方案，利用定位装置实现第一晶圆和第二晶圆的对齐，使晶圆键合体能够完全利用到第一晶圆的特性，提高键合体的质量。

公开(公告)号：CN118524771A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410580029.5

申请日：2024-05-11

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 徐卓 ,  王新健 ,  魏晓勇 ,  王志宏 ,  胡庆元 ,  张跃斌 ,  韩泽祺

IPC: H10N30/853 ,  H10N30/072 ,  C30B29/22 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B31/22

Abstract: 本发明涉及铁电单晶技术以及声光电器件技术领域，尤其是硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构、制备方法及应用，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设置有二氧化硅层和单晶压电薄膜层；所述单晶压电薄膜层为铌镁酸铅系压电单晶，包括二元系PMN‑PT单晶薄膜或三元系PIN‑PMN‑PT单晶薄膜。利用该硅衬底上压电晶圆结构可以制备各种高性能压电MEMS传感器、执行器和电光调制器件。所制备的声表面波滤波器以及薄膜体声波滤波器相对带宽提升超过50％，所制备的电光调制器具有更低的半波电压以及更高的电光调制效率，器件体积可缩小10倍，可更好的应对未来6G通信对MEMS器件更高效、高集成和小型化等要求，为压电MEMS器件和光电器件小型化和集成化提供了一种全新的多层压电晶圆结构。

公开(公告)号：CN117915752A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311832357.1

申请日：2023-12-27

Applicant: 上海新硅聚合半导体有限公司

Inventor： 欧欣 ,  柯新建 ,  黄凯

IPC: H10N30/85 ,  H10N30/072 ,  H10N30/086 ,  H10N30/092

Abstract: 本发明公开了一种目标复合薄膜及其制备方法，所述目标复合薄膜从下到上依次包括目标衬底、介质层以及压电薄膜层，所述压电薄膜层的直径小于等于所述介质层的直径，所述介质层的直径小于等于所述目标衬底的直径，所述压电薄膜层的直径与所述目标衬底的直径差值为0.5mm–4.5mm，所述介质层的直径与所述压电薄膜层或所述目标衬底中的至少一个的直径相同，且所述压电薄膜层的主面晶向与压电晶圆的主面晶向一致；所述压电晶圆为用于制备所述压电薄膜层的衬底。本发明解决了压电晶圆由于热失配应力过大导致的键合情况不稳定、键合结构易碎裂的问题，优化晶圆形貌与顶层薄膜厚度均匀性。

公开(公告)号：CN117897035A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311695566.6

申请日：2023-12-11

Applicant: 上海新硅聚合半导体有限公司

Inventor： 欧欣 ,  柯新建 ,  黄凯

IPC: H10N30/00 ,  H10N30/072 ,  H10N30/074 ,  H10N30/80 ,  H10N30/87 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17

Abstract: 本申请涉及一种压电异质衬底结构、制备方法及声波器件，该压电异质衬底结构包括功能衬底层和设置在功能衬底层上的压电复合层；压电复合层包括沿远离功能衬底层的方向上依次设置的介质层、界面层和压电薄膜层，界面层存在预设元素分布，其中，预设元素的浓度大于预设阈值，界面层用于对叉指电极所激发的体声波进行散射处理，利用本申请提供的技术方案可以减少对体声波的反射，进而可避免由于体声波的反射而对声表面波进行干扰的情况发生，从而可提高声波器件的性能。

公开(公告)号：CN111566932B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201880084215.2

申请日：2018-12-21

Applicant: 法国原子能源和替代能源委员会

Inventor： M·戈里斯 ,  A·莱因哈特 ,  拉明·贝奈萨 ,  J·S·某乐图

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H10N30/072 ,  H10N30/853

Abstract: 本发明涉及一种用于可调节的体声波谐振器的制造方法，可调节的体声波谐振器包括换能器叠层(E1)和调谐叠层(E2)。根据本发明，换能器叠层(E1)包括两个限定的电极(4、6)和压电材料(2)，并且叠层(E2)包括压电材料层(8)和两个限定的电极(10、12)。该方法包括：a)制造换能器叠层；b)在换能器叠层的电极(6)上形成电绝缘层；c)在电绝缘层上形成调谐叠层的限定的电极(10)，使得其与换能器叠层的电极对准；d)在电极(10)上组装压电材料衬底；e)使压电材料衬底断裂；f)形成调谐叠层的与限定的电极(10)对准的另一限定的电极(12)。

公开(公告)号：CN116322270A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202111557230.4

申请日：2021-12-18

Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院

Inventor： 孟龙 ,  周伟 ,  郑海荣 ,  牛丽丽 ,  彭本贤 ,  刘晓峻 ,  程营 ,  刘文杰

IPC: H10N30/87 ,  H10N30/20 ,  H10N30/072 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明涉及基于人工结构的微米级声场生成装置及其制备方法，所述基于人工结构的微米级声场生成装置包括声表面波芯片和耦合于所述声表面波芯片的至少一人工结构，所述声表面波芯片用于产生表面波声场，所述人工结构用于对所述声表面波芯片产生的表面波声场进行调控，使得所述表面波声场范围小于声波波长，从而形成微米级声场，本发明结合所述声表面波芯片和所述人工结构制备形成基于人工结构的微米级声场生成装置，产生单个神经元尺度的表面波声场，实现单个神经元的调控，并结合电生理手段对单个神经元放电进行记录，从而对超声神经调控的机制进行研究。

公开(公告)号：CN111446359B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202010413198.1

申请日：2020-05-15

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 陈右儒 ,  侯帅

IPC: H10N30/87 ,  H10N30/072 ,  H10N30/853 ,  H10N39/00

公开(公告)号：CN108885972B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN201780021577.2

申请日：2017-04-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/24 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H10N30/853 ,  H10N30/072

Abstract: 本发明涉及一种复合晶片，其包括转移至支承晶片整个表面的钽酸锂或铌酸锂氧化物单晶薄膜，且在支承晶片与氧化物单晶薄膜之间的接合界面上不发生开裂或剥落。一种复合晶片的制造方法，其至少包括：在氧化单晶片中形成离子注入层的步骤，对所述氧化物单晶片的所述离子注入表面和支承晶片表面中的至少一者进行表面活化处理的步骤，将所述氧化物单晶片的所述离子注入表面接合至所述支承晶片表面形成层合体的步骤，在90℃以上且不致使开裂发生的温度下对所述层合体进行第一热处理的步骤，对所述离子注入层施加机械冲击的步骤，以及在250℃～600℃的温度下对带有转移的所述氧化物单晶薄膜的所述支承晶片进行第二热处理以获得复合晶片的步骤。