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公开(公告)号：CN117976385A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311730551.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: H01F27/32 , H01F27/255 , H01F41/02 , H01F41/00
Abstract: 本发明提供一种电感元件及其制作方法，电感元件包括磁体和电极导体，磁体由软磁铁合金材料制成，电极导体埋设在磁体内，电极导体的端部设置有外部电极，外部电极外露于磁体，电极导体与磁体通过模压的方法一体成型；电极导体的表面包覆有无机非磁性绝缘层。该电感元件能够解决一体成型烧结型电感元件的电极导体与铁合金材质磁体之间、不同电极导体之间以及同一电极导体不同匝之间的绝缘问题，提升产品的耐受电压、减少不同电极导体之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN115985601A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211338147.2
申请日：2022-10-28
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
Abstract: 本申请提出了一种热敏电阻及其制造方法。该热敏电阻包括陶瓷体、导电调阻层、绝缘层以及端电极；导电调阻层设置于陶瓷体的第一表面和/或第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；绝缘层设于陶瓷体的第一表面和第二表面，导电调阻层设置于绝缘层和陶瓷体之间，绝缘层仅覆盖导电调阻层的一部分；端电极设置于陶瓷体沿第一方向的相对两个侧面，且延伸至瓷体的第一表面和/或第二表面，端电极与导电调阻层的未被绝缘层覆盖的部分电连接。本申请有利于提升电性调整过程中的电性一致性精度，在同一外观尺寸下实现多款阻值的热敏电阻，另外本申请还可以降低在烧结过程中产生层裂的风险。
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公开(公告)号：CN104671746B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510073475.8
申请日：2015-02-11
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , H01C7/04
Abstract: 本发明公开了一种热敏电阻陶瓷片、热敏电阻以及其制备方法。热敏电阻陶瓷片，由混合物粉末在50～500MPa的成型压力下采用冷等静压成型工艺成型后烧结而成；所述混合物粉末包括过渡金属氧化物粉末和稀土氧化物，所述过渡金属氧化物粉末包括如下含量的组分：按摩尔百分比计算，30％～70％的四氧化三钴Co3O4，20％～60％的二氧化锰MnO2，5％～20％的氧化铜CuO；所述稀土氧化物为三氧化二钇Y2O3或氧化镧La2O3，所述稀土氧化物的质量为所述过渡金属氧化物粉末质量的1％～10％。将该热敏电阻陶瓷片与一对电极，一对引线和绝缘材料制得热敏电阻。制得的热敏电阻的B值、额定通电电流、耐冲击电容均较高。
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公开(公告)号：CN105551699A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510990706.1
申请日：2015-12-24
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明公开了一种NTC热敏电阻及制作方法，所述NTC热敏电阻包括由第一材料膜片叠层和第二材料膜片叠层叠压在一起之后烧结得到的热敏陶瓷基体，以及形成在所述热敏陶瓷基体的表面上的电极，其中所述第一材料膜片叠层包括上侧叠层部分和下侧叠层部分，所述第二材料膜片叠层包括中间叠层部分，所述上侧叠层部分和所述下侧叠层部分将所述中间叠层部分夹在中间而形成夹心结构，其中所述第一材料膜片与所述第二材料膜片的电阻率不同，且所述第一材料膜片相对于所述第二材料膜片具有更高的烧结温度。本发明能方便灵活地实现对元器件的不同电性能的多样化需求。
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公开(公告)号：CN103664141B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310706096.9
申请日：2013-12-19
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明公开了一种负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法。负温度系数热敏电阻芯片由过渡金属氧化物粉末烧结而成，过渡金属氧化物粉末的配方由四氧化三钴Co3O4，二氧化锰MnO2，三氧化二钇Y2O3，三氧化二铬Cr2O3和/或二氧化钛TiO2按照特定的含量组成。由上述负温度系数热敏电阻芯片制备得到相应的热敏电阻。本发明的负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法，改进了制备热敏电阻芯片的过渡金属氧化物粉末的配方，从而得到一种具有新尖晶石相结构的金属氧化物，激活能量较低，从而使得到的热敏电阻的B值较高。根据实验测试结果，以0402尺寸片式负温度系数热敏电阻为例，低阻值的电阻的B值均可达到较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104671746A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510073475.8
