-
公开(公告)号：CN111925208A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010782448.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 清华大学 , 浙江清华长三角研究院 , 歌尔股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公布了一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，所述铌酸锂钠基无铅压电陶瓷由下列所示的化学通式所组成(1-x)LiαNa1-αNbO3-xBaTiO3；在制备过程中，将Li2CO3、Na2CO3、Nb2O5、TiO2、BaCO3混合加入无水乙醇球磨，烘干得到混合粉料，将该粉料进行预烧结；对预烧结后的粉料进行二次球磨，然后冷压成型得到陶瓷粗坯；陶瓷粗坯在空气气氛中高温烧结得到陶瓷样品，最后对样品进行极化处理得到铌酸锂钠基无铅压电陶瓷。本发明制备的铌酸锂钠基无铅压电陶瓷不仅具有高压电系数、高介电常数和高机电耦合系数的特点，同时还具有原料易于获得、成分简单不含剧毒元素铅、减少环境负担的优点；且制备工艺简单，耗时短。本发明具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111900246A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010782897.3
申请日：2020-08-06
Applicant: 清华大学 , 歌尔股份有限公司 , 浙江清华长三角研究院
IPC: H01L41/257 , H01L41/187 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公布了一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷的极化方法，主要分为第一次极化和第二次极化；将铌酸锂钠无铅压电陶瓷放入硅油中，升温至设定温度，在设定的极化电场强度下保持一定时间，进行第一次极化；随后降温取出陶瓷样品静置后再次放入硅油中，升温加热，在设定的极化电场强度下保持一定时间，进行第二次极化，最后降温取出去除表面硅油，在室温(25℃)下测试其压电性能，实验表明，其压电常数能从普通极化的60pC/N提升至115pC/N。本发明合理选择极化条件，通过控制极化时压电陶瓷样品电极间的极化电场大小和时长，以及样品所处环境及温度，来提升压电性能；使用本发明的极化方法，可以让铌酸锂钠基无铅压电陶瓷具有优异的压电性能。
-
公开(公告)号：CN119683984A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311235962.0
申请日：2023-09-22
IPC: C04B35/26 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种反铁电改性的高储能BiFeO3‑BaTiO3陶瓷及其制备方法。本发明所制备的陶瓷材料绿色无铅，且成本低廉可控，其在室温下为钙钛矿结构伪四方相，在添加ANT后，陶瓷具有高致密度、晶粒细化和高击穿电场的特点。本发明所使用的烧结方法降低了烧结温度，并且得到了致密、晶粒细化的陶瓷。
-
公开(公告)号：CN114890791B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210488295.6
申请日：2022-05-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/65 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种锑化镁基热电材料及其制备方法和应用，该锑化镁基热电材料原料组成为Mg3.19‑3xY0.01Sb1.5Bi0.5‑2x，其中，0.01≤x≤0.02。该锑化镁基热电材料结晶性良好，结构致密，可重复性强，且电学性能好，功率因子保持在较高水平，晶格热导率低，进而获得了较高的无量纲热电优值ZT值。
-
公开(公告)号：CN114409400A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210036677.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 清华大学
Inventor： 李敬锋
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01L41/187 , H01L41/257 , H01L41/297 , H01L41/337 , H01L41/43
Abstract: 本发明涉及功能陶瓷材料技术领域，具体而言涉及一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明制备方法采用固相法，直接将陶瓷粉制备成多层结构铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，从而实现良好的温度稳定性。本发明制备方法制备的多层结构铌酸钾钠基无铅压电陶瓷中每层的成分可调控，每层陶瓷均具有多相共存结构，转变温度从一层依次上升到另一层。每层组分采用相似的化学成分，以确保良好的共烧和易于控制在高温下的扩散。最终使得到的多层铌酸钾钠基压电陶瓷样品在保留较高的压电性能的同时兼具较好的温度稳定性。本发明制备方法操作简便、周期短、成本低、能耗少。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106478097B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610844668.3
申请日：2016-09-22
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷及其制备方法。其中，铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷由下列通式所示的化学组成(AgNbO3)(MaOb)x，其中，MaOb表示Mn、Cu或者Fe的氧化物，Mn的氧化物为MnO、MnO2或Mn2O3、Cu的氧化物为CuO及Fe的氧化物为Fe3O4，x表示MaOb占铌酸银无铅反铁电储能陶瓷的质量百分比，并且0≤x≤0.01。该铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷具有较高的储能性能，其中，AgNbO3陶瓷的可释放能量密度可以达到1.50～1.70J/cm3，MaOb掺杂AgNbO3陶瓷的可释放能量密度可以达到2.00～2.50J/cm3，且其在室温至180℃的温度范围内的波动不超过12％。
-
公开(公告)号：CN109817804A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910043957.7
申请日：2019-01-17
Abstract: 本发明涉及了一种n型SnS基热电材料及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明利用卤族元素对SnS进行掺杂改性得到n型SnS。将Sn、S和卤化物按照化学计量比SnS1-xβx(β＝Cl,Br,I等卤族元素)进行配料，其中x取值范围为0≤x≤0.2；然后将原料放入行星式球磨机，充入保护气，在一定转速下合成n型SnS1-xβx粉体，最后通过放电等离子烧结得到n型SnS1-xβx块体材料。对SnS热电性能的报道主要集中在p型半导体，n型SnS基半导体的热电性能未见报道。卤族元素的掺杂提高了电子浓度，得到n型SnS基热电半导体的热电优值ZT为0.15～0.5。该制备方法过程简便、易于操作，对设备和制备环境要求低，周期短、适合大规模生产。
-
公开(公告)号：CN109309155A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710628318.8
申请日：2017-07-28
Abstract: 本发明涉及一种高锰硅基碲化物热电复合材料，其特征在于，具有下列通式(1)所示的化学组成：(MnSi1.740±0.015)1-x(MnTe)x (1)，其中，x表示高锰硅基碲化物热电复合材料中碲化锰所占的摩尔比，并且0＜x≤0.10，所述高锰硅基碲化物热电复合材料的最大ZT值为0.40以上。
-
公开(公告)号：CN103274689A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310237035.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。其中，铌酸钾钠基无铅压电陶瓷由下列通式所示的化学组成(ABO3)1-x（CaZrO3）x（MnO2）y，其中，A为选自Na、K和Li的至少之一，B为选自Nb和Ta的至少之一，x表示CaZrO3占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比，y为MnO2占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比，并且0.03≤x≤0.07，0≤y≤0.04。该铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有较高的压电性能，其压电常数d33可以达到280～360pC/N，且其反向压电系数d33*在室温至175摄氏度的温度范围内的波动不超过10%。
-
公开(公告)号：CN102810626A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110149611.9
申请日：2011-06-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于功能材料的微加工和器件集成领域的一种基于精密机械加工的微型热电器件制作方法。该工艺的核心是热电堆(热电臂阵列)的制作，具体步骤为：先利用精密切割法分别在P、N型热电块体薄片上加工出一系列平行凹槽，然后在环氧树脂的润滑下插嵌复合，待固化后再沿垂直于这些沟槽的方向切割出一系列平行凹槽并填入环氧树脂，待再固化后经过抛光就可以制作出二维排布的热电臂阵列。通过后续的电极制作和封装工艺，就可以制作出适用于便携式电源或微区制冷的毫米尺度的微型热电器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
89
records
(took 0.044 seconds)
