一种应用于激光辐照制备涂层的气氛保护装置

    公开(公告)号:CN211311588U

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201921722711.4

    申请日:2019-10-15

    Abstract: 本实用新型公开了一种应用于激光辐照制备涂层的气氛保护装置,包括一密闭腔体,腔体顶部设有供激光透过的玻璃视窗,腔体上部绕有冷凝管,腔体内设有试样台,腔体内设有上进气环和下进气环,与非密闭式激光熔覆气氛保护设备相比,该气氛保护装置能够有效避免涂层材料在高温下由于保护气体不足而与空气中的活性气体发生反应;与密闭式激光熔覆气氛保护设备相比,该气氛保护装置配备有水冷循环系统;二级凸台式腔体与进气环的设计可有效避免涂层材料或基体材料汽化后污染镜片,进气环的多孔式进气方式可起到紊流作用,能够保护涂层粉体材料不被吹散,提高激光涂层成形质量和性能,降低成本,提高生产效率。

    一种激光辐照快速制备碳材料表面抗氧化纳米SiC涂层的方法

    公开(公告)号:CN111393186A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010098390.6

    申请日:2020-02-18

    Abstract: 本发明提供一种激光辐照快速制备碳材料表面抗氧化纳米SiC涂层的方法,步骤为:制备预处理碳材料基板;制备涂覆预制涂层:将SiC微粉、粘结剂和有机溶剂按照2:0.1~1:1~4的比例混合后,经研磨、超声分散、磁力搅拌形成均匀的料浆,将该料浆均匀涂刷在碳材料基板表面,形成预制涂层,然后进行烘干处理;在气氛保护装置中洗气;激光处理:打开激光制造系统,以SiC颗粒与碳材料物性参数为参考值,选取激光工艺参数对涂覆有预制涂层的碳材料基板进行激光辐照,与传统技术相比,本发明提供的方法效率更高,工艺控制简单,环保性好。

    一种减少裂纹产生的平板表面制备硬质涂层的激光熔覆方法

    公开(公告)号:CN110158078A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910454904.4

    申请日:2019-05-29

    Abstract: 本发明提供一种减少裂纹产生的平板表面制备硬质涂层的激光熔覆方法,包括以下步骤:制备一种硬质涂层材料M2,以及一种辅助材料M1,所述硬质涂层M2的屈服强度σs2、硬度H2、相变温度TACM2均比所述辅助材料屈服强度σs1、硬度H1、相变温度TACM1高,对应关系:σs2>σs1,H2>H1,TACM2>TACM1;先在基体材料上采用激光熔覆将辅助材料M1在平板零件表面构建横竖交叉的软质材料熔道网格;再采用激光熔覆将硬质涂层材料M2形成互相搭接的熔道覆盖软质材料熔道网格;热处理方法为采用低于辅助材料M1相变温度TACM1的热处理温度Ta对涂层进行去应力退火;本发明可有效减小激光熔覆时零件的内应力,从而减少裂纹的产生。

    一种低熔点抗高压的锡铅合金材料的制备工艺

    公开(公告)号:CN112538580B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202011431934.2

    申请日:2020-12-10

    Abstract: 本发明提供了一种低熔点抗高压的锡铅合金材料的制备工艺,涉及金属材料设计技术领域,包括备料:按以下质量份的原料备料:锡1‑15份、铅30‑45份、铋40‑60份、镉0.005‑0.025份;将锡、铅、镉原料放入到熔炼炉内,调整熔炼温度到700‑800℃进行炼制,并进行搅拌熔化;将熔炼温度调整至300‑350℃,加入锡原料,搅拌至全部熔化后去除表层扒渣,并让其静置后得到金属热熔体;将混合热熔料过滤后,置入铸型中,冷却后得到金属锭;将金属锭加工成金属圆柱;清理整形;封装入库。本发明工艺简单,整个过程可在大气环境下进行,制作成本低,易于操作,适合大范围推广使用,合金熔点低熔化范围小,且能够在70MPa高压氢气条件下进行工作。

    激光辐照+溶胶凝胶复合制备纳米SiC颗粒的方法

    公开(公告)号:CN108658077B

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN201810429095.7

    申请日:2018-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC颗粒的制备方法,特别是一种激光辐照+溶胶凝胶复合制备纳米SiC颗粒的方法,其步骤:1)采用溶胶凝胶法制备SiO2凝胶,将SiO2凝胶均匀涂抹在石墨基板上;2)以SiO2与石墨转变的物性参数选择激光能量密度参考值,通过激光能量密度的参考值选择所需激光工艺参数;3)利用步骤2)的各项数据,采用激光照射步骤1)所制备的涂层,对所获得的产物进行测试、分析,获得制备纳米SiC颗粒的最佳激光能量密度设定值,达到制备纳米SiC颗粒的目的。其解决了“简化纳米SiC颗粒制备工艺”的技术问题,本发明具备纳米SiC颗粒的制备工艺简单,制备温度低,生产周期短等优点。

