-
公开(公告)号：CN111925208A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010782448.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 清华大学 , 浙江清华长三角研究院 , 歌尔股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公布了一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，所述铌酸锂钠基无铅压电陶瓷由下列所示的化学通式所组成(1-x)LiαNa1-αNbO3-xBaTiO3；在制备过程中，将Li2CO3、Na2CO3、Nb2O5、TiO2、BaCO3混合加入无水乙醇球磨，烘干得到混合粉料，将该粉料进行预烧结；对预烧结后的粉料进行二次球磨，然后冷压成型得到陶瓷粗坯；陶瓷粗坯在空气气氛中高温烧结得到陶瓷样品，最后对样品进行极化处理得到铌酸锂钠基无铅压电陶瓷。本发明制备的铌酸锂钠基无铅压电陶瓷不仅具有高压电系数、高介电常数和高机电耦合系数的特点，同时还具有原料易于获得、成分简单不含剧毒元素铅、减少环境负担的优点；且制备工艺简单，耗时短。本发明具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111900246A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010782897.3
申请日：2020-08-06
Applicant: 清华大学 , 歌尔股份有限公司 , 浙江清华长三角研究院
IPC: H01L41/257 , H01L41/187 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公布了一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷的极化方法，主要分为第一次极化和第二次极化；将铌酸锂钠无铅压电陶瓷放入硅油中，升温至设定温度，在设定的极化电场强度下保持一定时间，进行第一次极化；随后降温取出陶瓷样品静置后再次放入硅油中，升温加热，在设定的极化电场强度下保持一定时间，进行第二次极化，最后降温取出去除表面硅油，在室温(25℃)下测试其压电性能，实验表明，其压电常数能从普通极化的60pC/N提升至115pC/N。本发明合理选择极化条件，通过控制极化时压电陶瓷样品电极间的极化电场大小和时长，以及样品所处环境及温度，来提升压电性能；使用本发明的极化方法，可以让铌酸锂钠基无铅压电陶瓷具有优异的压电性能。
-
公开(公告)号：CN112159227A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011080920.0
申请日：2020-10-11
Applicant: 浙江清华长三角研究院 , 歌尔股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的化学组成为：(1‑x)(K0.5Na0.5)Nb1‑yTayO3+xBiMg0.5Ti0.5O3；所述x，y为摩尔百分比，0≤x≤0.3，0.01≤y≤0.1。本发明的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺，采用钽、铋、镁和钛元素掺杂取代铌酸钾钠钙钛矿结构的A、B位。通过掺杂和复合方法实现电荷平衡及空位补偿，减少原子级缺陷，提高其机械品质因数和降低介电损耗，使之能够满足大功率换能器的性能要求。
-
公开(公告)号：CN112209712B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202011080914.5
申请日：2020-10-11
Applicant: 浙江清华长三角研究院 , 歌尔股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高压电常数的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，所述高压电常数的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的化学组成为：(1‑x)(K0.5Na0.5)Nb1‑ySbyO3+xCuZr0.5Ti0.5O3，其中，x，y为摩尔百分比，0≤x≤0.4，0.01≤y≤0.2。本发明的高压电常数的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，采用铜、锑、锆和钛元素进行掺杂改性，实现电荷和空位补偿，提高其压电常数，增加无铅压电陶瓷压电敏感性。本发明采用铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有高压电常数，大大拓宽了无铅压电陶瓷应用场景，同时无铅压电陶瓷绿色环保，可有效减少对人类健康和环境的损害。
-
公开(公告)号：CN112159227B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202011080920.0
申请日：2020-10-11
Applicant: 浙江清华长三角研究院 , 歌尔股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的化学组成为：(1‑x)(K0.5Na0.5)Nb1‑yTayO3+xBiMg0.5Ti0.5O3；所述x，y为摩尔百分比，0≤x≤0.3，0.01≤y≤0.1。本发明的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺，采用钽、铋、镁和钛元素掺杂取代铌酸钾钠钙钛矿结构的A、B位。通过掺杂和复合方法实现电荷平衡及空位补偿，减少原子级缺陷，提高其机械品质因数和降低介电损耗，使之能够满足大功率换能器的性能要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112209712A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011080914.5
