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公开(公告)号：CN117199121A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311132003.6
申请日：2023-09-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/775 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及量子计算技术领域，特别是涉及一种超导‑半导体纳米线异质结及其衬底、制备方法和器件。可以满足超导‑半导体纳米线异质结对衬底的高平整性、绝缘和耐高温需求。一种超导‑半导体纳米线异质结的衬底，包括：衬底本体，以及设置于所述衬底本体沿其厚度方向一侧的缓冲层；其中，所述缓冲层包括：掺铕碲化铅晶体薄膜。
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