申请日：2015-02-11
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , H01C7/04
Abstract: 本发明公开了一种热敏电阻陶瓷片、热敏电阻以及其制备方法。热敏电阻陶瓷片，由混合物粉末在50～500MPa的成型压力下采用冷等静压成型工艺成型后烧结而成；所述混合物粉末包括过渡金属氧化物粉末和稀土氧化物，所述过渡金属氧化物粉末包括如下含量的组分：按摩尔百分比计算，30％～70％的四氧化三钴Co3O4，20％～60％的二氧化锰MnO2，5％～20％的氧化铜CuO；所述稀土氧化物为三氧化二钇Y2O3或氧化镧La2O3，所述稀土氧化物的质量为所述过渡金属氧化物粉末质量的1％～10％。将该热敏电阻陶瓷片与一对电极，一对引线和绝缘材料制得热敏电阻。制得的热敏电阻的B值、额定通电电流、耐冲击电容均较高。
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公开(公告)号：CN105551699B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510990706.1
申请日：2015-12-24
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明公开了一种NTC热敏电阻及制作方法，所述NTC热敏电阻包括由第一材料膜片叠层和第二材料膜片叠层叠压在一起之后烧结得到的热敏陶瓷基体，以及形成在所述热敏陶瓷基体的表面上的电极，其中所述第一材料膜片叠层包括上侧叠层部分和下侧叠层部分，所述第二材料膜片叠层包括中间叠层部分，所述上侧叠层部分和所述下侧叠层部分将所述中间叠层部分夹在中间而形成夹心结构，其中所述第一材料膜片与所述第二材料膜片的电阻率不同，且所述第一材料膜片相对于所述第二材料膜片具有更高的烧结温度。本发明能方便灵活地实现对元器件的不同电性能的多样化需求。
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公开(公告)号：CN105679478A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610057357.2
申请日：2016-01-27
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
CPC classification number: H01C17/288 , H01C7/008 , H01C17/02
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸片式热敏电阻及其制作方法，制作方法包括：准备热敏陶瓷薄片，热敏陶瓷薄片的厚度等于小尺寸片式热敏电阻的两导电端之间的距离；在热敏陶瓷薄片的两面采用磁控溅射工艺溅射形成第一导电电极层；将热敏陶瓷薄片切割成与小尺寸片式热敏电阻相同尺寸的热敏电阻芯片，热敏陶瓷薄片的两面对应为热敏电阻芯片的两导电端；在热敏电阻芯片上包覆一层玻璃浆料，烧结形成玻璃层；去除热敏电阻芯片的两导电端上的玻璃层以露出第一导电电极层；在热敏电阻芯片的两导电端上形成第二导电电极层，形成小尺寸片式热敏电阻。本发明提出的小尺寸片式热敏电阻及其制作方法解决了采用现有技术制备片式热敏电阻在小型化后遇到的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN112266233A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010992547.X
申请日：2020-09-18
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B41/90 , G01K7/22
Abstract: 一种热敏陶瓷片、热敏电阻及其制备方法，所述热敏陶瓷片是由金属氧化物粉末采用固相合成法混合后经过高温烧结成的热敏陶瓷片，所述金属氧化物粉末包括如下组分，按照质量百分比计算：40％‑47％的二氧化锰，50％‑56％的四氧化三钴，2％‑5％的氧化铜，以及1％‑4％的二氧化钛。本发明制得的热敏电阻不仅具有低电阻值R25和高B值，而且在材料的强度及稳定性上有明显提升。
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公开(公告)号：CN105679478B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610057357.2
申请日：2016-01-27
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸片式热敏电阻及其制作方法，制作方法包括：准备热敏陶瓷薄片，热敏陶瓷薄片的厚度等于小尺寸片式热敏电阻的两导电端之间的距离；在热敏陶瓷薄片的两面采用磁控溅射工艺溅射形成第一导电电极层；将热敏陶瓷薄片切割成与小尺寸片式热敏电阻相同尺寸的热敏电阻芯片，热敏陶瓷薄片的两面对应为热敏电阻芯片的两导电端；在热敏电阻芯片上包覆一层玻璃浆料，烧结形成玻璃层；去除热敏电阻芯片的两导电端上的玻璃层以露出第一导电电极层；在热敏电阻芯片的两导电端上形成第二导电电极层，形成小尺寸片式热敏电阻。本发明提出的小尺寸片式热敏电阻及其制作方法解决了采用现有技术制备片式热敏电阻在小型化后遇到的技术瓶颈。
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