公开(公告)号：CN115116745A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210889943.9

申请日：2022-07-27

Applicant: 清华大学 ,  广东风华高新科技股份有限公司

Inventor： 王晓慧 ,  朱超琼 ,  甄一超 ,  肖梦简 ,  张伟晨 ,  蔡子明 ,  姜莹 ,  郭丽敏 ,  付振晓 ,  曹秀华 ,  任海东

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/08 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种高有效容量多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法。所述介质材料包括基体和包覆于所述基体外的第一包覆层和第二包覆层；基体为钛酸钡粉体或锆钛酸锶钡钙粉体；第一包覆层和第二包覆层均为氧化物层，第一包覆层为MnO2、MgO、SiO2、BaO、V2O5、MoO3、CaO、Al2O3、Y2O3和Re2O3中至少两种的复合氧化物层；第二包覆层为SiO2、Al2O3和ZrO2中至少一种的氧化物层。本发明提供了晶粒尺寸为50～300nm的化学包覆改性的介质粉体，并以此制备超薄层贱金属内电极多层陶瓷电容器。本发明提供的介质粉体性能优异，具有优异的DC偏压特性，可以实现电容器在服役过程中保持高有效容量，并保证高可靠性，适用于薄层大容量、中高压高可靠多层陶瓷电容器的生产应用。

公开(公告)号：CN114105190A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111473109.3

申请日：2021-12-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  程旭 ,  赵培尧 ,  朱超琼 ,  甄一超 ,  肖梦简

IPC: C01G23/00 ,  H01G4/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡钙纳米晶介质材料及其制备方法。所述钛酸钡钙粉体的制备方法包括如下步骤：按照式Ⅰ的化学计量比混合碳酸钡、二氧化钛和碳酸钙，加入水和分散剂得到浆料；将浆料进行砂磨得到粉体浆料；粉体浆料依次经烘干、过筛和煅烧得到钛酸钡钙粉体。本发明通过两步煅烧工艺，在低温下完成有机物分解和固相反应，在高温下使得晶格畸变，短暂保温抑制晶粒长大，获得了晶粒尺寸50～200nm，c/a≥1.008的纳米晶钛酸钡钙介质粉体，可作为基体材料用于大容量、小型化、高可靠的多层陶瓷电容器，具有重要的应用前景。(Ba1‑xCax)mTiO3 式Ⅰ。

公开(公告)号：CN114057483B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202111461897.4

申请日：2021-12-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  甄一超 ,  赵培尧 ,  程旭 ,  肖梦简 ,  朱超琼

IPC: C04B35/49 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明公开了一种适用于耐高压、高可靠性的X8R型BCZT基BME‑MLCC介质材料及制备方法。所述BCZT基介质材料的分子式如式Ⅰ所示：式Ⅰ中，(Ba1‑xCax)(Ti1‑y‑zCayZrz)O3中，x表示A位中Ca的摩尔分数，0.01≤x≤0.05，y表示B位中Ca的摩尔分数，0.01≤y≤0.05，z表示Zr的摩尔分数，0.01≤z≤0.05。本发明采用的BCZT相比广泛使用的BaTiO3，其居里温度可以达到125～135℃，通过化学包覆改性，可以使介质材料室温介电常数达到1800～2800，并满足更高的使用温度要求，进而制备出满足X8R特性的MLCC抗还原性介质材料。本发明BCZT基耐高压、高可靠性的X8R型超薄层BME‑MLCC的介质材料研究具有重要的实际应用意义。(Ba1‑xCax)(Ti1‑y‑zCayZrz)O3‑MgO‑MnO2‑BaCO3‑SiO2‑R2O3式I。

公开(公告)号：CN114188155A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111462056.5

申请日：2021-12-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  肖梦简 ,  朱超琼 ,  赵培尧 ,  甄一超 ,  程旭

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种适用于超薄层贱金属内电极多层陶瓷电容器的X7R/X8R介质粉体及制备方法。所述具有核‑壳结构的陶瓷粉体的核部为钛酸钡粉体或钛酸钡钙粉体，壳部为复合氧化物包覆层，复合氧化物包覆层采用的氧化物包括BaO、CaO、SiO2、Y2O3、MgO、MnO2、Al2O3和Re2O3中至少一种，Re表示镧系元素。本发明提供了晶粒尺寸30～120nm的掺杂改性介质粉体，并以此制备介质层厚度≤1μm的超薄层贱金属内电极多层陶瓷电容器。本发明提供的介质粉体性能优异，其室温介电常数(圆片样品)可达1500～3000，介电损耗

公开(公告)号：CN114057483A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111461897.4

申请日：2021-12-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  甄一超 ,  赵培尧 ,  程旭 ,  肖梦简 ,  朱超琼

IPC: C04B35/49 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明公开了一种适用于耐高压、高可靠性的X8R型BCZT基BME‑MLCC介质材料及制备方法。所述BCZT基介质材料的分子式如式Ⅰ所示：式Ⅰ中，(Ba1‑xCax)(Ti1‑y‑zCayZrz)O3中，x表示A位中Ca的摩尔分数，0.01≤x≤0.05，y表示B位中Ca的摩尔分数，0.01≤y≤0.05，z表示Zr的摩尔分数，0.01≤z≤0.05。本发明采用的BCZT相比广泛使用的BaTiO3，其居里温度可以达到125～135℃，通过化学包覆改性，可以使介质材料室温介电常数达到1800～2800，并满足更高的使用温度要求，进而制备出满足X8R特性的MLCC抗还原性介质材料。本发明BCZT基耐高压、高可靠性的X8R型超薄层BME‑MLCC的介质材料研究具有重要的实际应用意义。(Ba1‑xCax)(Ti1‑y‑zCayZrz)O3‑MgO‑MnO2‑BaCO3‑SiO2‑R2O3式I。

公开(公告)号：CN114105190B

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202111473109.3

申请日：2021-12-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  程旭 ,  赵培尧 ,  朱超琼 ,  甄一超 ,  肖梦简

IPC: C01G23/00 ,  H01G4/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡钙纳米晶介质材料及其制备方法。所述钛酸钡钙粉体的制备方法包括如下步骤：按照式Ⅰ的化学计量比混合碳酸钡、二氧化钛和碳酸钙，加入水和分散剂得到浆料；将浆料进行砂磨得到粉体浆料；粉体浆料依次经烘干、过筛和煅烧得到钛酸钡钙粉体。本发明通过两步煅烧工艺，在低温下完成有机物分解和固相反应，在高温下使得晶格畸变，短暂保温抑制晶粒长大，获得了晶粒尺寸50～200nm，c/a≥1.008的纳米晶钛酸钡钙介质粉体，可作为基体材料用于大容量、小型化、高可靠的多层陶瓷电容器，具有重要的应用前景。(Ba1‑xCax)mTiO3 式Ⅰ。