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公开(公告)号：CN109728167A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811559091.7
申请日：2018-12-12
Applicant: 浙江师范大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池，其结构自下而上为，玻璃、阳极ITO、阳极修饰层氧化镍、活性层FAPb0.75Sn0.25I3、第一阴极修饰层PC60BM、第二阴极修饰层BCP，阴极银。因为锡元素的部分替代，降低了电池的毒性，由于合适的锡铅比例，可以得到较高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN107316917A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710417021.7
申请日：2017-06-06
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , B82Y30/00 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法，先以传统方法在硅片表面形成大量四面方锥体，再通过碱醇溶液浸泡处理，在硅片表面形成很多的纳米孔。这种具有纳米结构的“金字塔”形状的硅片表面的反射率得到了得到进一步降低，同时，硅片表面的载流子复合却只有轻微的下降，对硅片的少子寿命几乎没有产生影响，从而可以有效地提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444611A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910614568.5
申请日：2019-07-09
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种氧化物钝化接触的太阳能电池及其制备方法，电池自上而下具有如下的结构：Ag/ITO/NiOx:Mg/SiOx/n-c-Si/SiOx/TiOx/Ag。制备时，把清洗好的硅片放入HNO3溶液进行热氧化生长，利用磁控溅射法生长镁掺杂氧化镍薄膜，利用磁控溅射法生长氧化钛薄膜；利用激光划片技术把硅片分割面积为1.5×1.5cm2的样品，然后利用磁控溅射法生长ITO透明导电薄膜和金属银电极；制作完成的电池在退火结束后自然冷却到室温。本发明不需要使用等离子体化学气相沉积(PECVD)或原子层沉积(ALD)等昂贵的薄膜沉积设备，具有工艺简单、成本低、对环境友好等特点。
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公开(公告)号：CN109037396A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810660220.5
申请日：2018-06-25
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了一种高少子寿命黑硅的制备方法，使用集成电路中的RCA标准清洗方法对硅片表面进行处理，除去硅片表面的有机物、氧化物和机械损伤；利用传统碱醇体系对单晶硅片进行制绒，获得良好的“金字塔”结构的表面；对制绒后的硅片利用CuSO4和HF体系进行二次处理，从而在“金字塔”表面获得纳米孔结构。本发明采用弱碱对二次处理后的硅片的表面形貌进行修饰，以提高硅片的少子寿命。
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公开(公告)号：CN109768102A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811612890.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/077 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池结构为：Ag/ITO/ZnTe/i-a-Si/n-c-Si/i-a-Si/CdSe/Ag；制备时，对单晶硅片进行表面清洗以去除其表面污染杂质；在硅片前后表面生长一层本征非晶硅；在硅片正面的非晶硅薄膜上面，生长ZnTe薄膜和ITO导电薄膜；在硅片背面的非晶硅薄膜上面，生长CdSe薄膜；生长前后Ag电极。本发明提出利用碲化锌(ZnTe)和硒化镉(CdSe)分别替代传统非晶硅/晶体硅结构中的p型非晶硅(p-a-Si)和n型非晶硅(n-a-Si)，ZnTe/a-Si/c-Si/a-Si/CdSe结构的异质结太阳能电池的效率期望得到较大的提升。
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公开(公告)号：CN110707163A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910893517.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用四甲基胍有机碱在单晶硅片制绒的方法，首先清洗硅片，然后以去离子水位溶剂，配制四甲基胍和异丙醇混合溶液，其中四甲基胍的体积比为10％，异丙醇的体积比为7％，80℃的水浴锅中预热备用；将硅片放入制绒液中，80℃下水浴加热35min，并用去离子水冲洗二到三次，再用去离子水超声5min以除去溶液残留。本发明提出的四甲基胍有机碱单晶硅制绒后的光学反射率大幅降低，同时消除了制绒液中金属离子对硅片的污染，也降低了制绒废液的后续处理成本。
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公开(公告)号：CN110112225A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910269032.4
申请日：2019-04-04
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开一种氧化亚铜-氧化锌异质结太阳能电池及其制备方法，以康宁玻璃为衬底，利用磁控溅射法生长金属钛，随后在钛薄膜上溅射银电极；利用反应磁控溅射法生长氮掺杂Cu2O薄膜；采用等离体子化学气相沉积法在氮掺杂Cu2O薄膜表面生长微晶氧化硅薄膜；利用磁控溅射法生长铝掺杂ZnO薄膜；采用磁控溅射法生长，利用掩膜板在ZnO薄膜上溅射一层Ag电极。本发明利用微晶氧化硅中的非晶氧化硅钝化Cu2O表面的CuO深能级缺陷，掺杂的硅纳米晶输运光生载流子，同时在生长过程中引入的氢在随后退火温度下扩散到Cu2O之中，减少其缺陷密度，从而提高Cu2O太阳能电池的效率。
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