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公开(公告)号：CN103613377B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310617065.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 清华大学深圳研究生院 , 清华大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种稀土钡铜氧高温超导膜的制备方法，包括：a)将稀土金属盐、钡盐、铜盐和掺杂元素化合物按比例称量分散于溶剂中，得前驱物，掺杂元素化合物在300-650℃和氧气氛围下能生成掺杂元素的氧化物；b)将前驱物涂于基底上形成前驱膜；c)前驱膜置入热处理炉中，通入氧气，炉温升至300-650℃并保温0-5小时，并在炉温达到80-120℃时通入水蒸气直到完成热分解；d)通入氧氮混合气和水蒸气，将炉温升至700-825℃并保温20-250分钟，在保温时间的最后1-30%时间内，停止通入水蒸气；e)在干燥的氧气下，将炉温降至400-500℃并保温0-240分钟，得到产品。本发明得到的稀土钡铜氧高温超导膜的厚度在300nm以上，超导临界温度高于90K，在77K温度、自场条件下的临界电流密度高于1mA/cm2。
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公开(公告)号：CN103086722B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310037983.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 清华大学 , 清华大学深圳研究生院
IPC: C04B35/622 , C04B35/45 , C04B35/50
Abstract: 本发明涉及一种高温超导膜的制备方法，其包括以下具体步骤：将稀土金属盐、钡盐和铜盐按比例称量并分散于一溶剂中，配制得到一前驱物母体；在该前驱物母体中加入一聚合物，搅拌后得到一改性前驱物；提供一基底，将所述改性前驱物涂覆于该基底上形成一前驱膜；将该前驱膜置入一热处理炉中，将炉温快速升至300℃-650℃并保温0分钟-60分钟；将炉温升至730℃-825℃并保温20分钟-250分钟；以及将炉温降至400℃-500℃并保温0分钟-240分钟。本发明方法不仅能制得表面致密平整、超导性能优良的高温超导膜，而且能大幅提高高温超导膜的制备速率。
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公开(公告)号：CN103086722A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310037983.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 清华大学 , 清华大学深圳研究生院
IPC: C04B35/622 , C04B35/45 , C04B35/50
Abstract: 本发明涉及一种高温超导膜的制备方法，其包括以下具体步骤：将稀土金属盐、钡盐和铜盐按比例称量并分散于一溶剂中，配制得到一前驱物母体；在该前驱物母体中加入一聚合物，搅拌后得到一改性前驱物；提供一基底，将所述改性前驱物涂覆于该基底上形成一前驱膜；将该前驱膜置入一热处理炉中，将炉温快速升至300℃-650℃并保温0分钟-60分钟；将炉温升至730℃-825℃并保温20分钟-250分钟；以及将炉温降至400℃-500℃并保温0分钟-240分钟。本发明方法不仅能制得表面致密平整、超导性能优良的高温超导膜，而且能大幅提高高温超导膜的制备速率。
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公开(公告)号：CN103435338B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310354477.5
申请日：2013-08-14
Applicant: 清华大学 , 清华大学深圳研究生院
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于高温超导材料技术领域，特别涉及一种控制前驱物氟钡比制备高温超导膜的方法。本发明使用的前驱物中含氟量极低，氟与钡两种元素的摩尔比在2～4之间可以连续控制。本方法能够控制前驱物中的氟含量从而控制热处理过程中液相的生成量，以避免前驱物与基底或过渡层的反应，也可以避免与液相有关的第二相的产生，保证最终超导膜的高性能。同时，本发明方法能够保证热处理过程中钡元素完全转化为氟化钡，从而避免对超导膜性能有害的碳酸钡的形成。相对于传统的含氟化学溶液沉积法，本方法的前驱物中含氟量大幅度降低，减少了热处理过程中含氟气体的生成，既有利于缩短热处理时间，也可以减少对环境的危害。
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公开(公告)号：CN103613377A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310617065.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 清华大学深圳研究生院 , 清华大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种稀土钡铜氧高温超导膜的制备方法，包括：a)将稀土金属盐、钡盐、铜盐和掺杂元素化合物按比例称量分散于溶剂中，得前驱物，掺杂元素化合物在300-650℃和氧气氛围下能生成掺杂元素的氧化物；b)将前驱物涂于基底上形成前驱膜；c)前驱膜置入热处理炉中，通入氧气，炉温升至300-650℃并保温0-5小时，并在炉温达到80-120℃时通入水蒸气直到完成热分解；d)通入氧氮混合气和水蒸气，将炉温升至700-825℃并保温20-250分钟，在保温时间的最后1-30%时间内，停止通入水蒸气；e)在干燥的氧气下，将炉温降至400-500℃并保温0-240分钟，得到产品。本发明得到的稀土钡铜氧高温超导膜的厚度在300nm以上，超导临界温度高于90K，在77K温度、自场条件下的临界电流密度高于1mA/cm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103435338A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310354477.5