申请日：2020-10-11
Applicant: 浙江清华长三角研究院 , 歌尔股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高压电常数的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，所述高压电常数的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的化学组成为：(1‑x)(K0.5Na0.5)Nb1‑ySbyO3+xCuZr0.5Ti0.5O3，其中，x，y为摩尔百分比，0≤x≤0.4，0.01≤y≤0.2。本发明的高压电常数的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，采用铜、锑、锆和钛元素进行掺杂改性，实现电荷和空位补偿，提高其压电常数，增加无铅压电陶瓷压电敏感性。本发明采用铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有高压电常数，大大拓宽了无铅压电陶瓷应用场景，同时无铅压电陶瓷绿色环保，可有效减少对人类健康和环境的损害。
-
公开(公告)号：CN113764570A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111051173.2
申请日：2021-09-08
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 浙江清华长三角研究院
IPC: H01L41/083 , H01L41/113 , H01L41/31 , H01L41/314 , H02N2/00 , H02N2/18
Abstract: 本发明提供一种压电结构及其制备方法，压电结构包括：压电膜层；位于压电膜层一侧表面的种子层；位于种子层背离压电膜层的一侧表面的纳米线阵列层，纳米线阵列层的材料为半导体压电材料。当在外界作用下发生形变时，压电膜层和纳米线阵列层产生压电效应，压电膜层相对设置的两个表面和纳米线阵列层相对设置的两个表面均产生相反的电荷，使位于两者之间的种子层受到电场作用，在上述电场的作用下，种子层实现了压电膜层和纳米线阵列层的串联，压电结构所产生的电能为压电膜层和纳米线阵列层所产生的电能的加和，有效提高了压电材料的压电转换效率。
-
公开(公告)号：CN113594350A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202111022514.3
申请日：2021-09-01
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 浙江清华长三角研究院 , 北京市劳动保护科学研究所
IPC: H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/113 , H01L41/25 , H01L41/27 , H01L41/29
Abstract: 本发明提供一种电能转换器件及其制备方法，电能转换器件包括：微穿孔板；与所述微穿孔板相对设置的能量收集组件；支架，所述支架位于所述能量收集组件的边缘区域和所述微穿孔板的边缘区域之间；所述能量收集组件包括：压电膜层；位于所述压电膜层朝向所述微穿孔板一侧表面的第一电极层；位于所述压电膜层背向所述微穿孔板一侧表面的第二电极层；贯穿所述压电膜层和所述第一电极层的第一开口，且所述第一开口的底部暴露出部分所述第二电极层；位于所述第二电极层背向所述压电膜层一侧表面的接合层；位于所述接合层背向所述压电膜层一侧的支撑层。电能转换器件可以自发电，提高了电能转换器件的稳定性。
-
公开(公告)号：CN113372099A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110787647.3
申请日：2021-07-13
Applicant: 浙江清华长三角研究院 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网浙江省电力有限公司金华供电公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/495 , C04B35/622 , H01L41/43
Abstract: 本发明公开了一种耐高温耐辐照压电陶瓷，其化学通式为(NaBi)1‑x(LiM1/2N1/2)xBi2Nb2O9+yBi2O3，其中0
-
公开(公告)号：CN113764570B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111051173.2
申请日：2021-09-08
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 浙江清华长三角研究院
Abstract: 本发明提供一种压电结构及其制备方法，压电结构包括：压电膜层；位于压电膜层一侧表面的种子层；位于种子层背离压电膜层的一侧表面的纳米线阵列层，纳米线阵列层的材料为半导体压电材料。当在外界作用下发生形变时，压电膜层和纳米线阵列层产生压电效应，压电膜层相对设置的两个表面和纳米线阵列层相对设置的两个表面均产生相反的电荷，使位于两者之间的种子层受到电场作用，在上述电场的作用下，种子层实现了压电膜层和纳米线阵列层的串联，压电结构所产生的电能为压电膜层和纳米线阵列层所产生的电能的加和，有效提高了压电材料的压电转换效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.064 seconds)
