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公开(公告)号：CN110113025A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910348847.1
申请日：2019-04-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用。该器件由下至上依次包括压电基片、温度补偿薄膜、叉指换能器和压电薄膜。它制备方法，包括如下步骤：1)采用物理气相沉积或化学气相沉积，在压电基片上沉积温度补偿薄膜；2)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在温度补偿薄膜上制备叉指换能器叉指换能器；3)采用磁控溅射方法，在叉指换能器叉指换能器上生长压电薄膜，即得到声表面波器件。本发明器件应用于宽禁带半导体射频前端的集成和/或具有温度补偿功能的声表面波器件的制备中。本发明能够实现对器件温度补偿性能的调控，从而实现器件的温度稳定性；具有更大的带宽；制备工艺简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN109217842A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810832445.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种近零温度系数的声表面波滤波器及其制备方法。该声表面波滤波器，由下至上依次包括：石英基片、基片改性层、压电薄膜层和叉指换能器电极；构成所述压电薄膜层的材料为金属掺杂ZnO；所述叉指换能器电极由下至上依次包括金属打底层和金属主体层。该滤波器具有较高的温度稳定性，很容易得到零温度系数的声表面波滤波器；通过改性石英基片和ZnO薄膜，其基片和薄膜的压电常数大大的提高，因此制备得到的器件机电耦合系数高，器件性能优异；同时，在工艺方面，容易实现，易于推广。
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公开(公告)号：CN116805863A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210257387.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种高频大带宽声表面波滤波器及其制备方法。所述声表面波器件包括串联谐振器和并联谐振器，串联谐振器与并联谐振器通过汇流电极连接；串联谐振器、并联谐振器和汇流电极均设于压电基片上；并联谐振器的线宽大于串联谐振器的线宽；串联谐振器和并联谐振器中的叉指电极的厚度不同。本发明通过在串并联谐振器中采用不同厚度的电极从而保证寄生模式被排除在主谐振之外。采用本发明声表面波滤波器在超过3GHz频率下具有极大的通道带宽，并且保证了较小的插入损耗和很低的带内波动。本发明高频大带宽声表面波滤波器容易实现，易于商业推广，在移动通讯领域具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN113300687A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110539227.3
申请日：2021-05-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有薄双层结构的高性能声表面波器件及其制备方法。本发明器件的结构包括压电单晶基片、叉指换能器、高声速层和二氧化硅层；压电单晶基片上设置叉指换能器和高声速层；当高声速层厚度小于等于叉指换能器的厚度时，高声速层设置于叉指换能器的相邻叉指间隙；当高声速层厚度大于叉指换能器的厚度时，高声速层设置于叉指换能器的相邻叉指间隙或同时设置于叉指换能器上及其相邻叉指间隙处；二氧化硅层设置于高声速层和/或叉指换能器的上方。本发将高声速层覆盖在传统压电单晶基片上方提高了器件频率；高声速层上方设置二氧化硅层抑制声表面波的向下耗散；二氧化硅层的加入也起到了增加器件温度稳定性的作用；其结构简单，造价低廉。
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公开(公告)号：CN108111142B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810069487.7
申请日：2018-01-24
Applicant: 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅衬底/氧化锌或掺杂氧化锌薄膜的声表面波器件及其制备方法。该器件的结构包括：碳化硅衬底、位于碳化硅衬底上的中间过渡层、位于中间过渡层上的压电层、以及位于压电层上的叉指电极；压电层由氧化锌或掺杂氧化锌组成；叉指电极包括位于压电层上的金属打底层和位于金属打底层上的金属主体层。本发明采用碳化硅衬底作为基底，在碳化硅基底和(掺杂氧化锌)薄膜之间引入一薄层铝镓氮中间过渡层，通过精确控制生长条件，生长出了高质量平坦的外延(掺杂)氧化锌薄膜。本发明工艺步简单，成本低廉，制作的声表面波器件具有较高的中心频率，高的功率耐受性，小的温度系数，在高频高功率低温度系数领域有巨大的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108111142A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810069487.7
