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公开(公告)号：CN115521138A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211189536.3
申请日：2022-09-28
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低介低损耗LTCC材料，包括a份B‑Si‑Al玻璃，b份CaSiO3陶瓷粉，c份SiO2粉，其中，a为40～55％，b为45～55％，c为5～10％，且a+b+c＝100％；制备方法包括：1)取上述配料；2)将步骤S1的配料进行球磨并混合均匀，烘干；3)加入粘合剂造粒，压制成型，850～880℃空气气氛中烧结即得。本发明采用玻璃陶瓷复合体系，且通过采用特定含量的B‑Si‑Al玻璃、CaSiO3陶瓷粉与SiO2粉进行复配，得到的低介低损耗LTCC材料，拥有更低的烧结温度，更好的致密性，可实现与Ag的低温共烧；且介电常数为5.2～5.7，介电损耗＜千分之2，抗弯强度＞170MPa。
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公开(公告)号：CN113135748B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110419120.5
申请日：2021-04-19
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: C04B35/30 , C04B35/626 , C04B35/622 , H01F27/255 , H01F41/02
Abstract: 本申请公开一种铁氧体材料及其制备方法、磁芯及其制备方法、绕线变压器，铁氧体材料包括：主材粉料及含硅添加剂；主材粉料包括：三氧化二铁、氧化镍、氧化锌、氧化铜；含硅添加剂包括：二氧化硅、三氧化二铝、氧化钙、氧化镁、氧化钡、二氧化锆、三氧化二镧、氧化锌、三氧化二铋；铁氧体材料的制备方法包括：将二氧化硅、三氧化二铝、氧化钙、氧化镁、氧化钡、二氧化锆、三氧化二镧、氧化锌、三氧化二铋混合，制备成纳米级的含硅添加剂；将三氧化二铁、氧化镍、氧化锌、氧化铜制成主材粉料；将主材粉料与含硅添加剂混合，并制备成粒度为1.2μm±0.2μm的铁氧体材料；使用铁氧体材料制成的磁芯，耐热及耐冲击性能较好，从而提升了磁芯的良率和性能。
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公开(公告)号：CN114284115A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111494976.5
申请日：2021-12-08
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种复合保护器件及其制备方法。复合保护器件包括：压敏电阻单元，导热连接层单元以及熔断器单元；导热连接层单元与压敏电阻单元连接，用于将压敏电阻单元产生热量传递至熔断器单元；熔断器单元与导热连接层单元连接，用于在达到预设温度时进行熔断。本申请复合保护器件有利于降低电路烧损的风险。
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公开(公告)号：CN114284115B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111494976.5
申请日：2021-12-08
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种复合保护器件及其制备方法。复合保护器件包括：压敏电阻单元，导热连接层单元以及熔断器单元；导热连接层单元与压敏电阻单元连接，用于将压敏电阻单元产生热量传递至熔断器单元；熔断器单元与导热连接层单元连接，用于在达到预设温度时进行熔断。本申请复合保护器件有利于降低电路烧损的风险。
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公开(公告)号：CN115594405A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211190007.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司(CN)
Abstract: 本发明公开了一种低介高温度稳定性LTCC材料，采用玻璃陶瓷复合体系材料，包括a份微晶玻璃，b份Al2O3陶瓷粉，c份SiO2陶瓷粉，d份CaTiO3陶瓷粉，e份的改性剂；a为55～60％，b为20～25％，c为10～15％，d为8～12％，e为1～3％，且a+b+c+d+e＝100％；制备方法，包括：1)取上述配料；2)配料进行球磨并混合均匀，烘干；3)加入粘合剂造粒，压制成型，然后在880～895℃空气气氛中烧结即得。本发明通过采用特定含量的微晶玻璃、Al2O3陶瓷粉、SiO2陶瓷粉以及CaTiO3陶瓷粉进行复配，制备得到的LTCC材料可实现900℃以下烧结致密，拥有近零的频率温度系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113135748A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110419120.5
申请日：2021-04-19
