-
公开(公告)号：CN115602915A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211282225.1
申请日：2022-10-19
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院(CN)
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种反应共溅射制备固态电解质薄膜及其制备方法与应用。该方法包括以下步骤：a.选择Li靶、SnS2靶、M靶作为溅射靶材；b.采用射频磁控溅射设备进行共反应溅射制备电解质薄膜；c.退火后处理，制备获得所需的固态电解质薄膜。本发明的方法实现了多靶共溅射制备固态电解质薄膜，相对于LiPON的电解质薄膜不仅避免了特定靶材的制作，同时提高了溅射制备的速率。更为难得的是其在空气中能够稳定存在，其最高离子电导率可达3.5*10‑4S/cm，可用于全固态薄膜锂离子电池的制备合成。
-
公开(公告)号：CN114196927B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202111417265.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于蓝宝石基底的紫外增透玻璃及其制备方法，所述制备方法包括：应用磁控溅射工艺在蓝宝石基底的上表面和下表面分别溅射沉积二氧化硅增透膜，获得所述紫外增透玻璃；其中，所述磁控溅射工艺中，以二氧化硅为靶材并且在溅射沉积的过程中向溅射腔室内通入氧气。本发明的技术方案，在磁控溅射二氧化硅增透膜的工艺中，以二氧化硅为靶材并且在溅射沉积的过程中通入氧气，利用高温氧化方法，抑制二氧化硅薄膜生长过程中化学断键的行程，降低二氧化硅膜层深能级缺陷，提高二氧化硅膜层的深紫外透过率，特别是对于200nm～280nm波段的紫外光的透过率。
-
公开(公告)号：CN115900966A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211306768.2
申请日：2022-10-25
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明涉及热敏材料、红外探测技术领域，公开及一种热敏薄膜、红外探测器及红外探测器的制备方法，其中，所述热敏薄膜包括SnSex颗粒，其中，x＝1～2。本发明提供的热敏薄膜的电阻温度系数(TCR)高达9.1％/K，高于传统氧化钒及非晶硅热敏薄膜，可提高包含此热敏薄膜的器件的信号响应强度，提高器件性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114196927A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111417265.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于蓝宝石基底的紫外增透玻璃及其制备方法，所述制备方法包括：应用磁控溅射工艺在蓝宝石基底的上表面和下表面分别溅射沉积二氧化硅增透膜，获得所述紫外增透玻璃；其中，所述磁控溅射工艺中，以二氧化硅为靶材并且在溅射沉积的过程中向溅射腔室内通入氧气。本发明的技术方案，在磁控溅射二氧化硅增透膜的工艺中，以二氧化硅为靶材并且在溅射沉积的过程中通入氧气，利用高温氧化方法，抑制二氧化硅薄膜生长过程中化学断键的行程，降低二氧化硅膜层深能级缺陷，提高二氧化硅膜层的深紫外透过率，特别是对于200nm～280nm波段的紫外光的透过率。
-
公开(公告)号：CN117393841A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311114597.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及基于SnSb合金的全固态锂离子电解质及其制备方法。根据全固态锂离子电解质的化学式构成，先将金属元素进行叠层与压缩处理得到均匀合金，再进行硫化退火以及二次硫化退火处理得到成品。本发明使用Li箔与SnSb箔轧辊得到Li‑SnSb合金箔以替换传统的利用硫化锂、硫化锡、三硫化二锑以及硫粉经过长时间行星球磨与高温煅烧的制备方法，本发明降低了生产成本与制备温度节约了生产周期，且片状的Li‑SnSb合金箔易于硫化，工艺放大简单，使Li4‑xSn1‑xSbxS4体系大规模产业化成为可能。
-
公开(公告)号：CN115692832A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211392978.8
申请日：2022-11-08
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
Abstract: 本申请提供的硫化物固态电解质的制备方法，根据硫化物固态电解质的化学式，获取除硫外的其他对应物质的比例；将对应的物质叠层设置并进行压缩处理，得到固态合金；将所述固态合金进行硫化处理，得到所述硫化物固态电解质样品；将所述硫化物固态质电解样品进行退火处理，得到所述硫化物固态电解质，本申请上述实施例制备得到的Li4SnS4，相对于传统的固态电解质具有更好的离子电导率，其离子电导率达到了3.5*10(‑4)S cm(‑1)，与其它硫系固态电解质相比具有十分优良的空气稳定性，且对该固态电解质做M金属参杂可以显著提高其离子电导率，上述制备方法，易于工艺放大，同时金属硫化反应活性高，容易产生相应的硫化物，大幅降低了了硫化物固态电解质制备的成本，缩短了生产周期，使li4SnS4大规模产业化成为可能。
-
公开(公告)号：CN117024002A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310831551.1
申请日：2023-07-07
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开一种提高防指纹膜附着能力的表面处理方法，通过用新的等离子处理玻璃或SiO2表面实现表面羟基化，利用表面羟基与PFPE类防指纹膜硅烷偶联化学链接来实现其高强度附着、高吸附能力键合，提高防指纹膜与表面的附着力。实验发现，经过这种新的等离子处理方法，可以大大提高玻璃与SiO2表面与水的浸润性，处理后的表面可以实现很好的羟基化，大大降低其与水的接触角，而通过防指纹膜的镀膜后，有较大接触角，有效提高防指纹膜的厌水性和抗摩擦特性，并且等离子体处理工艺简单，节能环保，无公害，效率高，时间短，对实现大规模处理抗提高抗指纹膜摩擦特性提供了一种重要途径。
-
公开(公告)号：CN116544310A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310591319.5
申请日：2023-05-24
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Inventor： 李文杰 , 胡航炜 , 杨春雷 , 谭中营 , 吴莉芸 , 罗杰 , 宋世璇 , 邓立刚 , 刘旭辉 , 李伟民 , 冯叶 , 钟国华 , 吴唯 , 张杰 , 邵龑 , 陈明 , 宁德
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/032 , H01L31/072
Abstract: 本发明公开了一种低温硫等离子体钝化薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法与应用，该方法采用新设计的硫等离子体激发装置通过对薄膜太阳能电池的吸收层表面进行硫等离子体的钝化处理来改变表面电子空穴聚集状态，以调整能带排列从而抑制晶界面处电子空穴复合，降低漏电流，最终提高器件效率。本发明提供了一种新的、无需加热就能有效的钝化方法，所制备的CZTSe太阳能电池钝化处理后开路电压提升至376.8mV，短路电流降低至36.2mA/cm2，填充因子提升至69.5％，效率提升至8.98％。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.032 seconds)
