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公开(公告)号：CN118054413A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410279830.6
申请日：2024-03-12
Applicant: 广东电网有限责任公司珠海供电局 , 清华大学
Inventor： 余占清 , 程旭 , 王松 , 陈建福 , 屈鲁 , 陈勇 , 刘振国 , 訾振宁 , 赵晓燕 , 赵彪 , 杨锐雄 , 宋强 , 裴星宇 , 李建标 , 吴宏远 , 顾延勋 , 张黎
Abstract: 本发明提供了一种多点多层级配电台区互联系统及运行方式，具体为：所述互联系统包括直流中压区域、n个交流中压配电台区、m个低压配电区台区，其中，所述直流中压区域包括m组多端口直流断路器；每1个低压配电区台区和每2个交流中压配电台区通过1组多端口直流断路器互联并形成1个互联系统的子系统，m个子系统互联；其中，n＝1/2m，m≥2。本发明使整个配电网合环运行，能够在短路电流不增大的前提下，实现能量互供及多个电源的在线热备用，提高系统的供电可靠性，增加多个配电台区之间的功率互济能力。
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公开(公告)号：CN114105190A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111473109.3
申请日：2021-12-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡钙纳米晶介质材料及其制备方法。所述钛酸钡钙粉体的制备方法包括如下步骤：按照式Ⅰ的化学计量比混合碳酸钡、二氧化钛和碳酸钙，加入水和分散剂得到浆料；将浆料进行砂磨得到粉体浆料；粉体浆料依次经烘干、过筛和煅烧得到钛酸钡钙粉体。本发明通过两步煅烧工艺，在低温下完成有机物分解和固相反应，在高温下使得晶格畸变，短暂保温抑制晶粒长大，获得了晶粒尺寸50～200nm，c/a≥1.008的纳米晶钛酸钡钙介质粉体，可作为基体材料用于大容量、小型化、高可靠的多层陶瓷电容器，具有重要的应用前景。(Ba1‑xCax)mTiO3 式Ⅰ。
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公开(公告)号：CN114188155A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111462056.5
申请日：2021-12-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于超薄层贱金属内电极多层陶瓷电容器的X7R/X8R介质粉体及制备方法。所述具有核‑壳结构的陶瓷粉体的核部为钛酸钡粉体或钛酸钡钙粉体，壳部为复合氧化物包覆层，复合氧化物包覆层采用的氧化物包括BaO、CaO、SiO2、Y2O3、MgO、MnO2、Al2O3和Re2O3中至少一种，Re表示镧系元素。本发明提供了晶粒尺寸30～120nm的掺杂改性介质粉体，并以此制备介质层厚度≤1μm的超薄层贱金属内电极多层陶瓷电容器。本发明提供的介质粉体性能优异，其室温介电常数(圆片样品)可达1500～3000，介电损耗
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公开(公告)号：CN114057483A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111461897.4
申请日：2021-12-02
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种适用于耐高压、高可靠性的X8R型BCZT基BME‑MLCC介质材料及制备方法。所述BCZT基介质材料的分子式如式Ⅰ所示：式Ⅰ中，(Ba1‑xCax)(Ti1‑y‑zCayZrz)O3中，x表示A位中Ca的摩尔分数，0.01≤x≤0.05，y表示B位中Ca的摩尔分数，0.01≤y≤0.05，z表示Zr的摩尔分数，0.01≤z≤0.05。本发明采用的BCZT相比广泛使用的BaTiO3，其居里温度可以达到125～135℃，通过化学包覆改性，可以使介质材料室温介电常数达到1800～2800，并满足更高的使用温度要求，进而制备出满足X8R特性的MLCC抗还原性介质材料。本发明BCZT基耐高压、高可靠性的X8R型超薄层BME‑MLCC的介质材料研究具有重要的实际应用意义。(Ba1‑xCax)(Ti1‑y‑zCayZrz)O3‑MgO‑MnO2‑BaCO3‑SiO2‑R2O3式I。
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公开(公告)号：CN111333026A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010151099.0
申请日：2020-03-06
Applicant: 清华大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明提出一种可重构三维微结构的力电耦合加载平台及其制备方法，加载平台包括：力加载组件，力加载组件包括底盘、多个夹持件、移动机构和弹性基底，多个夹持件中的至少一个连接于移动机构，夹持件夹持弹性基底，弹性基底为膜状，移动机构能够驱动夹持件移动，通过夹持件移动能够使弹性基底产生形变；以及电加载组件，电加载组件包括导线，导线连接到弹性基底并用于向弹性基底通电，弹性基底的正反两面通过导线分别连接电源的正极和负极，弹性基底由电致活性聚合物制成。通过采用上述技术方案，将力加载组件和电加载组件结合可以相比于现有技术形成更丰富的可重构三维微结构构型，并且容易使三维微结构实现快速重构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110228283A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910648592.0