    用于改善激光立体成型表面起伏的闭环控制装置及方法

    公开(公告)号:CN111014673A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911388669.1

    申请日:2019-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种用于改善激光立体成型表面起伏的闭环控制装置即方法,涉及激光立体成型技术领域,包括加工基板、安装于加工基板一侧的CCD摄像机、安装于加工基板上方的激光熔覆头、通过送粉管路与激光熔覆头连接的送粉器、通过激光光纤与激光熔覆头连接的半导体激光器、与半导体激光器通信连接的PC控制机、以及与PC控制机通信连接的数据采集卡;所述CCD摄像机与所述图像采集卡通信连接。本发明可以实现对激光立体成型过程的实时监测,有效地解决了激光立体成型过程中表面起伏的问题,CCD摄像机与熔覆头的固定保证了采集信息的准确性,闭环反馈系统达到收集信息的实时利用。

    氢气阀高压温控熔断合金设计和制备方法

    公开(公告)号:CN117737538A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311777248.4

    申请日:2023-12-22

    Abstract: 本发明属于锡合金技术领域,具体涉及一种氢气阀高压温控熔断合金设计和制备方法,包括以下原料组分:锡、铟、添加元素、锑、钼、铅、铜和镍;各所述原料组分的质量百分比分别为44.56%~45.52%的锡,50.44%~51.48%的铟,1%~3%的添加元素,0.5%~0.8%的锑,0.32%~0.54%的钼,0.2%~0.4%的铅,0.15%~0.29%的铜和0.3%~0.5%的镍。本发明公开的氢气阀高压温控熔断合金的熔化范围较小,应用于储氢罐安全阀阀芯时,当外界环境过高时,可以及时熔化释放压力,保护储氢罐的使用安全,且该氢气阀高压温控熔断合金具备较高的抗压强度,可以确保储氢罐在工作压力下不发生泄漏;本申请公开的氢气阀高压温控熔断合金的制备方法简单易于操作,制备过程无污染,适合大范围推广使用。

    用于激光熔覆的可调式预置铺粉装置

    公开(公告)号:CN112030156A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010920158.6

    申请日:2020-09-04

    Abstract: 本发明提供了一种用于激光熔覆的可调式预置铺粉装置,涉及激光熔覆技术领域,包括一组合塞尺、与组合塞尺平行设置且可调节固定连接的可调组合塞尺、与组合塞尺转动连接并位于组合塞尺上方的摇杆、与摇杆转动连接并位于组合塞尺上方的连杆、以及与连杆固定并位于组合塞尺和可调组合塞尺上方的刮刀。本发明的可调式铺粉装置通过设置可调的导向条,且在导向条上设有刻度尺,可精确的调节两把塞尺之间的距离,精准地控制铺粉的宽度,用户可根据所需进行调节,来达到预期的铺粉效果。

    一种碳化硅纳米纤维的制备方法

    公开(公告)号:CN107651688B

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201710463059.8

    申请日:2017-06-19

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅纳米纤维的制备方法,属于纳米结构材料的制备或处理技术领域。根据Ni的熔点选择激光工艺参数,设定预置微米碳化硅颗粒的厚度,进行激光辐照,并通氩气,保护在高温下碳化硅分解而不至于与氧发生反应;对激光照射微米碳化硅颗粒进行实验,以获取最优化的工艺参数范围,通过测试转变产物形貌和物相确定优化参数,找到激光工艺参数与微米碳化硅颗粒生成碳化硅纳米纤维之间的规律。将发明应用于碳化硅纳米纤维的指标,具有操作简单、微米碳化硅颗粒生成为碳化硅纳米纤维一次完成、不浪费,且节约人力物力等优点。

    激光辐照+溶胶凝胶复合制备纳米SiC颗粒的方法

    公开(公告)号:CN108658077A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810429095.7

    申请日:2018-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC颗粒的制备方法,特别是一种激光辐照+溶胶凝胶复合制备纳米SiC颗粒的方法,其步骤:1)采用溶胶凝胶法制备SiO2凝胶,将SiO2凝胶均匀涂抹在石墨基板上;2)以SiO2与石墨转变的物性参数选择激光能量密度参考值,通过激光能量密度的参考值选择所需激光工艺参数;3)利用步骤2)的各项数据,采用激光照射步骤1)所制备的涂层,对所获得的产物进行测试、分析,获得制备纳米SiC颗粒的最佳激光能量密度设定值,达到制备纳米SiC颗粒的目的。其解决了“简化纳米SiC颗粒制备工艺”的技术问题,本发明具备纳米SiC颗粒的制备工艺简单,制备温度低,生产周期短等优点。

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