申请日：2013-08-14
Applicant: 清华大学 , 清华大学深圳研究生院
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于高温超导材料技术领域，特别涉及一种控制前驱物氟钡比制备高温超导膜的方法。本发明使用的前驱物中含氟量极低，氟与钡两种元素的摩尔比在2～4之间可以连续控制。本方法能够控制前驱物中的氟含量从而控制热处理过程中液相的生成量，以避免前驱物与基底或过渡层的反应，也可以避免与液相有关的第二相的产生，保证最终超导膜的高性能。同时，本发明方法能够保证热处理过程中钡元素完全转化为氟化钡，从而避免对超导膜性能有害的碳酸钡的形成。相对于传统的含氟化学溶液沉积法，本方法的前驱物中含氟量大幅度降低，减少了热处理过程中含氟气体的生成，既有利于缩短热处理时间，也可以减少对环境的危害。
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公开(公告)号：CN110581015B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910768031.4
申请日：2019-08-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种利用脱层超导带材堆叠超导磁体的方法，属于超导磁体应用技术领域。首先利用物理或化学方法对超导带材进行脱层处理，使得超导带材中的超导层和过渡层脱离，得到脱层超导带材；采用机械裁剪、线切割或激光切割方法，对脱层超导带材进行裁剪，得到尺寸形状一致的脱层超导带材；将脱层超导带材，沿带材表面的法线方向，按照超导面以相背、相向或同向的方式依次堆叠，然后置于容器中压制，得到超导磁体初品；将压制好的超导磁体初品进行浸渍固化处理；对超导磁体初品进行磁化处理，得到超导磁体。采用本发明方法制得的超导磁体，能够很好的克服磁化过程中高温超导体内部产生的强烈应力冲击和较高的热量，因此具有较高的热稳定性。
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公开(公告)号：CN111740527B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010882551.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有低温绕组的电机转子附属结构，电机转子附属结构包括：支撑座；机架，机架设于支撑座且限定出安装空间；空心转轴，空心转轴设于安装空间内且相对机架可转动；密封组件，密封组件设于空心转轴与机架之间；抽气口，抽气口设于机架且与空心转轴的空心转轴腔体连通。由此，通过机架、空心转轴和抽气口的配合,空心转轴的两端分别与电机转子真空腔体连通，旋转工作中的电机转子可以通过抽气口进行持续排气，从而可以预防电机转子真空腔体内出现微小泄漏或部分材料放气引起电机转子真空腔体气压上升的情况发生，避免由于电机转子真空腔体出现泄露引起电机停机维护和检查。
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公开(公告)号：CN111273086A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010122678.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 清华大学 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R27/00
Abstract: 本发明提出的一种电阻型超导限流器失超恢复测试系统，包括待超导限流器无感线圈单元，两个断路器，四个继电器，控制器，恒流电流源，无感电阻以及具有多通道的数据采集卡；超导限流器无感线圈单元两端分别与各断路器相连，数据采集卡通道1分别通过串联的两个继电器并联接入超导限流器无感线圈单元两端，恒流电流源与无感电阻串联形成的支路两端分别通过另两个继电器并连接入超导限流器无感线圈单元两端，数据采集卡通道2并联接入无感电阻两端；由控制器检测各断路器同时发出高电平脉冲信号后控制各继电器全部闭合，并在设定时间内控制自身及各继电器全部复位。本发明可以在交流高压条件下，实现电阻型超导限流器失超恢复时间的快速精准测试。
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公开(公告)号：CN107144802B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710325985.9
申请日：2017-05-10
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: G01R33/12
Abstract: 快速测量超导薄膜平均临界电流的方法：测量待测超导薄膜样品的几何尺寸；将待测样品冷却至超导态并进行励磁；采用磁场测量装置扫描测量待测样品几何中心区域磁感应强度B；根据B的最大值确定待测样品的几何中心点坐标；将磁场测量装置固定于几何中心点的正上方或正下方一高度h处以测量待测样品在磁场测量装置固定处产生的磁感应强度Bc；对一平均临界电流Ic已知的超导薄膜对照样品执行前述的全部步骤得到该对照样品的Bc值；根据超导薄膜的Bc与h、Ic和几何尺寸之间的关系式，基于测量得到的对照样品的所述几何尺寸、Bc值和已知的Ic值，得到h的值，再将h的值及测量得到的待测样品的几何尺寸和Bc值代入关系式，得到待测样品的Ic值。
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