申请日：2019-07-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种转印装置及其制造方法。该装置包括：多个转印吸附部件，其正极电极和负极电极设置于绝缘填充层中、且被绝缘填充层中绝缘填充物分隔；可拉伸层，位于绝缘填充层上方，正极电极引线和负极电极引线位于绝缘填充层和可拉伸层中并延伸出可拉伸层；电介质层位于绝缘填充层的下方，覆盖绝缘填充层，用于与承载有待转印部件的施主基底接触，每个待转印部件所在位置与至少一个转印吸附部件相对应；多个转印吸附部件中的一个或多个通电后，转印吸附部件利用通电产生的静电吸附力与对应的待转印部件吸附在一起，以便于将其从施主基底上脱离，能够实现快速、高分辨率、可选择性、可编程性转印、成本低、可靠性高、适用范围广。
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公开(公告)号：CN119231962A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411297001.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 广东电网有限责任公司珠海供电局 , 清华大学
Inventor： 李晓光 , 陈勇 , 屈鲁 , 程旭 , 余占清 , 陈建福 , 刘振国 , 赵晓燕 , 曾嵘 , 杨锐雄 , 赵彪 , 裴星宇 , 崔彬 , 李建标 , 陈宇硕 , 吴宏远 , 张瀚锐 , 李鸣慎
IPC: H02M7/5387 , H02M1/00 , H02M1/088 , H02J3/36
Abstract: 本发明提供了一种三电平变流器的小回路换流调制方法，具体为：在调制电压正半周期：当调制波小于上载波时，桥臂输出第一零电平状态，三电平变流器的开关管T2、开关管T5同时开通，三电平变流器的其余开关管关断；在调制电压负半周期：当调制波大于下载波时，桥臂输出第二零电平状态，三电平变流器的开关管T3、开关管T6同时开通，三电平变流器的其余开关管关断。本发明降低了开关管关断过电压，防止开关管小电流导通时由于di/dt不耐受而失效。
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公开(公告)号：CN117783961A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311853790.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 广东电网有限责任公司珠海供电局 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及高频变压器技术领域，公开了一种高频变压器的绕组交流损耗确定方法及装置。本发明可以对磁芯窗口中的二维磁场进行分解得到多个一维磁场，根据第一磁场的磁场方向以及第一空心绕组的形状类型，对第一空心绕组在磁芯窗口的竖截面上的第一分布绕组进行区域划分，得到多个区域绕组，确定每个区域绕组中的第一电流分量，第一电流分量与第一磁场对应，根据区域绕组中的第一电流分量，确定磁芯窗口中单位长度绕组的交流损耗。本发明提供磁芯窗口中单位长度绕组的交流损耗的确定方式，有效实现对磁芯窗口中单位长度绕组的交流损耗的计算。
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公开(公告)号：CN117458574A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311281655.6
申请日：2023-09-28
Applicant: 广东电网有限责任公司珠海供电局 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及配电输电技术领域，特别涉及一种配电台区互联的高可靠供电方法及系统，包括：多个AC/DC双向变流器组成的多端口柔性互联装置，每个变流器均具有占地面积小、功率密度高的优点；直流断路器，通过直流断路器之间的分合闸的配合，可以实现故障隔离以及交直流网架的自动重构；直流线缆、交直流电量探测传感装置等。本发明在传统交流配电网的交流开关的基础上融入AC/DC双向变流器和直流断路器等柔性互联装置，实现了配网正常运行时母线间的功率流动，可充分利用负荷率较低的母线给负荷率高的负荷转带供电，提高电能的利用率。在满足母线、馈线实现柔性互联的同时，直流断路器的加入可实现隔离故障、重构网架，不影响负荷的供电。
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公开(公告)号：CN110228283B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910648592.0
申请日：2019-07-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种转印装置及其制造方法。该装置包括：多个转印吸附部件，其正极电极和负极电极设置于绝缘填充层中、且被绝缘填充层中绝缘填充物分隔；可拉伸层，位于绝缘填充层上方，正极电极引线和负极电极引线位于绝缘填充层和可拉伸层中并延伸出可拉伸层；电介质层位于绝缘填充层的下方，覆盖绝缘填充层，用于与承载有待转印部件的施主基底接触，每个待转印部件所在位置与至少一个转印吸附部件相对应；多个转印吸附部件中的一个或多个通电后，转印吸附部件利用通电产生的静电吸附力与对应的待转印部件吸附在一起，以便于将其从施主基底上脱离，能够实现快速、高分辨率、可选择性、可编程性转印、成本低、可靠性高、适用范围广。
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