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: C04B35/30 , C04B35/626 , C04B35/622 , H01F27/255 , H01F41/02
Abstract: 本申请公开一种铁氧体材料及其制备方法、磁芯及其制备方法、绕线变压器，铁氧体材料包括：主材粉料及含硅添加剂；主材粉料包括：三氧化二铁、氧化镍、氧化锌、氧化铜；含硅添加剂包括：二氧化硅、三氧化二铝、氧化钙、氧化镁、氧化钡、二氧化锆、三氧化二镧、氧化锌、三氧化二铋；铁氧体材料的制备方法包括：将二氧化硅、三氧化二铝、氧化钙、氧化镁、氧化钡、二氧化锆、三氧化二镧、氧化锌、三氧化二铋混合，制备成纳米级的含硅添加剂；将三氧化二铁、氧化镍、氧化锌、氧化铜制成主材粉料；将主材粉料与含硅添加剂混合，并制备成粒度为1.2μm±0.2μm的铁氧体材料；使用铁氧体材料制成的磁芯，耐热及耐冲击性能较好，从而提升了磁芯的良率和性能。
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公开(公告)号：CN115594405B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202211190007.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低介高温度稳定性LTCC材料，采用玻璃陶瓷复合体系材料，包括a份微晶玻璃，b份Al2O3陶瓷粉，c份SiO2陶瓷粉，d份CaTiO3陶瓷粉，e份的改性剂；a为55～60％，b为20～25％，c为10～15％，d为8～12％，e为1～3％，且a+b+c+d+e＝100％；制备方法，包括：1)取上述配料；2)配料进行球磨并混合均匀，烘干；3)加入粘合剂造粒，压制成型，然后在880～895℃空气气氛中烧结即得。本发明通过采用特定含量的微晶玻璃、Al2O3陶瓷粉、SiO2陶瓷粉以及CaTiO3陶瓷粉进行复配，制备得到的LTCC材料可实现900℃以下烧结致密，拥有近零的频率温度系数。
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公开(公告)号：CN115521138B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211189536.3
申请日：2022-09-28
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低介低损耗LTCC材料，包括a份B‑Si‑Al玻璃，b份CaSiO3陶瓷粉，c份SiO2粉，其中，a为40～55％，b为45～55％，c为5～10％，且a+b+c＝100％；制备方法包括：1)取上述配料；2)将步骤S1的配料进行球磨并混合均匀，烘干；3)加入粘合剂造粒，压制成型，850～880℃空气气氛中烧结即得。本发明采用玻璃陶瓷复合体系，且通过采用特定含量的B‑Si‑Al玻璃、CaSiO3陶瓷粉与SiO2粉进行复配，得到的低介低损耗LTCC材料，拥有更低的烧结温度，更好的致密性，可实现与Ag的低温共烧；且介电常数为5.2～5.7，介电损耗＜千分之2，抗弯强度＞170MPa。
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公开(公告)号：CN119751035A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411842210.5
申请日：2024-12-13
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料的技术领域，具体涉及一种高热膨胀系数低温共烧陶瓷复合材料及其制备方法和电子元器件。本申请公开了一种低温共烧陶瓷复合材料，由玻璃与陶瓷混合组成；包括以下质量百分含量的组分：SiO2：30～50％，CaO：5～10％，Al2O3：10～20％，ZrO2：20～30％，B2O3：5～10％，K2O：1～2％，Na2O：1～2％。本申请中的高热膨胀系数低温共烧陶瓷复合材料与PCB板材料的匹配性更好，高热膨胀系数低温共烧陶瓷复合材料的介电常数为＜6.5，介电损耗＜0.002，抗弯强度＞150MPa，可减少在焊接的过程中因热胀冷缩引发的热失配造成焊点、产品变形开裂，导致产品的失效的问题。
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公开(公告)号：CN119724805A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411901934.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种软磁复合材料及其制备方法，所述软磁复合材料由非晶纳米晶包覆粉和铁基合金包覆粉组成；其中，所述非晶纳米晶包覆粉包括非晶纳米晶内核和第一绝缘包覆层组，所述铁基合金包覆粉包括铁基内核和第二绝缘包覆层组；所述第一绝缘包覆层组和第二绝缘包覆层组分别独立地包括层叠设置的磷化层、氧化硅层和硅酸钠层，且所述磷化层设置于内核表面。本发明通过对软磁复合材料中的合金粉末表面依次包覆磷化层、氧化硅层和硅酸钠层，实现了粉末颗粒之间相互绝缘，有效减少了高频下颗粒间产生的涡流，进而降低了涡流损耗，改善了功率器件的整体性能，有利于大规模推广应用。
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