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公开(公告)号：CN104795298B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410024559.8
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/12 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个电子发射单元间隔设置，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射单元还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层，任意相邻的电子发射单元中的第一电极相互间隔，任意相邻的电子发射单元中的第二电极相互间隔。本发明还提供一种电子发射显示器。
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公开(公告)号：CN104795292B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410024348.4
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J31/12 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：CN104795296B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201410024482.4
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，包括：多个条形第一电极，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸；多个条形第二电极，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，所述多个条形第一电极和多个条形第二电极交叉且间隔设置，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极定义一电子发射单元，每一电子发射单元进一步包括位于条形第一电极与条形第二电极之间且依次层叠设置的一绝缘层、一电子收集层以及一半导体层，所述电子收集层为一导电层。本发明还提供一种电子发射显示器。
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公开(公告)号：CN104795295A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024419.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/308 , H01J1/312 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , Y10S977/939 , H01J29/04 , H01J1/30 , H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。
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公开(公告)号：CN104795294A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024369.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/12 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/02 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述第一电极为一碳纳米管层，每一电子发射单元中的半导体层具有多个间隔设置的孔洞，对应孔洞位置处的碳纳米管层悬空设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104795294B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410024369.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/12 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/02 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述第一电极为一碳纳米管层，每一电子发射单元中的半导体层具有多个间隔设置的孔洞，对应孔洞位置处的碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN104795297B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410024483.9
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极及条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间形成一电子发射单元，每一电子发射单元包括依次层叠设置的一半导体层及一绝缘层，所述条行第一电极为一碳纳米管层，所述半导体层包括多个孔洞，所述条形碳纳米管层覆盖所述多个孔洞，对应孔洞位置处的条形碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN104795300B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410024494.7
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J9/025 , H01J31/12 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，包括：一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，其中，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明还提供一种电子发射源的制备方法。
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公开(公告)号：CN104795291B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410024347.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极以及多个条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间设置一绝缘层，所述条形第一电极为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层设置于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：CN104795300A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024494.7
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，包括：一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，其中，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明还提供一种电子发射源的制备方法。
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