申请日：2018-01-24
Applicant: 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅衬底/氧化锌或掺杂氧化锌薄膜的声表面波器件及其制备方法。该器件的结构包括：碳化硅衬底、位于碳化硅衬底上的中间过渡层、位于中间过渡层上的压电层、以及位于压电层上的叉指电极；压电层由氧化锌或掺杂氧化锌组成；叉指电极包括位于压电层上的金属打底层和位于金属打底层上的金属主体层。本发明采用碳化硅衬底作为基底，在碳化硅基底和(掺杂氧化锌)薄膜之间引入一薄层铝镓氮中间过渡层，通过精确控制生长条件，生长出了高质量平坦的外延(掺杂)氧化锌薄膜。本发明工艺步简单，成本低廉，制作的声表面波器件具有较高的中心频率，高的功率耐受性，小的温度系数，在高频高功率低温度系数领域有巨大的应用。
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公开(公告)号：CN106435503A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610946312.0
申请日：2016-11-02
Applicant: 清华大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0652 , C23C14/10
Abstract: 本发明公开了一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法。本发明提供的氧化硅薄膜的沉积方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法在衬底上溅射即得到所述氧化硅薄膜；所述磁控溅射采用的工作气体为氨气和氩气的混合气体。本发明溅射过程中无毒无污染，工艺简单，工作气体中充入一定量氨气后得到的氧化硅薄膜中还含有氢原子和氨基等基团，它使得在同样的厚度下含有这些基团的薄膜比那些不含有这些基团的薄膜具有更大的正温度系数。
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公开(公告)号：CN105296924A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510794985.4
申请日：2015-11-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。本发明提供的高c轴取向AlN薄膜制备方法包括如下步骤：将二硫化钼旋涂于柔性衬底上得到二硫化钼覆盖的衬底；利用反应溅射，在所述二硫化钼覆盖的衬底上进行沉积得到所述AlN薄膜；所述反应溅射的工作气体为氮气和氩气的混合气体；所述反应溅射的靶材为铝靶。本发明采用二硫化钼做缓冲层有效地缓解了衬底层与AlN层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题，使得本发明制备的AlN薄膜中的应力比较低得到的氮化铝薄膜具有高c轴取向、高压电系数d33和低的表面粗糙度，可应用于柔性电子等领域。
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公开(公告)号：CN110868181A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911200913.7
申请日：2019-11-29
Applicant: 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有GS分层式电极的薄膜材料声表面波器件及其制备方法与应用。它由下至上依次包括基片、第一层叉指换能器、二氧化硅薄膜、压电薄膜和第二层叉指换能器。其制备方法包括如下步骤：1)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在基片表面制备第一层叉指换能器；2)利用磁控溅射方法，在第一层叉指换能器和基片上生长二氧化硅薄膜；3)使二氧化硅薄膜表面平整，然后采用磁控溅射的方法在其表面上生长压电薄膜；4)采用步骤1)中方法在压电薄膜上制备第二层叉指换能器，并将其与第一层叉指换能器按照设置对准，并利用光刻技术露出第一层叉指换能器的电极PAD区，即得。本发明具有更高的频率、较高的温度稳定性，同时具有更强的集成性能。
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公开(公告)号：CN106544635B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610951951.6
申请日：2016-11-02
Applicant: 清华大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法。所述用于温度补偿声表面波器件的材料为掺杂有Si的非晶TeO2薄膜。所述材料的制备方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法，在衬底上溅射所述掺杂有Si的非晶TeO2薄膜，然后经热处理即得所述材料。在非晶TeO2引入一些Si原子，薄膜中含有Si‑O等基团，调控和改善了TeO2对声表面波器件的温度补偿特性，使得在同样的厚度下含有这些基团的薄膜比那些不含有这些基团的薄膜具有更大的正温度系数。而且磁控溅射具有成本低、工艺参数方便可调、可连续生产、材料改性方便、无毒无污染等优点，在工艺上更容易实现，易于推广。
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