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公开(公告)号:CN108147418A
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201711426036.6
申请日:2017-12-26
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明叙述了一种平行排列的SiO2纳米线的制备方法,该方法的整个过程是以SiO纳米粉作为反应源,在低真空环境下的一维高温管式炉的高温区发生反应,并随着保护气体的流通沉积到硅片衬底的低温区域上,该方法产量很高、操作方法简单、安全环保、成本低廉、不需添加催化剂,通过化学反应在高温反应下即可完成。利用该方法制备出的SiO2纳米线具有平行排列的结构,因其独特的新颖结构对开发材料性能的新领域有着重要的学术意义及应用。
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公开(公告)号:CN106367063A
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201610648665.2
申请日:2016-08-10
Applicant: 渤海大学
CPC classification number: C09K11/592 , C01B33/12 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03
Abstract: 本发明公开了一种S掺杂SiO2微球的制备方法。该方法的整个过程是以Si粉和S粉作为反应源,在低真空系统的高温管式炉的高温区发生反应,通过对载气的控制,样品随着逆向载气沉积到衬底所在低温区域上。该方法操作简单、产量高、成本低、安全环保、不需金属催化剂,通过高温条件下的化学反应即可完成。利用该方法制备出的S掺杂SiO2微球表面较光谱平整,具有较好的光学性能,对开发材料性能的新领域有重要的学术意义,在滤光、催化、光吸收等领域有很大的应用前景。
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公开(公告)号:CN106367063B
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN201610648665.2
申请日:2016-08-10
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明公开了一种S掺杂SiO2微球的制备方法。该方法的整个过程是以Si粉和S粉作为反应源,在低真空系统的高温管式炉的高温区发生反应,通过对载气的控制,样品随着逆向载气沉积到衬底所在低温区域上。该方法操作简单、产量高、成本低、安全环保、不需金属催化剂,通过高温条件下的化学反应即可完成。利用该方法制备出的S掺杂SiO2微球表面较光谱平整,具有较好的光学性能,对开发材料性能的新领域有重要的学术意义,在滤光、催化、光吸收等领域有很大的应用前景。
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公开(公告)号:CN108147418B
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN201711426036.6
申请日:2017-12-26
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明叙述了一种平行排列的SiO2纳米线的制备方法,该方法的整个过程是以SiO纳米粉作为反应源,在低真空环境下的一维高温管式炉的高温区发生反应,并随着保护气体的流通沉积到硅片衬底的低温区域上,该方法产量很高、操作方法简单、安全环保、成本低廉、不需添加催化剂,通过化学反应在高温反应下即可完成。利用该方法制备出的SiO2纳米线具有平行排列的结构,因其独特的新颖结构对开发材料性能的新领域有着重要的学术意义及应用。
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