公开(公告)号：CN110678957A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035055.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板和由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层由单一的金属层构成，该单一的金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置而成的单一的金属层。

公开(公告)号：CN110366767A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201880014730.3

申请日：2018-01-23

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永田贵章 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  增子太地

IPC: H01J43/24

Abstract: 一种微通道板，其具备：具有正面、背面和侧面的基体；从基体的正面贯通至背面的多个通道；至少在通道的内壁面上设置的第一膜；在第一膜上的至少一部分设置的第二膜；和在基体的正面上和背面上分别设置的电极层。第一膜由MgO形成，第二膜由SiO2形成，第二膜的厚度比第一膜的厚度薄。

公开(公告)号：CN110678957B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201880035055.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板和由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层由单一的金属层构成，该单一的金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置而成的单一的金属层。

公开(公告)号：CN110366767B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201880014730.3

申请日：2018-01-23

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永田贵章 ,  浜名康全 ,  西村一 ,  增子太地

IPC: H01J43/24

Abstract: 一种微通道板，其具备：具有正面、背面和侧面的基体；从基体的正面贯通至背面的多个通道；至少在通道的内壁面上设置的第一膜；在第一膜上的至少一部分设置的第二膜；和在基体的正面上和背面上分别设置的电极层。第一膜由MgO形成，第二膜由SiO2形成，第二膜的厚度比第一膜的厚度薄。

公开(公告)号：CN110678956A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035027.0

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板与由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层包含金属层，该金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置的金属层，并且该金属层的厚度被设定为5～40埃。

公开(公告)号：CN110678955A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035018.1

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，由在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层来构成被基板和二次电子放出层夹着的电阻层，由此该电阻层实现以下范围内的温度特性：相对于温度20℃的电阻值，-60℃的电阻值为10倍以下且+60℃的电阻值为0.25倍以上。

公开(公告)号：CN119361411A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202410987735.1

申请日：2024-07-23

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山下真一 ,  增子太地 ,  铃木聪 ,  中谷太亮 ,  森邦芳 ,  金野里奈

IPC: H01J43/28 ,  H01J43/08

Abstract: 一种光电倍增管，其具备：容器，其具有由透光性材料形成的窗部、和与窗部连接且与窗部一同划定真空空间的管状部；光电面，其通过由钠、钾及锑构成的光电子发射材料形成，设置于窗部的真空空间侧的第一表面上，并根据入射光发射光电子；电子倍增部，其根据从光电面发射的光电子的入射而发射二次电子，并且将二次电子倍增。在光电面和窗部之间及管状部的表面上形成有氧化铝层。

公开(公告)号：CN110678956B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201880035027.0

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板与由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层包含金属层，该金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置的金属层，并且该金属层的厚度被设定为5～40埃。

公开(公告)号：CN110678955B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201880035018.1

申请日：2018-04-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 增子太地 ,  西村一 ,  浜名康全 ,  渡边宏之

IPC: H01J43/24

Abstract: 本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，由在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层来构成被基板和二次电子放出层夹着的电阻层，由此该电阻层实现以下范围内的温度特性：相对于温度20℃的电阻值，‑60℃的电阻值为10倍以下且+60℃的电阻值为0.25倍以上。